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公開番号2023183725
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-12-28
出願番号2022097389
出願日2022-06-16
発明の名称成膜装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 14/34 20060101AFI20231221BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】パーティクルの発生を抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】上部開口を有する処理容器本体及び前記上部開口を塞ぐ蓋体を有する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を載置するステージと、前記処理容器内に設けられ、スパッタ粒子を放出するターゲットと、前記処理容器内に前記スパッタ粒子を放出させる処理空間を形成するシールドと、を備え、前記シールドは、前記処理容器本体に固定されるチャンバシールドと、前記蓋体に固定されるターゲットシールドと、を有し、前記チャンバシールドは、円筒側壁部と、前記円筒側壁部から径方向外側に形成される水平壁部と、を有し、前記ターゲットシールドは、前記ステージに向かって伸びる円筒部を有し、前記円筒部の外周面の直径は前記円筒側壁部の内周面の直径よりも小さく、かつ、前記円筒部と前記円筒側壁部とは高さ方向において少なくとも一部が重なる二重管構造を形成する、成膜装置。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
上部開口を有する処理容器本体及び前記上部開口を塞ぐ蓋体を有する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、基板を載置するステージと、
前記処理容器内に設けられ、スパッタ粒子を放出するターゲットと、
前記処理容器内に前記スパッタ粒子を放出させる処理空間を形成するシールドと、を備え、
前記シールドは、前記処理容器本体に固定されるチャンバシールドと、前記蓋体に固定されるターゲットシールドと、を有し、
前記チャンバシールドは、円筒側壁部と、前記円筒側壁部から径方向外側に形成される水平壁部と、を有し、
前記ターゲットシールドは、前記ステージに向かって伸びる円筒部を有し、
前記円筒部の外周面の直径は前記円筒側壁部の内周面の直径よりも小さく、かつ、前記円筒部と前記円筒側壁部とは高さ方向において少なくとも一部が重なる二重管構造を形成する、
成膜装置。
続きを表示（約 580 文字）【請求項２】
前記円筒部の下端は、前記水平壁部の上面よりも低い位置まで形成される、
請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記円筒側壁部の内周面の直径は、前記ターゲットのスパッタ粒子放出面を外接する外接円より大きい、
請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記ターゲットシールドは、前記円筒部よりも径方向外側に形成され、前記水平壁部と少なくとも一部が対向して形成され、前記水平壁部にスパッタ粒子が入射することを抑制するスパッタ粒子入射抑制構造部を有する、
請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記スパッタ粒子入射抑制構造部は、前記円筒部と前記円筒側壁部との間を通過した前記スパッタ粒子を捕捉する凹凸構造を有する、
請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記スパッタ粒子入射抑制構造部は、法線方向が径方向内側に向かう傾斜面を有する、
請求項４に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記チャンバシールドは、前記水平壁部から前記ターゲットシールドに向けて立ち上がる立ち上がり部を有し、
前記ターゲットシールドは、前記立ち上がり部が挿入される掘り込み部を有する、
請求項５または請求項６に記載の成膜装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板上に金属酸化膜を形成する成膜装置であって、減圧可能に構成された処理容器と、前記処理容器内に設けられ処理空間を画成するシールド部と、前記処理容器内に設けられ、基板が前記処理空間に面するように載置される載置台と、前記処理空間にスパッタ粒子を放出するターゲットを保持するホルダと、を有する成膜装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１７５８１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、パーティクルの発生を抑制する成膜装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、上部開口を有する処理容器本体及び前記上部開口を塞ぐ蓋体を有する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を載置するステージと、前記処理容器内に設けられ、スパッタ粒子を放出するターゲットと、前記処理容器内に前記スパッタ粒子を放出させる処理空間を形成するシールドと、を備え、前記シールドは、前記処理容器本体に固定されるチャンバシールドと、前記蓋体に固定されるターゲットシールドと、を有し、前記チャンバシールドは、円筒側壁部と、前記円筒側壁部から径方向外側に形成される水平壁部と、を有し、前記ターゲットシールドは、前記ステージに向かって伸びる円筒部を有し、前記円筒部の外周面の直径は前記円筒側壁部の内周面の直径よりも小さく、かつ、前記円筒部と前記円筒側壁部とは高さ方向において少なくとも一部が重なる二重管構造を形成する、成膜装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、パーティクルの発生を抑制する成膜装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
成膜装置の構成を説明する断面図の一例。
成膜装置の構成を説明する断面図の一例。
成膜装置の部分拡大断面図の一例。
成膜装置におけるターゲットのスパッタ粒子放出面とチャンバシールドとの位置関係を示す平面図の一例。
成膜装置におけるターゲット、チャンバシールド及びマスクシールドの位置関係を示す断面図の一例。
他の成膜装置の部分拡大断面図の一例。
他の成膜装置におけるターゲットのスパッタ粒子放出面とチャンバシールドとの位置関係を示す平面図の一例。
他の成膜装置におけるターゲット、チャンバシールド及びマスクシールドの位置関係を示す断面図の一例。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
成膜装置（基板処理装置、スパッタ装置）１について、図１及び図２を用いて説明する。図１及び図２は、成膜装置１の構成を説明する断面図の一例である。また、図１は、基板Ｗに成膜処理を施す際の処理位置にステージ２１が配置されている状態を示す。図２は、基板Ｗを搬送する際の搬送位置にステージ２１が配置されている状態を示す。
【００１０】
成膜装置１は、処理容器１０と、基板保持部２０と、スパッタ粒子放出部３０と、ガス供給部４０と、シールド５０と、制御部６０と、を備える。成膜装置１は、例えば、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）装置であって、処理容器１０内で、スパッタ粒子放出部３０から放出されたスパッタ粒子（成膜原子）を基板保持部２０に保持された半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に付着させ、成膜するスパッタ装置である。
（【００１１】以降は省略されています）

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