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公開番号2024011979
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-01-25
出願番号2022114360
出願日2022-07-15
発明の名称成膜装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 14/34 20060101AFI20240118BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】安定的に成膜する成膜装置を提供する。
【解決手段】接地電位に接続される処理容器と、ターゲットを保持するホルダと、前記ホルダにDC電圧を印加するDC電源と、前記ターゲットを囲んで配置され、絶縁部材を介して前記処理容器に支持される防着シールドと、
前記防着シールドに接続されるインピーダンス整合器と、前記インピーダンス整合器に接続されるRF電源と、を備える、成膜装置。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
接地電位に接続される処理容器と、
ターゲットを保持するホルダと、
前記ホルダにＤＣ電圧を印加するＤＣ電源と、
前記ターゲットを囲んで配置され、絶縁部材を介して前記処理容器に支持される防着シールドと、
前記防着シールドに接続されるインピーダンス整合器と、
前記インピーダンス整合器に接続されるＲＦ電源と、を備える、
成膜装置。
続きを表示（約 580 文字）【請求項２】
前記インピーダンス整合器は、前記処理容器内に形成されるプラズマから前記防着シールドを介して設定電位へと電流が流れる電気回路において、前記防着シールド及び前記防着シールドに成膜された膜の電気抵抗が減少するように、インピーダンス整合する、
請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記ＲＦ電源は、４００ｋＨｚ以上１００ＭＨｚ以下の範囲内の周波数を有し、５０Ｗ以上１０ｋＷ以下のＲＦ電力を供給する、
請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
接地電位に接続される処理容器と、
ターゲットを保持するホルダと、
前記ホルダにＲＦ電圧を印加するＲＦ電源と、
前記ターゲットを囲んで配置され、絶縁部材を介して前記処理容器に支持される防着シールドと、
前記防着シールドに接続される可変コイルと、
前記可変コイルに接続されるコンデンサと、を備える、
成膜装置。
【請求項５】
前記可変コイルは、前記処理容器内に形成されるプラズマから前記防着シールドを介して設定電位へと電流が流れる電気回路において、前記防着シールド及び前記防着シールドに成膜された膜の電気抵抗が減少するように、インダクタンスが調整される、
請求項４に記載の成膜装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、処理容器と、前記処理容器内を減圧するための排気装置と、被処理体を載置するための載置台であり、前記処理容器内に設けられた前記載置台と、前記載置台の上方に設けられ、第１絶縁材料製の第１及び第２ターゲットと、前記処理容器内にガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部から供給されるガス中の正イオンを前記第１ターゲットに衝突させるための第１高周波電力を発生する第１高周波電源と、前記ガス供給部から供給されるガス中の正イオンを前記第２ターゲットに衝突させるための第２高周波電力を発生する第２高周波電源と、前記第１高周波電力と前記第２高周波電力との間の位相差を調整する位相調整器と、を備える、成膜装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－２９５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、安定的に成膜する成膜装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、接地電位に接続される処理容器と、ターゲットを保持するホルダと、前記ホルダにＤＣ電圧を印加するＤＣ電源と、前記ターゲットを囲んで配置され、絶縁部材を介して前記処理容器に支持される防着シールドと、
前記防着シールドに接続されるインピーダンス整合器と、前記インピーダンス整合器に接続されるＲＦ電源と、を備える、成膜装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、安定的に成膜する成膜装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
一実施形態に係る成膜装置の概略断面図の一例。
他の実施形態に係る成膜装置の概略断面図の一例。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
成膜装置（基板処理装置、スパッタ装置）１００について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る成膜装置１００の概略断面図の一例である。成膜装置１００は、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）装置であって、処理容器１１０内で、ターゲットＴ１及び／又はターゲットＴ２から放出されたスパッタ粒子（成膜原子）を載置台１２１に載置された半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に付着（堆積）させ、膜を成膜するスパッタ装置である。
【００１０】
成膜装置１００は、基板Ｗに対して成膜処理を行う内部空間１１０ａを有する処理容器１１０を備える。また、成膜装置１００は、処理容器１１０内で基板Ｗに成膜処理を行う構成として、ステージ機構部１２０と、ターゲット保持部１３０と、ターゲット覆い部１４０と、ガス供給部１５０と、ガス排出部１６０と、マグネット機構部１７０と、を備える。さらに、成膜装置１００は、各構成の動作を制御する制御部１８０を有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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