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公開番号2024056426
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-23
出願番号2022163291
出願日2022-10-11
発明の名称載置台及び基板処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 14/50 20060101AFI20240416BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】イオン化されたスパッタ粒子を効率よく載置台へ引き込む。
【解決手段】チャック電極を有し、載置面に基板を吸着保持し、回転可能に構成される静電チャックと、前記静電チャックの被接触面と接触または離間する接触面を有し、前記静電チャックを冷却するように構成される冷凍装置と、前記静電チャックに印加する高周波バイアス電圧を、前記チャック電極に印加するチャック電圧に重畳させるように構成される電源制御部と、を有する載置台が提供される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
チャック電極を有し、載置面に基板を吸着保持し、回転可能に構成される静電チャックと、
前記静電チャックの被接触面と接触または離間する接触面を有し、前記静電チャックを冷却するように構成される冷凍装置と、
前記静電チャックに印加する高周波バイアス電圧を、前記チャック電極に印加するチャック電圧に重畳させるように構成される電源制御部と、
を有する載置台。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記電源制御部は、直流電源から前記チャック電圧を前記チャック電極に印加し、前記静電チャックの載置面に基板を吸着保持した状態で、スプリッターを介して高周波電源から供給した前記高周波バイアス電圧を、前記チャック電圧に重畳させて前記静電チャックに印加する、
請求項１に記載の載置台。
【請求項３】
前記静電チャックは、絶縁部材から形成される母材と、前記母材の上に設けられ、前記チャック電極が埋設されているチャック部と、を有する、
請求項１に記載の載置台。
【請求項４】
前記冷凍装置は、前記静電チャックの被接触面と接触し、前記載置面に吸着保持された基板の温度が１５０Ｋ以下になるように前記静電チャックを冷却する、
請求項１～３のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項５】
前記冷凍装置は、冷却時、前記静電チャックの被接触面と接触し、前記基板の処理時、前記静電チャックの被接触面と離間する、
請求項１～３のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項６】
前記冷凍装置は、少なくとも一部が金属から形成され、接地電位に接続される、
請求項１～３のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項７】
処理容器と、前記処理容器の内部に設けられる載置台と、前記処理容器の天井部に設けられ、複数のターゲットをスパッタするように構成されるカソード部と、有し、基板を成膜する基板処理装置であって、
前記載置台は、
チャック電極を有し、載置面に基板を吸着保持し、回転可能に構成される静電チャックと、
前記静電チャックの被接触面と接触または離間する接触面を有し、前記静電チャックを冷却するように構成される冷凍装置と、
前記静電チャックに印加する高周波バイアス電圧を、前記チャック電極に印加するチャック電圧に重畳させるように構成される電源制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項８】
前記カソード部は、複数の前記ターゲットに高周波電圧を直流電圧に重畳させて印加する、
請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記カソード部は、複数の前記ターゲットのそれぞれに磁場を付与するマグネットを有する、
請求項７又は８に記載の基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、載置台及び基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
Ｃｕ（銅）膜をＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）を用いたスパッタ法により成膜するとき、基板に付着したターゲット粒子は結晶化が落ち着くまで粒成長していくため、粒径が大きくなることでＣｕ膜のラフネス（表面粗さ）が大きくなる。そのため、膜のラフネスが少ないナノレベルでのフラットな膜を形成することは難しい。しかし、成膜中、基板の温度を低くすることで、基板に付着したターゲット粒子が粒成長する動きを抑制することができ、膜をフラットにすることができる。
【０００３】
例えば、特許文献１は、静電チャック機構と、バイアス用の高周波が供給できる下部電極と、を備えたスパッタ装置であって、スパッタによるＣｕ膜の形成時、ステージを２０９Ｋ（ケルビン）以下に冷却することを提案する。
【０００４】
例えば、特許文献２は、基板上への銅めっき処理のシード層に適合する銅金属層の堆積に当たり、堆積中の銅金属粒子の凝集を減少させるための銅金属層の堆積方法であって、チャックに基板を装着するステップと、チャックおよび基板を零下１００℃よりも低い温度に冷却するステップと、基板を零下１００℃よりも低い温度であって銅めっき処理のシード層として適合する小さい平均表面粗さで銅金属を堆積させる温度に維持しながら、基板上に銅金属層をスパッタリング堆積するステップと、を含む方法を提案する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１８－６４５２号公報
特開平１１－３４３５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示は、イオン化されたスパッタ粒子を効率よく載置台へ引き込むことができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一の態様によれば、チャック電極を有し、載置面に基板を吸着保持し、回転可能に構成される静電チャックと、前記静電チャックの被接触面と接触または離間する接触面を有し、前記静電チャックを冷却するように構成される冷凍装置と、前記静電チャックに印加する高周波バイアス電圧を、前記チャック電極に印加するチャック電圧に重畳させるように構成される電源制御部と、を有する載置台が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
一の側面によれば、イオン化されたスパッタ粒子を効率よく載置台へ引き込むことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
一実施形態に係る載置台を有する基板処理装置の一例を示す断面模式図。
一実施形態に係る成膜方法の一例を示すフローチャート。
高周波電流の流れの一例を示す模式図。
冷凍装置の温度と静電チャックの温度との相関の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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