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公開番号2024019926
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-02-14
出願番号2022122704
出願日2022-08-01
発明の名称成膜装置
出願人東レエンジニアリング株式会社
代理人
主分類C23C 16/509 20060101AFI20240206BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】従来よりも薄膜の膜質の低下を軽減することができる成膜装置を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマ雰囲気を形成する電極ユニットと、基材の所定面と前記電極ユニットとの間に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、を有するプラズマ処理手段を備え、前記プラズマ処理手段により原料ガスをプラズマ処理することによって、基材の所定面にプラズマ処理された前記原料ガスからなる薄膜を形成する成膜装置であって、前記プラズマ処理手段は、前記原料ガス供給手段により基材の所定面と前記電極ユニットとの間に前記原料ガスを供給し、前記電極ユニットにより前記原料ガスをプラズマ処理して基材の所定面に前記薄膜を形成する成膜モードと、前記薄膜の形成は行わず、前記電極ユニットにより基材上の前記薄膜の表面に対してプラズマ処理を行う表面処理モードと、を有している構成とする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
プラズマ雰囲気を形成する電極ユニットと、基材の所定面と前記電極ユニットとの間に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、を有するプラズマ処理手段を備え、
前記プラズマ処理手段により原料ガスをプラズマ処理することによって、基材の所定面にプラズマ処理された前記原料ガスからなる薄膜を形成する成膜装置であって、
前記プラズマ処理手段は、前記原料ガス供給手段により基材の所定面と前記電極ユニットとの間に前記原料ガスを供給し、前記電極ユニットにより前記原料ガスをプラズマ処理して基材の所定面に前記薄膜を形成する成膜モードと、
前記薄膜の形成は行わず、前記電極ユニットにより基材上の前記薄膜の表面に対してプラズマ処理を行う表面処理モードと、を有している成膜装置。
続きを表示（約 430 文字）【請求項２】
前記プラズマ処理手段は、前記成膜モードと前記表面処理モードを交互に行い、基材上に所定の厚さの薄膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
基材を搬送する搬送手段をさらに備え、
前記プラズマ処理手段は、基材の搬送方向に沿って配列される前記電極ユニットを複数有し、
複数の前記電極ユニットは、前記成膜モードを行うための第１の電極ユニットと、前記表面処理モードを行うための第２の電極ユニットに分けられることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
基材を搬送する搬送手段をさらに備え、
前記プラズマ処理手段は、基材の所定面と前記電極ユニットに挟まれる領域である処理領域を、基材の搬送方向において前記成膜モードを行う領域と前記表面処理モードを行う領域に分ける処理領域分割手段を有していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の成膜装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材上に薄膜を形成する成膜装置に関するものである。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ、太陽電池等の電子デバイスは水や酸に弱いため、その表面を封止膜で覆って、耐久性を向上させている。このような封止膜は、プラズマ化学気相成長法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）を用いた成膜装置（たとえば、下記特許文献１）により形成されている。
【０００３】
この成膜装置は、チャンバ内で基材を保持する基材支持部と、プラズマ雰囲気を形成する電極ユニットと、原料ガスを供給する原料ガス供給部と、備え、電極ユニットが基材支持部に支持される基材の所定面と対向する位置に配置され、原料ガス供給部により基材と電極ユニットの間に原料ガスを供給するようになっている。そして、電極ユニットによりプラズマ雰囲気を形成した状態で、原料ガス供給部により原料ガスを供給すると、原料ガスがプラズマ処理されて成膜粒子が形成される。この成膜粒子が基材上に堆積することによって薄膜（封止膜）が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１４－１７３１３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記成膜装置では、基材上に形成される薄膜の膜質が悪くなるおそれがあった。具体的に説明する。上記成膜装置により基材上に薄膜を形成すると、図６（ａ）に示すようにプラズマ処理しきれなかった原料ガス由来の粒子（以下、未処理粒子９２０と呼ぶ）が形成途中の薄膜９１０の表面に残る場合がある。この状態で、薄膜９１０の形成を引き続き行うと、未処理粒子９２０上に成膜粒子を堆積させることになるため、図６（ｂ）に示すように形成された薄膜９１０内に未処理粒子９２０が溜まってしまう。これにより、薄膜の９１０が欠陥を含む、すなわち薄膜９１０の膜質が悪くなるため、基材９００に水が浸入してしまう問題があった。
【０００６】
本発明は上記問題を鑑みてなされたものであり、従来よりも薄膜の膜質の低下を軽減することができる成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明の成膜装置は、プラズマ雰囲気を形成する電極ユニットと、基材の所定面と前記電極ユニットとの間に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、を有するプラズマ処理手段を備え、前記プラズマ処理手段により原料ガスをプラズマ処理することによって、基材の所定面にプラズマ処理された前記原料ガスからなる薄膜を形成する成膜装置であって、前記プラズマ処理手段は、前記原料ガス供給手段により基材の所定面と前記電極ユニットとの間に前記原料ガスを供給し、前記電極ユニットにより前記原料ガスをプラズマ処理して基材の所定面に前記薄膜を形成する成膜モードと、前記薄膜の形成は行わず、前記電極ユニットにより基材上の前記薄膜の表面に対してプラズマ処理を行う表面処理モードと、を有していることを特徴としている。
【０００８】
上記成膜装置によれば、プラズマ処理手段が、原料ガスをプラズマ処理して基材上に薄膜を形成する成膜モードと、薄膜の表面に対してプラズマ処理を行う表面処理モードを有しているため、成膜モードにより基材上に形成した薄膜の表面に原料ガス由来の未処理粒子があったとしても表面処理モードによりプラズマ処理することができる。これにより、未処理粒子が薄膜に含まれることを抑制することができるため、薄膜の膜質の低下を軽減することができる。
【０００９】
また、前記プラズマ処理手段は、前記成膜モードと前記表面処理モードを交互に行い、基材上に所定の厚さの薄膜を形成する構成にしてもよい。
【００１０】
この構成によれば、薄膜の形成と薄膜の表面処理を交互に行うため、形成途中の薄膜Ｆに対して表面処理をこまめに行うことができる。これにより、比較的厚めの薄膜を形成する場合であっても、未処理粒子が薄膜内に溜まることを抑制することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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