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公開番号2025170227
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-18
出願番号2025077052
出願日2025-05-06
発明の名称半導体チップ洗浄方法
出願人佳宸科技股ふん有限公司
代理人フェリシテ弁理士法人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20251111BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】本発明は、半導体チップ洗浄方法について公開する。
【解決手段】本発明は、半導体チップ洗浄方法を提供し、本発明は半導体チップ洗浄方法を提供し、40度以下のプロセス水を使用して穏やかかつ効果的に汚れを除去し、同時にチップへの熱応力損傷と化学反応リスクを低減し、エネルギー消費およびコストを効果的に削減する。本方法には次の工程が含まれる、ステップ一、被洗浄物を配置し、被洗浄物は少なくとも一枚の基板と間隔をあけて配置された複数のチップを含む。ステップ二、少なくとも一つのノズルを設定し、チップ間隙を照準して洗浄を行う。ステップ二では、使用するノズルは流体ノズルであり、洗浄液は40度以下のプロセス水である。ノズルは間隙方向へ傾斜角度を調整できる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
被洗浄物（１０）は、少なくとも一枚の基板（１０１）と、所定の間隔で配置された複数のチップ（１０２）を含み、
被洗浄物（１０）を配置するステップ一（１）と、
少なくとも一つのノズル（３）を設定し、チップ（１０２）の間隙（１０３）を照準して洗浄を行うステップ二（２）と、を含み、
前記ステップ二（２）において、洗浄に使用するノズル（３）は流体ノズルであり、洗浄液（４）は、４０℃以下のプロセス水であり、
前記ノズル（３）は、間隙（１０３）方向へ傾斜角度を調整可能であることを特徴とする半導体チップ洗浄方法。
続きを表示（約 210 文字）【請求項２】
前記ノズル（３）の圧力は、５-１２５ｋｇｆ／ｃｍ
２
である、請求項1記載の半導体チップ洗浄方法。
【請求項３】
前記ノズル（３）の傾斜角度（ａ）は、２０～９０度である、請求項２記載の半導体チップ洗浄方法。
【請求項４】
前記チップ（１０２）は、フラックス（２０）によって前記基板（１０１）上に位置決めされる、請求項３記載の半導体チップ洗浄方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の技術分野に関し、特に４０℃以下のプロセス水を用いて半導体チップを洗浄する半導体チップ洗浄方法に関する。
続きを表示（約 840 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程において、半導体チップの洗浄は重要なステップであり、その目的は主にチップ表面の汚染物を除去することである。これら汚染物は前工程の残渣や製造環境中の塵埃・粒子に由来し得る。洗浄はチップ機能を確保するうえで不可欠であり、微小な汚染でも微細回路に深刻な損傷を与える可能性がある。
【０００３】
従来のチップ洗浄方法は化学溶剤、酸、アルカリあるいは高温水を用いるが、化学溶剤は環境や作業者の健康に悪影響を及ぼし、高温水は熱応力によりチップを損傷させ、エネルギー消費とコストを増大させるという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、これらの問題を克服し、４０℃以下のプロセス水を用いて穏やかかつ効果的に汚れを除去し、チップへの熱応力損傷と化学反応リスクを低減し、エネルギー消費とコストを削減できる半導体チップ洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体チップ洗浄方法は、以下のステップを含む。
【０００６】
ステップ一、被洗浄物を配置する。被洗浄物は少なくとも一枚の基板と複数枚の間隔をあけて配置されたチップを含む。
【０００７】
ステップ二、少なくとも一つのノズルを設定し、チップ間隙を狙って洗浄を行う。
【０００８】
ステップ二において使用するノズルは流体ノズルであり、洗浄液は４０℃以下のプロセス水である。ノズルは間隙方向へ傾斜角度を調整できる。
【０００９】
上記技術手段において、前記ノズル圧力は、５-１２５ｋｇｆ／ｃｍ
２
である。
【００１０】
上記技術手段において、ノズルの傾斜角度は、２０～９０度である。
（【００１１】以降は省略されています）

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