特許ウォッチ

公開番号2025170224
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-18
出願番号2025077049
出願日2025-05-06
発明の名称半導体チップ間隙の洗浄方法
出願人佳宸科技股ふん有限公司
代理人フェリシテ弁理士法人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20251111BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】本発明は、半導体チップ間隙の洗浄方法について公開する。
【解決手段】本発明は、半導体チップ間隙の洗浄方法を提供し、チップ間の各隙間に深く入り込み徹底的に清掃して洗浄効果と効率を向上させ、同時に洗浄時間を短縮することができる。本方法は、フラックスで基板に固定され、切断後に外周四周にエッジパスが形成され、内部にチェッカーボード状の間隔パスが形成された複数のチップの間隙を洗浄するために用いられ、その手順は以下のとおりである、洗浄パスに従って間隙を洗浄する、執行上述ステップ直至所有間隙清浄乾淨。前記洗浄パスの移動は鋸歯状パスを呈し、ステップ一で洗浄を行う際に使用するノズルは流体ノズルである。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
フラックス（１０）が基板（２０）上に固定され、切断後に外周四辺にエッジパス（１２１）が形成され、内部にチェッカーボード状の間隔パス（１２２）が形成された複数のチップ（１２）の間隙（１３）を洗浄する方法であって、
洗浄パス（１１）に従って間隙（１３）を洗浄し、すべての間隙（１３）が清浄になるまで実行するステップ一（１）を含み、
前記洗浄パス（１１）は、パス一（Ａ）、パス二（Ｂ）、パス三（Ｃ）から構成され、
前記パス一（Ａ）は、基板（２０）一側のエッジパス（１２１）を通り全チップ（１２）を経由し、
前記パス二（Ｂ）は、隣接エッジパス（１２１）へ向きを変えチップ（１２）一枚通過後に再度向きを変え、
前記パス三（Ｃ）は、間隔パス（１２２）に入り全チップ（１２）を経由し、
前記パス二（Ｂ）、パス三（Ｃ）を少なくとも一回循環し、基板（２０）他側のエッジパス（１２１）終端に至るまで続行し、
前記洗浄パス（１１）の移動は、鋸歯状パスを呈し
前記ステップ一（１）で使用するノズル（１５）は、流体ノズルであることを特徴とする半導体チップ間隙の洗浄方法。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記ノズル（１５）の圧力は、５-１２５ｋｇｆ／ｃｍ
２
である、請求項１に記載の半導体チップ間隙の洗浄方法。
【請求項３】
前記ノズル（１５）は、前記洗浄パス（１１）方向へ傾斜可能である、請求項２に記載の半導体チップ間隙の洗浄方法。
【請求項４】
前記ノズル（１５）の傾斜角度は、０～４５度である、請求項３に記載の半導体チップ間隙の洗浄方法。
【請求項５】
前記ノズル（１５）は、着脱式であり、交換又は調整が容易である、請求項４に記載の半導体チップ間隙の洗浄方法。
【請求項６】
フラックス（１０）が基板（２０）上に固定され、切断後に外周四辺にエッジパス（１２１）が形成され、内部にチェッカーボード状の間隔パス（１２２）が形成された複数のチップ（１２）の間隙（１３）を洗浄する方法であって、
洗浄パス（１１）に従って間隙（１３）を洗浄するステップ一（１）と、
載置台（１４）を回転させ基板（２０）を駆動するステップ二（２）とを含み、
前記ステップ一（１）及び前記ステップ二（Ｂ）をすべての間隙（１３）が清浄になるまで繰り返し、
前記ステップ１（１）から前記ステップ２（２）までを一清浄フロー（１００）とし、洗浄過程で少なくとも一回ステップ２（２）を実行し、間隙（１３）が清浄になるまで続行し、
前記洗浄パス（１１）は、パス一（Ａ）、パス二（Ｂ）、パス三（Ｃ）から構成され、
前記パス一（Ａ）は、基板（２０）一側のエッジパス（１２１）を通り全チップ（１２）を経由し、
前記パス二（Ｂ）は、隣接エッジパス（１２１）へ向きを変えチップ（１２）一枚通過後に再度向きを変え、
前記パス三（Ｃ）は、間隔パス（１２２）に入り全チップ（１２）を経由し、
前記パス二（Ｂ）、パス三（Ｃ）を少なくとも一回循環し、基板（２０）他側のエッジパス（１２１）終端に至るまで続行し、
前記洗浄パス（１１）の移動は、鋸歯状パスを呈し、
前記ステップ一（１）及び前記ステップ二（２）で使用するノズル（１５）は、流体ノズルであることを特徴とする半導体チップ間隙の洗浄方法。
【請求項７】
前記ノズル（１５）の圧力は、５-１２５ｋｇｆ／ｃｍ
２
である、請求項６に記載の半導体チップ間隙の洗浄方法。
【請求項８】
前記ノズル（１５）は、前記洗浄パス（１１）方向へ傾斜可能であり、
前記ノズル（１５）の傾斜角度は、０～４５度である、請求項７に記載の半導体チップ間隙の洗浄方法。
【請求項９】
前記ノズル（１５）は、着脱式であり、交換又は調整が容易である、請求項８に記載の半導体チップ間隙の洗浄方法。
【請求項１０】
前記ステップ二（２）で載置台（１４）が回転する角度範囲は、９０度である、請求項９に記載の半導体チップ間隙の洗浄方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の技術分野に関し、特にチップ間の各隙間に深く入り込み徹底的に洗浄する半導体チップ間隙の洗浄方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体技術の急速な発展に伴い、チップの小型化と高性能化の要求は絶えず高まっている。その過程でチップ洗浄は極めて重要となる。ごく微小な汚染でもチップ性能に深刻な影響を与える可能性があるためである。従来の半導体チップ洗浄方法は主にライン式洗浄機と回転式洗浄機が用いられてきたが、現代の高密度、高精度チップを扱う際には多くの課題に直面している。
【０００３】
ライン式洗浄機は、大量のチップを処理できるものの、液剤消費量が多く、高精度チップの狭隘隙間を均一かつ深部まで洗浄できない。さらに装置が大型であるため、スペースが限られた生産環境では大きな課題となる。
【０００４】
回転式洗浄機は、遠心力でチップ上の薬液を除去するが、チップの部位によって洗浄効果が不均一であり、特にチップ中心付近では遠心力が弱まり洗浄不足となる。加えて有効洗浄には高速回転が必要で、薬液飛散が増え、洗浄時間が延び消耗品コストも増大する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上を踏まえ、本発明はチップ間の各隙間を徹底的に洗浄し、洗浄効果と効率を高めつつ洗浄時間を短縮する半導体チップ間隙の洗浄方法を提供し、従来技術の高精度チップ洗浄における限界を改善して半導体製造業に高効率かつ包括的な洗浄ソリューションを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の目的を達成するために、技術手段は二種類ある。
【０００７】
第一の技術手段は、半導体チップ間隙の洗浄方法であり、フラックスによって基板に固定され、切断後に外周四辺にエッジパスが形成され、内部にチェッカーボード状の間隔パスが形成された複数のチップ間隙を洗浄するために用いられ、以下のステップを含む：
ステップ一、洗浄パスに従って間隙を洗浄し、上記ステップをすべての間隙が清浄になるまで実行し、
前記洗浄パスはパス一、パス二及びパス三から構成され、
前記パス一は、基板一側のエッジパスを通りすべてのチップを経由し、
前記パス二は、隣接エッジパスへ向きを変えチップ一枚通過後に再び向きを変え、
前記パス三は、間隔パスに入りすべてのチップを経由し、
前記パス二とパス三を少なくとも一回循環し、基板反対側のエッジパス終端に至るまで続行し、
前記洗浄パスの移動は鋸歯状パスを示し、前記ステップ一で用いるノズルは、流体ノズルである。
【０００８】
上述技術手段中、前記ノズルの圧力は、５-１２５ｋｇｆ／ｃｍ
２
。
【０００９】
上述技術手段中、前記ノズルは、前記洗浄パス方向へ傾斜可能。
【００１０】
上述技術手段中、前記ノズルの傾斜角度は、０～４５度。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許