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公開番号2025167530
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-07
出願番号2024072268
出願日2024-04-26
発明の名称セラミックス基板及び発光装置、並びに、それらの製造方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H05K 1/09 20060101AFI20251030BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】 Cu層を有するセラミックス基板において、Cu層の腐食を抑制でき、信頼性に優れるセラミックス基板及び発光装置、並びに、それらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本開示の一実施形態に係るセラミックス基板100は、セラミックス板1と、セラミックス板1の上面に配置されるシード層2と、シード層2の上面に配置されるCu層3と、Cu層3の上面及びCu層3の側面に配置される1層又は2層以上の中間層4と、中間層4の上面及び中間層4の側面に配置されるAu層5と、を有し、シード層2の上面と中間層4とが接しており、セラミックス板1の上面とAu層5とは接しておらず、水平方向において、シード層2の上面の縁部2aは、Cu層3の下面の縁部3bよりも外側である。
【選択図】図1A
特許請求の範囲【請求項１】
セラミックス板と、
前記セラミックス板の上面に配置されるシード層と、
前記シード層の上面に配置されるＣｕ層と、
前記Ｃｕ層の上面及び前記Ｃｕ層の側面に配置される１層又は２層以上の中間層と、
前記中間層の上面及び前記中間層の側面に配置されるＡｕ層と、
を有し、
前記シード層の上面と前記中間層の下面とが接しており、
前記セラミックス板の上面と前記Ａｕ層の下面とは接しておらず、
水平方向において、前記シード層の上面の縁部は、前記Ｃｕ層の下面の縁部よりも外側である、セラミックス基板。
続きを表示（約 910 文字）【請求項２】
水平方向において、前記シード層の上面の縁部は、前記Ａｕ層の下面の縁部よりも内側である、請求項１に記載のセラミックス基板。
【請求項３】
前記シード層の側面は、前記Ａｕ層から露出している、請求項１に記載のセラミックス基板。
【請求項４】
前記Ｃｕ層の下面から、前記Ｃｕ層の側面の一部に、前記シード層が連続して配置されており、
前記中間層は、前記Ｃｕ層の側面の一部に配置された前記シード層を覆うように配置される、請求項１に記載のセラミックス基板。
【請求項５】
前記中間層は、Ｎｉ層とＰｄ層と、を含み、
前記Ｎｉ層は、前記Ｃｕ層の上面及び前記Ｃｕ層の側面に配置され、
前記Ｐｄ層は、前記Ｎｉ層の上面及び前記Ｎｉ層の側面に配置され、
前記Ａｕ層は、前記Ｐｄ層の上面及び前記Ｐｄ層の側面に配置される、請求項１に記載のセラミックス基板。
【請求項６】
前記シード層は、Ｔｉ層、Ｃｕ層、Ａｕ層、Ｒｕ層、ＴｉＮｉ層、ＴｉＷ層、ＣｕＮｉ層、及びＮｉＣｒ層からなる群より選択される１種以上である、請求項１に記載のセラミックス基板。
【請求項７】
前記シード層は、０．１μｍ以上２．０μｍ以下の平均厚さを有する、請求項１に記載のセラミックス基板。
【請求項８】
水平方向において、前記シード層の上面の縁部は、前記Ａｕ層の下面の縁部よりも１．０μｍ以上５．０μｍ以下内側に配置される、請求項１に記載のセラミックス基板。
【請求項９】
前記セラミックス基板は、更に前記Ａｕ層と電気的に接続されるパッド部を有する、請求項１に記載のセラミックス基板。
【請求項１０】
前記パッド部は、前記セラミックス板と、
前記セラミックス板の上面に配置される前記シード層と、
前記シード層の上面に配置される前記中間層と、
前記中間層の上面に配置される前記Ａｕ層と、を有する、請求項９に記載のセラミックス基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、セラミックス基板及び発光装置、並びに、それらの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器又は部品の小型化、高機能化、及び集積化のために、マイクロチップ（半導体集積回路）の微細化が求められている。半導体内部の配線をより微細にするために、例えば、フォトリソグラフィー技術が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
フォトリソグラフィー技術を用いる配線の形成方法として、基板上に金属膜を成膜した後、エッチングで金属膜の不要な部分を除去し、所望の形状の配線を形成する方法がある。しかし、この方法では、エッチングを行う際、基板を傷つけることや、導電膜の組成の変化を起こす可能性があり、配線の形成にリフトオフ法が用いられることがあると、記載されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
一方、配線には導電性の高い銅（Ｃｕ）が使用される。しかし、銅は空気中の水分等によって、通常の環境下でも腐食しやすい。そこで、銅の表面に、ニッケル（Ｎｉ）めっき、ロジウム（Ｒｈ）めっき、金（Ａｕ）めっき等のめっき層を形成する方法が知られている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２３－１０８２１３号公報
特開２００３－３４７７０６号公報
特許第４７０６６９０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示は、Ｃｕ層を有するセラミックス基板において、Ｃｕ層の腐食を抑制でき、信頼性に優れるセラミックス基板及び発光装置、並びに、それらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一実施形態に係るセラミックス基板は、セラミックス板と、前記セラミックス板の上面に配置されるシード層と、前記シード層の上面に配置されるＣｕ層と、前記Ｃｕ層の上面及び前記Ｃｕ層の側面に配置される１層又は２層以上の中間層と、前記中間層の上面及び前記中間層の側面に配置されるＡｕ層と、を有し、前記シード層の上面と前記中間層の下面とが接しており、前記セラミックス板の上面と前記Ａｕ層の下面とは接しておらず、水平方向において、前記シード層の上面の縁部は、前記Ｃｕ層の下面の縁部よりも外側である。
【０００８】
また、本開示の一実施形態に係る発光装置は、本開示の一実施形態に係るセラミックス基板と、前記セラミックス基板に配置される発光素子と、を有する。
【０００９】
本開示の一実施形態に係るセラミックス基板の製造方法は、セラミックス板の上面に第１レジスト層を設け、前記第１レジスト層を所定の形状に露光及び現像することと、露光及び現像され、前記第１レジスト層から露出された前記セラミックス板の上面、前記第１レジスト層の側面、及び前記第１レジスト層の上面に、シード層を配置することと、前記シード層の上面の少なくとも一部を覆うように第２レジスト層を設け、前記セラミックス板の上面に配置された前記シード層の上面の少なくとも一部が露出するように、前記第２レジスト層を所定の形状に露光及び現像することと、露光及び現像され、前記第２レジスト層から露出された前記シード層の上面に電解めっきによりＣｕ層を配置することと、前記シード層の一部、前記第１レジスト層、及び前記第２レジスト層を除去することと、前記Ｃｕ層の上面及び前記Ｃｕ層の側面に、１層又は２層以上の中間層を配置することと、前記中間層の上面及び前記中間層の側面にＡｕ層を配置することと、を含む。
【００１０】
本開示の一実施形態に係るセラミックス基板の製造方法は、本開示の一実施形態に係るセラミックス基板を準備することと、前記セラミックス基板に発光素子を配置することと、前記セラミックス基板の上面に反射部材を配置することと、を含み、前記反射部材を配置することにおいて、前記セラミックス基板の前記Ａｕ層及び前記シード層と接するように前記反射部材を配置する。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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