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公開番号
2025140502
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-09-29
出願番号
2024039938
出願日
2024-03-14
発明の名称
樹脂シート、回路基板及びその製造方法、並びに、半導体装置
出願人
味の素株式会社
代理人
弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類
B32B
27/20 20060101AFI20250919BHJP(積層体)
要約
【課題】(A)液状樹脂、(B)活性エステル系樹脂及び(C)無機充填材を含む樹脂組成物層を備えながら、ブリードアウト部の膨れを抑制できる樹脂シートを提供する。
【解決手段】支持体及び当該支持体上に形成された樹脂組成物層を備える樹脂シートであって;樹脂組成物層が、(A)液状樹脂、(B)活性エステル系樹脂及び(C)無機充填材を含み;支持体上の樹脂組成物層に130℃30分及び170℃30分の加熱を施して得られる試験層を、200℃で90分加熱する評価試験を行った場合、前記200℃90分の加熱による試験層の質量減少率が、5.5%以下である、樹脂シート。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
支持体及び当該支持体上に形成された樹脂組成物層を備える樹脂シートであって;
樹脂組成物層が、(A)液状樹脂、(B)活性エステル系樹脂及び(C)無機充填材を含み;
支持体上の樹脂組成物層に130℃30分及び170℃30分の加熱を施して得られる試験層を、200℃で90分加熱する評価試験を行った場合、前記200℃90分の加熱による試験層の質量減少率が、5.5%以下である、樹脂シート。
続きを表示(約 900 文字)
【請求項2】
評価試験が、
樹脂シートとポリイミドフィルムとを、樹脂組成物層及びポリイミドフィルムが接するようにラミネートすること、
樹脂組成物層に130℃30分及び170℃30分の加熱を施し、支持体及びポリイミドフィルムを剥離して、試験層を得ること、及び、
試験層を、200℃で90分加熱すること、
をこの順で含む、請求項1に記載の樹脂シート。
【請求項3】
(A)液状樹脂の量が、樹脂組成物層中の樹脂成分100質量%に対して、1質量%以上25質量%以下である、請求項1に記載の樹脂シート。
【請求項4】
(C)無機充填材の量が、樹脂組成物層中の不揮発成分100質量%に対して、65質量%以上である、請求項1に記載の樹脂シート。
【請求項5】
樹脂組成物層を190℃で90分加熱して得られる硬化物層の25℃から150℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が、20ppm/℃以下未満である、請求項1に記載の樹脂シート。
【請求項6】
樹脂組成物層を190℃で90分加熱して得られる硬化物層の誘電正接が、0.0030未満である、請求項1に記載の樹脂シート。
【請求項7】
樹脂組成物層の最低溶融粘度が、3000poise以下である、請求項1に記載の樹脂シート。
【請求項8】
(A)液状樹脂が、液状硬化性樹脂である、請求項1に記載の樹脂シート。
【請求項9】
請求項1~8のいずれか一項に記載の樹脂シートの樹脂組成物層を硬化した硬化物層を含む、回路基板。
【請求項10】
内層基板と請求項1~8のいずれか一項に記載の樹脂シートとを、内層基板と樹脂組成物層とが接するように、ラミネートする工程と、
樹脂組成物層を硬化させる工程と、を含み;
内層基板と樹脂シートとをラミネートする工程が、樹脂組成物層の一部が内層基板と支持体との間の間隙部から染み出ることを含む、回路基板の製造方法。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、樹脂シート、回路基板及びその製造方法、並びに、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,700 文字)
【背景技術】
【0002】
プリント配線板等の回路基板は、各種電子機器に広く使用されている。回路基板の製造方法としては、内層基板に絶縁層と導体層とを交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。絶縁層は、例えば、樹脂組成物を含む樹脂組成物層を形成し、その樹脂組成物層を硬化させることにより形成される。内層基板上に樹脂組成物層を形成する方法としては、支持体及び樹脂組成物層を備える樹脂シートを内層基板とラミネートする方法が知られている(特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2022-172221号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
内層基板は、部品及び導体層をその表面に備えることがある。ラミネートの際に前記の部品及び導体層を樹脂組成物層で良好に埋め込む観点から、樹脂組成物層に含まれる樹脂組成物はラミネート時に高い流動性を有することが求められる。
【0005】
他方、回路基板の反りを抑制する観点から、絶縁層には低い熱膨張係数を有することが求められる。熱膨張係数を低くするためには、(C)無機充填材を含む樹脂組成物層を用いて絶縁層を形成することが考えられる。しかし、(C)無機充填材は、一般に、樹脂組成物層の流動性を低下させる傾向がある。そこで、(C)無機充填材を含みながら高い流動性を達成する観点から、低粘度の(A)液状樹脂を(C)無機充填材と組み合わせることが考えられる。
【0006】
また、近年の高度な要求に応える観点から、回路基板の絶縁層には誘電正接が低いことが更に求められる。本発明者は、このように低い誘電正接を達成するため、(A)液状樹脂及び(C)無機充填材に更に(B)活性エステル系樹脂を組み合わせることを試みた。
【0007】
ところが、このように(A)液状樹脂、(B)活性エステル系樹脂及び(C)無機充填材を組み合わせて含む樹脂組成物層を備える樹脂シートには、ブリードアウト部の膨れが発生することがありうる旨が判明した。
【0008】
詳細には、下記の通りである。回路基板の製造過程において内層基板と樹脂シートとをラミネートする工程では、樹脂組成物層に熱及び圧力が加えられ、樹脂組成物層が流動化する。よって、内層基板と支持体との間の間隙部から樹脂組成物層の一部が染み出ることがある。このように内層基板と支持体との間の間隙部から染み出た樹脂組成物層又は絶縁層の部分が「ブリードアウト部」と呼ばれる。(A)液状樹脂、(B)活性エステル系樹脂及び(C)無機充填材の組み合わせを採用した場合、この絶縁層のブリードアウト部に膨れが生じることがあった。一般に、絶縁層上には導体層が形成され、その導体層の形成後にアニール処理が行われる。このアニール処理を行うと、絶縁層のブリードアウト部に膨れが生じうる。かかる膨れは、当該膨れが生じた後の工程(例えば、更なる絶縁層及び導体層の形成工程、など)の円滑な実施を妨げるおそれがある。
【0009】
本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、(A)液状樹脂、(B)活性エステル系樹脂及び(C)無機充填材を含む樹脂組成物層を備えながら、ブリードアウト部の膨れを抑制できる樹脂シート;前記樹脂シートの樹脂組成物層を硬化した硬化物層を含む回路基板;前記樹脂シートを用いた回路基板の製造方法;並びに、前記回路基板を含む半導体装置;を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、(A)液状樹脂、(B)活性エステル系樹脂及び(C)無機充填材を含む樹脂組成物層を備える樹脂シートであって、ここで当該樹脂組成物層について特定の評価試験をした際に測定される加熱による質量減少率が特定の範囲にある樹脂シートが、前記の課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記のものを含む。
(【0011】以降は省略されています)
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