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公開番号2025129367
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-04
出願番号2025113884,2021126795
出願日2025-07-04,2021-08-02
発明の名称EUVリソグラフィ用ペリクル
出願人三井化学株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類G03F 1/62 20120101AFI20250828BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】EUVリソグラフィにおいて、例えば500℃以上といった高温になってもペリクル膜の剥離が抑制されたペリクルを提供すること。
【解決手段】開口部を有するフレームと、フレームの一方の端面側に、開口部を覆うように展張支持されたペリクル膜と、ペリクル膜を前記フレームに固定するペリクル膜接着剤層と、を備えたペリクルであって、EUVリソグラフィに用いられ、ペリクル膜接着剤層の線膨張係数が0超え20×10^-6/K以下であることを特徴とするペリクル。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
開口部を有するフレームと、前記フレームの一方面側に、前記開口部を覆うように展張支持されたペリクル膜と、前記ペリクル膜を前記フレームに接着するペリクル膜接着剤層と、を備えたペリクルであって、
前記フレームは、チタン、チタン合金、グラファイト（黒鉛）、カーボンナノチューブ、炭素繊維及びガラス状カーボン炭素材料から成る群より選択される少なくとも１種を含み、
ＥＵＶリソグラフィに用いられ、前記ペリクル膜接着剤層の線膨張係数が０超え２０×１０
-6
／Ｋ以下であることを特徴とするペリクル。
続きを表示（約 760 文字）【請求項２】
前記ペリクル膜接着剤層の線膨張係数が０超え１５×１０
-6
／Ｋ以下である、請求項１に記載のペリクル。
【請求項３】
前記ペリクル膜接着剤層が無機接着剤を含んで構成される、請求項１または２に記載のペリクル。
【請求項４】
前記無機接着剤は、ジルコニア、アルミナ及びシリカから成る群より選択される少なくとも１種の材料を含む、請求項３に記載のペリクル。
【請求項５】
前記フレームと前記ペリクル膜接着剤層との線膨張係数の比率（前記フレームの線膨張係数／前記ペリクル膜接着剤層の線膨張係数）が０．４～２．０である、請求項１～４のいずれか１項に記載のペリクル。
【請求項６】
前記ペリクル膜接着剤層の線膨張係数は、前記フレームの線膨張係数以上である、請求項１～４のいずれか１項に記載のペリクル。
【請求項７】
前記ペリクル膜接着剤層の厚みは０．８ｍｍ～２．５ｍｍである、請求項１～６のいずれか１項に記載のペリクル。
【請求項８】
前記ペリクル膜は、炭素膜を含む、請求項１～７のいずれか１項に記載のペリクル。
【請求項９】
ペリクルにおける、フレーム及びペリクル膜の間に配されるペリクル膜接着剤であって、
前記ペリクル膜接着剤は、ＥＵＶリソグラフィに用いられるペリクルに設けられ、かつ、線膨張係数が０超え２０×１０
-6
／Ｋ以下である、ペリクル膜接着剤。
【請求項１０】
フォトマスクに請求項１～
８
のいずれか１項に記載のペリクルが装着されている、ペリクル付フォトマスク。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶリソグラフィ用ペリクルに関するものである。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
大規模集積回路（ＬＳＩ）、超ＬＳＩ等の半導体デバイスや液晶表示板等の製造工程では、マスク（露光原板、レチクルともいう）を介して感光層等に光を照射することによってパターニングを行う。その際、マスクに異物が付着していると、光が異物に吸収されたり、異物表面で光が反射されて屈曲したりする。その結果、形成されるパターンが変形したり、エッジががさついたりして、パターニング後の寸法、品質、および外観等が損なわれてしまうといった問題が生じる。
【０００３】
このような問題を解消すべく、マスクの表面に、光を透過するペリクル膜を備えるペリクルを装着し、異物の付着を抑制する方法が採用されている。ペリクルは、一般に、フレーム（ペリクル枠）と、フレームの一面側に配された、透明な薄膜であるペリクル膜と、ペリクル膜をフレームに固定するペリクル膜接着剤層と、フレームの他面側（ペリクル枠のペリクル膜とは反対側）に配された、フォトマスクに貼り付けられるためのマスク粘着層と、を有する（例えば、特許文献１）。
【０００４】
リソグラフィに用いる光の波長は短波長化が進み、次世代のリソグラフィ技術としてはＥＵＶ（ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を用いることが検討されている。ＥＵＶ光は、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長の光を指し、具体的には１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
【０００５】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすい。ペリクル膜がＥＵＶ光を吸収すると、露光不良の原因となるばかりではなく、ＥＵＶ光のエネルギーによる発熱によりペリクル膜が損傷してしまう場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０１９－１１３８５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
例えば、ＥＵＶ露光では、ペリクル膜が光を吸収し、ペリクル膜の温度が５００℃以上に上昇する。５００℃以上の高温になるＥＵＶ露光環境下では、その際にその熱がペリクル膜接着剤層にも伝わり、ペリクル膜接着剤層の変形や剥がれによりペリクル膜の剥離が起こってしまうという問題があった。
【０００８】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、本発明の目的は、ＥＵＶリソグラフィにおいて、例えば５００℃以上といった高温になってもペリクル膜の剥離が抑制されたペリクルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
［１］
開口部を有するフレームと、前記フレームの一方面側に、前記開口部を覆うように展張支持されたペリクル膜と、前記ペリクル膜を前記フレームに接着するペリクル膜接着剤層と、を備えたペリクルであって、
ＥＵＶリソグラフィに用いられ、前記ペリクル膜接着剤層の線膨張係数が０超え２０×１０
-6
／Ｋ以下であることを特徴とするペリクル。
［２］
前記ペリクル膜接着剤層の線膨張係数が０超え１５×１０
-6
／Ｋ以下である、［１］に記載のペリクル。
［３］
前記ペリクル膜接着剤層が無機接着剤を含んで構成される、［１］または［２］に記載のペリクル。
［４］
前記無機接着剤は、ジルコニア、アルミナ及びシリカから成る群より選択される少なくとも１種の材料を含む、［３］に記載のペリクル。
［５］
前記フレームと前記ペリクル膜接着剤層との線膨張係数の比率（前記フレームの線膨張係数／前記ペリクル膜接着剤層の線膨張係数）が０．４～２．０である、［１］～［４］のいずれかに記載のペリクル。
［６］
前記ペリクル膜接着剤層の線膨張係数は、前記フレームの線膨張係数以上である、［１］～［４］のいずれかに記載のペリクル。
［７］
前記ペリクル膜接着剤層の厚みは０．８ｍｍ～２．５ｍｍである、［１］～［６］のいずれかに記載のペリクル。
［８］
前記ペリクル膜は、炭素膜を含む、［１］～［７］のいずれかに記載のペリクル。
［９］
前記フレームは、チタン、チタン合金及び炭素材料から成る群より選択される少なくとも１種を含む、［１］～［８］のいずれかに記載のペリクル。
［１０］
ペリクルにおける、フレーム及びペリクル膜の間に配されるペリクル膜接着剤であって、
前記ペリクル膜接着剤は、ＥＵＶリソグラフィに用いられるペリクルに設けられ、かつ、線膨張係数が０超え２０×１０
-6
／Ｋ以下である、ペリクル膜接着剤。
［１１］
フォトマスクに［１］～［９］のいずれかに記載のペリクルが装着されている、ペリクル付フォトマスク。
［１２］
［１１］に記載のペリクル付フォトマスクによって露光する工程を有する、半導体デバイスの製造方法。
［１３］
［１１］に記載のペリクル付フォトマスクによって露光する工程を有する、液晶表示板の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、例えば５００℃以上といった高温になってもペリクル膜の剥離が抑制されたペリクルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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