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公開番号2025056517
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-08
出願番号2023166043
出願日2023-09-27
発明の名称バイアス回路
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人太陽国際特許事務所
主分類G05F 3/24 20060101AFI20250401BHJP(制御;調整)
要約【課題】バイアス電圧を出力する回路に静電容量素子を有するバイアス回路において、静電容量素子の充電が完了する前にスタートアップ回路による電流の供給が停止する可能性を抑制する。
【解決手段】バイアス回路10は、高電位側ノードVDDと接続された第一カレントミラー回路22、並びに第二カレントミラー回路24、を有しバイアス電圧が出力されるバイアス電圧出力部20と、スタートアップ回路部30と、抵抗R1、トランジスタN5、コンデンサC1、スタートアップ回路部30が電流の供給を停止した場合に断路状態から接続状態に変化する第一スイッチSW1並びに、第四ノードV4及び第三ノードV3に接続され、スタートアップ回路部30が電流の供給を停止した場合に接続状態から断路状態に変化する第二スイッチSW2、を有するチャージ回路部40と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
高電位側ノードから第一ノード及び第二ノードにそれぞれ電流を供給する第一カレントミラー回路であって、前記第一ノードが制御電極と接続された第一カレントミラー回路、並びに、前記第一ノード及び前記第二ノードのそれぞれから低電位側ノードに電流を供給する第二カレントミラー回路であって、前記第二ノードが制御電極に接続された第二カレントミラー回路、を有し、前記高電位側ノード及び前記第一ノードの組合せ又は前記第二ノード及び前記低電位側ノードの組合せによりバイアス電圧が出力されるバイアス電圧出力部と、
高電位側ノードと前記第二ノードとに接続され、前記高電位側ノードから前記第二ノードへ電流を供給し、前記高電位側ノードの電位が予め定められた閾値を超えた場合に前記高電位側ノードから前記第二ノードへの電流の供給を停止するスタートアップ回路部と、
前記高電位側ノード及び第三ノードとの間に前記高電位側ノード及び前記第一ノードとに相当する電位差を作る受動素子、制御電極が前記第一ノードに接続されると共に、他の電極が前記第三ノード及び前記低電位側ノードに接続された第一トランジスタ、前記高電位側ノード又は前記低電位側ノードのうち、前記バイアス電圧を出力する一方のノード及び第四ノードに接続された第一静電容量素子、前記第四ノード及び前記一方のノードと組合う他方のノードに接続され、前記スタートアップ回路部が電流の供給を停止した場合に断路状態から接続状態に変化する第一スイッチ、並びに、前記第四ノード及び前記第三ノードに接続され、前記スタートアップ回路部が電流の供給を停止した場合に接続状態から断路状態に変化する第二スイッチ、を有するチャージ回路部と、
を備える、バイアス回路。
続きを表示（約 780 文字）【請求項２】
前記スタートアップ回路部は、制御電極が前記第一ノードに接続されるとともに他の電極が前記高電位側ノード及び第五ノードに接続された第二トランジスタ、前記第五ノード及び前記低電位側ノードに接続された第二静電容量素子と、前記低電位側ノードと前記第五ノードとの間の電位差が予め定められた閾値を超えた場合に動作して、前記高電位側ノード及び前記第五ノードを接続するインバータ回路並びに、制御電極が前記第五ノードに接続されるとともに他の電極が前記高電位側ノード及び前記第二ノードに接続され、前記インバータ回路が動作した場合に前記高電位側ノード及び前記第二ノードの接続を遮断する第三トランジスタ、を有する、
請求項１に記載のバイアス回路。
【請求項３】
前記第二静電容量素子は、制御電極が前記第五ノードに接続されると共に他の電極が前記低電位側ノードに接続される第四トランジスタである、
請求項２に記載のバイアス回路。
【請求項４】
前記第一トランジスタと前記第五ノードとの間に接続されると共に、制御電極が前記第五ノードに接続される第五トランジスタを有する、
請求項２又は請求項３に記載のバイアス回路。
【請求項５】
前記第三ノードにおける前記受動素子と前記第一トランジスタとの間に接続され、前記スタートアップ回路部が電流の供給を停止した場合に、前記第三ノードにおける前記受動素子と前記第一トランジスタとの間を遮断する第三スイッチを備える、
請求項１に記載のバイアス回路。
【請求項６】
前記受動素子は、前記高電位側ノードと前記第三ノードとに接続されるとともに、制御電極が前記第三ノードに接続された第六トランジスタである、
請求項１に記載のバイアス回路。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、バイアス回路に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１には、第２の電圧が供給される制御電極、ノードと接続された第１の電極、及び第２の電圧供給用ノードの電位に基づいた電流が流入する第４のノードと接続された第２の電極を備えると共に、第１の電極と第２の電極との間に所定量の電流を通電させるために制御電極に供給される電圧の大きさを表す閾値を所定値としたトランジスタ、ノードと接続された制御電極、第１の電圧が供給される第１の電極、及びノードと接続された第２の電極を備えると共に、閾値を所定値より小さくしたトランジスタを備える半導体集積回路が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００９－１４０２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、バイアス電圧を出力する回路に静電容量素子を有するバイアス回路において、静電容量素子の充電が完了する前にスタートアップ回路による電流の供給が停止する可能性を抑制する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示のバイアス回路は、高電位側ノードから第一ノード及び第二ノードにそれぞれ電流を供給する第一カレントミラー回路であって、前記第一ノードが制御電極と接続された第一カレントミラー回路、並びに、前記第一ノード及び前記第二ノードのそれぞれから低電位側ノードに電流を供給する第二カレントミラー回路であって、前記第二ノードが制御電極に接続された第二カレントミラー回路、を有し、前記高電位側ノード及び前記第一ノードの組合せ又は前記第二ノード及び前記低電位側ノードの組合せによりバイアス電圧が出力されるバイアス電圧出力部と、高電位側ノードと前記第二ノードとに接続され、前記高電位側ノードから前記第二ノードへ電流を供給し、前記高電位側ノードの電位が予め定められた閾値を超えた場合に前記高電位側ノードから前記第二ノードへの電流の供給を停止するスタートアップ回路部と、前記高電位側ノード及び第三ノードとの間に前記高電位側ノード及び前記第一ノードとに相当する電位差を作る受動素子、制御電極が前記第一ノードに接続されると共に、他の電極が前記第三ノード及び前記低電位側ノードに接続された第一トランジスタ、前記高電位側ノード又は前記低電位側ノードのうち、前記バイアス電圧を出力する一方のノード及び第四ノードに接続された第一静電容量素子、前記第四ノード及び前記一方のノードと組合う他方のノードに接続され、前記スタートアップ回路部が電流の供給を停止した場合に断路状態から接続状態に変化する第一スイッチ、並びに、前記第四ノード及び前記第三ノードに接続され、前記スタートアップ回路部が電流の供給を停止した場合に接続状態から断路状態に変化する第二スイッチ、を有するチャージ回路部と、を備える。
【０００６】
このバイアス回路は、スタートアップ回路が第二ノードへ電流を供給する最中に、第一静電容量素子が、高電位側ノード又は低電位側ノードのうち、バイアス電圧を出力する一方のノードと、第四ノードに接続されている。このため、第一静電容量素子は、スタートアップ回路の動作中にバイアス電圧出力部と切断されているため、バイアス電圧出力部の影響を受けずに充電することが可能となる。したがって、このバイアス回路によれば、第一静電容量素子の両電極がバイアス電圧出力組合せを構成するノードの組合せの両電極に接続されている場合と比べて、第一静電容量素子の充電が完了する前にスタートアップ回路による高電位側ノードから第二ノードへの電流の供給が停止する可能性が抑制される。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、バイアス電圧を出力する回路に静電容量素子を有するバイアス回路において、静電容量素子の充電が完了する前にスタートアップ回路による電流の供給が停止する可能性を抑制したバイアス回路が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第一実施形態に係るバイアス回路を説明する図である。
第一実施形態に係るバイアス回路におけるタイムチャートである。
比較例に係るバイアス回路を説明する図である。
比較例に係るバイアス回路におけるタイムチャートである。
第二実施形態に係るバイアス回路を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において、同一又は等価な構成要素及び部品には同一の参照符号を付与している。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。
【００１０】
また、以下の本開示の説明において、「トランジスタ」とは、いずれも電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である。すなわち、以下の説明において、「ゲート」とは、本開示における制御電極を指す。
（【００１１】以降は省略されています）

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