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公開番号2025047164
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-03
出願番号2023155496
出願日2023-09-21
発明の名称基板処理システムと、保護層の形成及び除去方法
出願人株式会社荏原製作所
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/02 20060101AFI20250326BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】
本開示は、基板の金属領域を酸化から保護できるような基板処理システムと保護層の形成及び除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本開示に係る保護層の形成及び除去方法は、保護層の形成及び除去方法であって、薬液を使用して、基板の表面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜に紫外光を照射することによって前記保護膜を除去する工程と、を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板処理システムであって、
薬液を使用して、基板の表面に保護膜を形成するための保護膜形成装置と、
前記保護膜に紫外光を照射することによって前記保護膜を除去するための保護膜除去装置と、
を備える、基板処理システム。
続きを表示（約 1,800 文字）【請求項２】
請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記薬液は、分子接合剤、レジスト又は樹脂を含む、
基板処理システム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板処理システムであって、
前記基板を研磨するための研磨装置と、
制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、前記研磨装置の研磨の終了時から、前記保護膜形成装置の前記保護膜の形成の開始時までの時間が、３０分以内となるように、前記研磨装置及び前記保護膜形成装置を制御する、
基板処理システム。
【請求項４】
請求項２に記載の基板処理システムであって、
前記保護膜形成装置は、前記分子接合剤を使用して、前記基板の前記表面に前記保護膜を形成するように構成されていて、
前記基板処理システムは、
制御装置と、
前記基板の前記表面の形状を計測するための計測装置と、をさらに備え、
前記制御装置は、前記保護膜形成装置が前記保護膜を形成した後に前記計測装置が前記基板の前記表面の形状を計測するように、前記保護膜形成装置及び前記計測装置を制御するように構成されている、
基板処理システム。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理システムであって、
前記制御装置は、前記基板の前記表面の金属領域が周囲の二酸化ケイ素に対し平坦又は凸状になるように、前記表面の前記形状の計測結果に基づいて、前記保護膜除去装置が照射する前記紫外光の強さ、前記紫外光が照射される位置及び照射時間の少なくとも１つを制御するように構成されている、
基板処理システム。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の基板処理システムであって、
前記保護膜除去装置は、
前記基板を保持し、移動させるためのステージと、
前記ステージに保持されている前記基板の前記表面の一部又は全部の領域に対し、前記紫外光を照射するためのヘッドと、
を有し、
前記紫外光はエキシマ光である、
基板処理システム。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の基板処理システムであって、
前記保護膜形成装置は前記基板に前記薬液を塗布するための塗布装置を備え、
前記塗布装置は、
前記基板を回転可能に保持するテーブルと、
前記基板に向かって前記薬液を供給する薬液ノズルと、
を有する、
基板処理システム。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理システムであって、
前記塗布装置は、
前記基板に向かって純水を噴射する純水ノズルと、
前記基板に向かってＩＰＡガスを噴射するガスノズルと、
前記純水ノズル、前記ガスノズル及び前記薬液ノズルが設けられ、前記純水ノズル、前記ガスノズル及び前記薬液ノズルを前記基板の上方で一体に移動させるためのアームと、
を有し、
前記純水ノズル、前記ガスノズル及び前記薬液ノズルは、この順に並ぶように構成されている、
基板処理システム。
【請求項９】
請求項１又は２に記載の基板処理システムであって、
バックグラインド装置を備え、
前記バックグラインド装置は、
前記基板を保持するように構成された研削テーブルと、
前記保護膜が形成された前記基板の裏面を研削するための研削ヘッドと、
を有する、
基板処理システム。
【請求項１０】
請求項３に記載の基板処理システムにおいて、
２つの前記基板を接合させるための接合装置をさらに備え、
前記接合装置は、
前記基板のうちの１つである第１基板を把持するための上部チャックと、
前記基板のうちの別の１つである第２基板を把持するための下部チャックと、
前記上部チャックが把持する前記第１基板及び前記チャックが把持する前記第２基板を撮影するためのカメラと、
前記上部チャック及び前記下部チャックのうち少なくとも一方を移動させるための移動装置と、
を備える、
基板処理システム。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理システムと、保護層の形成及び除去方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
エレクトロニクスの分野では、半導体の基板を接合する技術が用いられている。例えば、複数のウェハを積層するＷａｆｅｒｏｎＷａｆｅｒ（ＷｏＷ）として、特許文献１には、このような半導体の基板を接合する技術が開示されている。
【０００３】
特許文献１が開示する金属領域を有する接合面を含む基板同士を接合する方法は、金属領域を有する接合面を研磨するステップと、研磨された接合面に対し表面活性化処理を行い、かつ親水化処理を行うステップと、基板の接合面同士を貼り合わせて基板接合体を形成するステップと、基板接合体を加熱して金属を固相拡散するステップと、を含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第６４２５３１７号公報
ＵＳ２０２２／０１３９８６９Ａ１
特開２０００－３４０５３９号公報
特開２００９－２３９２８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、特許文献１の基板の接合方法は、研磨工程（研磨するステップ）と、接合工程（表面活性化処理を行いかつ親水化処理を行うステップから金属を固相拡散するステップ）とを有している。基板の接合が行われる際には、必要に応じて、研磨工程後の基板を一時的に保管する場合がある。このような場合に、研磨工程から接合工程までの間の時間が長いと、金属領域が空気中の酸素と反応し、金属領域の表面に酸化膜が形成される虞がある。そして、金属領域の表面に酸化膜が形成された場合、接合される２枚の基板の間の金属領域同士の接続で接触不良等の不具合が生じ得る。この理由から、研磨工程後の金属領域の表面を酸化から保護できるような装置や方法が求められている。
【０００６】
そこで、本開示は、基板の表面を保護できるような基板処理システムと保護層の形成及び除去方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示に係る基板処理システムは、基板処理システムであって、薬液を使用して、基板の表面に保護膜を形成するための保護膜形成装置と、前記保護膜に紫外光を照射することによって前記保護膜を除去するための保護膜除去装置と、を備える。
【０００８】
本開示に係る保護層の形成及び除去方法は、保護層の形成及び除去方法であって、薬液を使用して、基板の表面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜に紫外光を照射することによって前記保護膜を除去する工程と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、本開示の実施形態に係る基板処理システムの全体構成を示す平面図である。
図２は、図１に示されている研磨装置を模式的に示す斜視図である。
図３は、図１に示されている洗浄装置を模式的に示す斜視図である。
図４Ａは、図１に示されている塗布装置の概略構成を示す図である。
図４Ｂは、図４ＡのＡ－Ａ断面図である。
図５Ａは、図４Ａの塗布装置とは別の塗布装置の概略構成を示す図である。
図５Ｂは、図５ＡのＡ－Ａ断面図である。
図６は、図１に示されているベイク装置の概略構成を示す図である。
図７は、図１に示されているバックグラインド装置の概略構成を示す図である。
図８は、図１に示されている計測装置の概略構成を示す図である。
図９は、図１に示されている保護膜除去装置の概略構成を示す図である。
図１０Ａは、研磨装置によって研磨された後の基板の断面を示す断面図である。
図１０Ｂは、周囲の二酸化ケイ素に対し平坦な金属領域を有する基板の断面図である。
図１０Ｃは、周囲の二酸化ケイ素に対し凸状の金属領域を有する基板の断面図である。
図１１は、図１に示されている接合装置の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
（【００１１】以降は省略されています）

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