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公開番号2025038644
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-19
出願番号2023145380
出願日2023-09-07
発明の名称基板の製造方法
出願人日本電気硝子株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H05H 1/46 20060101AFI20250312BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】プラズマを確実に着火させつつ、着火後のプラズマ密度を高め、安定したプラズマ処理工程を実現する。
【解決手段】真空容器2内に設けられた処理エリア6でプラズマを発生させることにより、基板Gにプラズマ処理を行うプラズマ処理工程を備える基板の製造方法であって、プラズマ処理工程は、プラズマを発生させるためのアンテナ29にRF電力を供給し、処理エリア6でプラズマを着火させる着火工程と、着火工程の後に、アンテナ29にRF電力を供給し、プラズマにより基板Gにプラズマ処理を行う実行工程とを含む。アンテナ29の一端は、RF電力を供給するRF電源31に接続され、アンテナ29の他端は静電容量が可変のコンデンサ部41を介して接地されている。着火工程におけるコンデンサ部41の静電容量は、実行工程におけるコンデンサ部41の静電容量よりも大きい。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
真空容器内に設けられた処理エリアでプラズマを発生させることにより、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理工程を備える基板の製造方法であって、
前記プラズマ処理工程は、前記プラズマを発生させるためのアンテナにＲＦ電力を供給し、前記処理エリアで前記プラズマを着火させる着火工程と、
前記着火工程の後に、前記アンテナに前記ＲＦ電力を供給し、前記プラズマにより前記基板にプラズマ処理を行う実行工程とを含み、
前記アンテナの一端は前記ＲＦ電力を供給するＲＦ電源に接続され、前記アンテナの他端は静電容量が可変のコンデンサ部を介して接地されており、
前記着火工程における前記コンデンサ部の静電容量が、前記実行工程における前記コンデンサ部の静電容量よりも大きいことを特徴とする基板の製造方法。
続きを表示（約 690 文字）【請求項２】
前記アンテナのインダクタンスをＬ［Ｈ］、前記実行工程における前記コンデンサ部の静電容量をＣ［Ｆ］、前記ＲＦ電源の周波数をｆ［Ｈｚ］とした場合に、
Ｃ＝ａ×１／（２π
２
ｆ
２
Ｌ）（ただし、０．７≦ａ≦１．４）
なる関係が成立する請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記着火工程における前記コンデンサ部の静電容量が、前記実行工程における前記コンデンサ部の静電容量の１．５～１０倍である請求項１又は２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記プラズマ処理工程は、前記着火工程の後に、前記アンテナに前記ＲＦ電力を印加し、前記プラズマにより前記処理エリアをクリーニングするクリーニング工程をさらに備え、
前記クリーニング工程における前記コンデンサ部の静電容量が、前記実行工程における前記コンデンサ部の静電容量よりも小さい請求項１又は２に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記クリーニング工程における前記コンデンサ部の静電容量が、前記実行工程における前記コンデンサ部の静電容量の０．４～０．６倍である請求項４に記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記処理エリアとは異なる位置で前記真空容器内に設けられた成膜エリアで、前記基板に薄膜を形成する成膜工程と、前記処理エリアと前記成膜エリアとの間で前記基板を移動させる移動工程とをさらに備え、
前記成膜工程の後に、前記クリーニング工程を行う請求項４に記載の基板の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
ガラス基板などの基板の製造方法として、真空容器内でプラズマを発生させ、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理工程を備えるものがある。プレズマ処理には、例えば、基板上への薄膜の形成、基板又は薄膜の表面改質やエッチングなどが含まれる。
【０００３】
プラズマ処理工程では、高周波電波（ＲＦ電波）を発射するアンテナを使用し、誘導結合型プラズマを発生させる場合がある。この場合、アンテナには、プラズマを発生させるために高周波電力（ＲＦ電力）が供給される。
【０００４】
具体的には、アンテナの一端はＲＦ電力を供給する高周波電源（ＲＦ電源）に接続される。アンテナの他端は直接接地されたり（例えば特許文献１）、固定コンデンサを介して接地されたりする（例えば特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
国際公開２００４／１０８９７９号
特開平１１－６１４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示されているように、アンテナの他端を直接接地する場合、プラズマを着火させやすいという利点はあるが、着火後のプラズマ密度が低く、安定したプラズマ処理が難しいという欠点がある。
【０００７】
一方、特許文献２に開示されているように、アンテナの他端を固定コンデンサを介して接地する場合、着火後のプラズマ密度が高く、安定したプラズマ処理が実現できるという利点はあるが、プラズマを着火させにくいという欠点がある。
【０００８】
本発明は、プラズマを確実に着火させつつ、着火後のプラズマ密度を高め、安定したプラズマ処理を実現することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）上記の課題を解決するために創案された本発明は、真空容器内に設けられた処理エリアでプラズマを発生させることにより、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理工程を備える基板の製造方法であって、プラズマ処理工程は、プラズマを発生させるためのアンテナにＲＦ電力を供給し、処理エリアでプラズマを着火させる着火工程と、着火工程の後に、アンテナにＲＦ電力を供給し、プラズマにより基板にプラズマ処理を行う実行工程とを含み、アンテナの一端はＲＦ電力を供給するＲＦ電源に接続され、アンテナの他端は静電容量が可変のコンデンサ部を介して接地されており、着火工程におけるコンデンサ部の静電容量が、実行工程におけるコンデンサ部の静電容量よりも大きいことを特徴とする。
【００１０】
このようにすれば、コンデンサ部の静電容量が可変であり、着火工程におけるコンデンサ部の静電容量が、実行工程におけるコンデンサ部の静電容量よりも大きくなる。そのため、プラズマを確実に着火させること、及び、着火後のプラズマ密度を高めて安定したプラズマ処理を実現することを両立できる。
（【００１１】以降は省略されています）

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