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公開番号2025037448
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-18
出願番号2023144388
出願日2023-09-06
発明の名称半導体装置
出願人新光電気工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20250311BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の信号伝送損失を低減する。
【解決手段】配線基板10は、第1信号パッド141aと、一対の第1グランドパッド142aを備え、半導体素子20は、第2信号パッド221aと、一対の第2グランドパッド222aを備え、第2信号パッド221aに形成された第1バンプ301は、第1接合部401を介して第1信号パッド141aと電気的に接続され、各第2グランドパッド222aには、第2バンプ302a及び第2バンプ302aよりも第2信号パッド221a側に配置された第3バンプ302bが形成される。第2バンプ302aは、第2接合部402を介して第1グランドパッド142aと電気的に接続される。第2接合部402の一部は、第1グランドパッド142aよりも第1信号パッド141a側に位置し、第1信号パッド141aと第2接合部402との間隔は、第1信号パッド141aと第1グランドパッド142aとの間隔よりも狭い。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板上に搭載された半導体素子と、を有し、
前記配線基板は、前記半導体素子と対向する側に、
第１信号パッドと、
前記第１信号パッドと離隔し、平面視で、前記第１信号パッドを挟んで互いに対向して配置された、一対の第１グランドパッドと、を備え、
前記半導体素子は、前記配線基板と対向する側に、
第２信号パッドと、
前記第２信号パッドと離隔し、底面視で、前記第２信号パッドを挟んで互いに対向して配置された、一対の第２グランドパッドと、を備え、
前記第２信号パッドには第１バンプが形成され、前記第１バンプは第１接合部を介して前記第１信号パッドと電気的に接続され、
各々の前記第２グランドパッドには第２バンプ、及び前記第２バンプよりも前記第２信号パッド側に配置された第３バンプが形成され、少なくとも前記第２バンプは第２接合部を介して各々の前記第１グランドパッドと電気的に接続され、
前記第２接合部の一部は、前記第１グランドパッドよりも前記第１信号パッド側に位置し、
平面視で、前記第１信号パッドと前記第２接合部との間隔は、前記第１信号パッドと前記第１グランドパッドとの間隔よりも狭い、半導体装置。
続きを表示（約 610 文字）【請求項２】
前記第２バンプ及び前記第３バンプは、円柱状であり、
前記第３バンプの直径は、前記第２バンプの直径よりも小さい、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１バンプ、前記第２バンプ、及び前記第３バンプは、円柱状であり、
前記第１バンプ、前記第２バンプ、及び前記第３バンプの直径は、等しい、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１バンプ、前記第２バンプ、及び前記第３バンプは、前記半導体素子の側に位置する幅広部と、前記幅広部から前記配線基板の側に向かって突起する幅狭部と、を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２接合部は、前記第２バンプに接続された第１部分と、前記第３バンプに接続された第２部分と、を含み、
前記第１部分と前記第２部分とは、互いに離隔する、請求項１乃至４の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３バンプは、平面視で、前記第１グランドパッド上から前記第１信号パッド側に一部又は全部がはみ出している、請求項１乃至４の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
平面視で、前記第２信号パッドと前記第２グランドパッドとの間隔は、前記第１信号パッドと前記第１グランドパッドとの間隔よりも狭い、請求項１乃至４の何れか一項に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、ミリ波等の高周波を扱う半導体装置が知られている。このような半導体装置では、例えば、配線パターンが形成された配線基板上に、半導体素子が搭載されている。配線パターンと半導体素子とは、例えば、バンプを介して電気的に接続されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００１－２３０３４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような高周波を扱う半導体装置では、配線基板において信号の伝送損失が生じ難いように配線パターンを配置することが好ましい。
【０００５】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、信号の伝送損失を低減可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本半導体装置は、配線基板と、前記配線基板上に搭載された半導体素子と、を有し、前記配線基板は、前記半導体素子と対向する側に、第１信号パッドと、前記第１信号パッドと離隔し、平面視で、前記第１信号パッドを挟んで互いに対向して配置された、一対の第１グランドパッドと、を備え、前記半導体素子は、前記配線基板と対向する側に、第２信号パッドと、前記第２信号パッドと離隔し、底面視で、前記第２信号パッドを挟んで互いに対向して配置された、一対の第２グランドパッドと、を備え、前記第２信号パッドには第１バンプが形成され、前記第１バンプは第１接合部を介して前記第１信号パッドと電気的に接続され、各々の前記第２グランドパッドには第２バンプ、及び前記第２バンプよりも前記第２信号パッド側に配置された第３バンプが形成され、少なくとも前記第２バンプは第２接合部を介して各々の前記第１グランドパッドと電気的に接続され、前記第２接合部の一部は、前記第１グランドパッドよりも前記第１信号パッド側に位置し、平面視で、前記第１信号パッドと前記第２接合部との間隔は、前記第１信号パッドと前記第１グランドパッドとの間隔よりも狭い。
【発明の効果】
【０００７】
開示の技術によれば、信号の伝送損失を低減可能な半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１実施形態に係る半導体装置を例示する図である。
比較例に係る半導体装置を例示する断面図である。
第１実施形態の変形例１に係る半導体装置を例示する図である。
第１実施形態の変形例２に係る半導体装置を例示する断面図である。
第１実施形態の変形例３に係る半導体装置を例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１０】
〈第１実施形態〉
図１は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する図である。図１（ａ）は、断面図である。図１（ｂ）は、半導体素子２０の配線基板１０と対向する側を示す底面図であり、主に配線層２２を図示している。図１（ｃ）は、配線基板１０の半導体素子２０と対向する側を示す平面図であり、主に配線層１４を図示している。
（【００１１】以降は省略されています）

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