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公開番号2025032927
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-12
出願番号2023138456
出願日2023-08-28
発明の名称表示装置
出願人Tianma Japan株式会社
代理人藤央弁理士法人
主分類G09G 3/3233 20160101AFI20250305BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】発光素子の輝度劣化を測定する。
【解決手段】画素回路は、発光素子と、上記発光素子に電流を流すための電源電圧を与える電源線と、画像表示における上記発光素子への発光電流量を制御する駆動トランジスタと、上記発光素子の一端に接続されたゲートと、上記センス線にソース電圧を与え、センス回路の一部を構成する、センストランジスタとを含む。上記駆動トランジスタは、上記発光素子の一端の電圧の測定のため、上記電源線から上記発光素子へのセンス電流を制御する。上記センストランジスタは、上記発光素子に前記センス電流が与えられている状態におけるソース電圧を上記センス線に与える。上記測定回路は、上記センス線の出力に基づいて上記発光素子の電圧を決定する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
表示装置であって、
基板上の複数の画素回路と、
前記基板上のセンス線と、
測定回路と、
を含み、
前記複数の画素回路の各画素回路は、
発光素子と、
前記発光素子に電流を流すための電源電圧を与える第１電源線と、
前記発光素子への発光電流量を制御する駆動トランジスタと、
前記発光素子の一端にゲート電極が接続されたセンストランジスタと、
前記センストランジスタのドレイン電極に接続された第２電源線と、
前記センストランジスタのソース電極と前記センス線の間に接続された第１スイッチトランジスタと、
を含み、
前記センストランジスタ、前記第１スイッチトランジスタ、前記センス線、及び前記第２電源線は、センス回路に含まれ、
前記駆動トランジスタは、前記発光素子の一端の電圧の測定のため、前記第１電源線から前記発光素子へのセンス電流を制御し、
前記センストランジスタは、前記発光素子に前記センス電流が与えられている状態におけるソース電圧を前記センス線に与え、
前記測定回路は、前記センス線の出力に基づいて前記発光素子の電圧を決定する、
表示装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記測定回路は、
前記センス回路の入出力ゲインの情報を保持し、
前記入出力ゲインの情報に基づいて前記センス線の出力を補正する、
表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の表示装置であって、
さらに、相関２重サンプリング回路を含み、
前記相関２重サンプリング回路は、
前記発光素子の一端に参照電圧が与えられている状態で前記センス線を介して参照信号を取り込み、
前記センス電流が前記発光素子に与えられている状態において前記センス線を介して未知信号を取り込み、
前記参照信号と前記未知信号との差分信号を出力し、
前記測定回路は、前記相関２重サンプリング回路からの出力に基づいて前記発光素子の電圧を決定する、
表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の表示装置であって、
前記相関２重サンプリング回路は前記基板上に配置されている、
表示装置。
【請求項５】
請求項３に記載の表示装置であって、
前記画素回路は、画像表示において前記発光素子の一端にリセット電圧を供給する第２スイッチトランジスタを含み、
前記リセット電圧を前記参照電圧として利用する、
表示装置。
【請求項６】
請求項３に記載の表示装置であって、
前記画素回路は、画像表示のためにＯＮ／ＯＦＦされるトランジスタの制御タイミングと同一の制御タイミングで、前記発光素子の測定のために前記トランジスタを制御する、
表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記基板上の、前記センス線を含む複数のセンス線を含み、
前記複数の画素回路は、複数の画素回路列を構成し、
前記複数の画素回路列の各画素回路列は、二つの画素回路群に分割され、
前記二つの画素回路群は、それぞれ、連続する画素回路で構成されており、
前記二つの画素回路群は、異なるセンス線に接続されている、
表示装置。
【請求項８】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記基板上の、前記センス線を含む複数のセンス線を含み、
前記複数の画素回路は、複数の画素回路列を構成し、
前記複数の画素回路列の各画素回路列は二つの画素回路群に分割され、
前記二つの画素回路群の一方は奇数番目の画素回路で構成され、前記二つの画素回路群の他方は偶数番目の画素回路で構成され、
前記二つの画素回路群は、異なるセンス線に接続されている、
表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置に関し、特に、発光素子の輝度劣化の測定に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔ－ＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）素子は電流駆動型の自発光素子であるため、バックライトが不要となる上に、低消費電力、高視野角、高コントラスト比が得られるなどのメリットがあり、フラットパネルディスプレイの開発において期待されている。
【０００３】
ＯＬＥＤ素子のような発光素子においては、点灯寿命にかかわる不可逆的な特性変化が起きる。具体的には、定型表示の痕跡が定常的に見えてしまう、焼き付き又は残像といった問題が起きる。これを解消、軽減する方法の一例は、ＯＬＥＤ素子の輝度劣化を補償する。この方法は、各ＯＬＥＤ素子の劣化度合いを見積り、その劣化度合いに応じて輝度の補正を行う発光制御を実行する。これにより、ＯＬＥＤ素子の劣化による画素間の輝度差を低減できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
米国特許出願公開第２０２２／０１１４９６０号
米国特許出願公開第２０１９／０２７９５６６号
米国特許出願公開第２０１１／０１６４０１１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発光素子の輝度劣化は、発光素子の電流電圧特性の変化から推定することができる。輝度劣化測定の一例は、画像表示期間外（起動時や帰線期間）に外部電流源からセンス線を介して定電流をＯＬＥＤ素子供給して、画素内のモニタ点（ＯＬＥＤアノード）の電圧を測定する。
【０００６】
センス線のライン容量を充電する時間が必要なため、供給するセンス電流が小さい場合、測定に長時間必要である。センス電流を大きくすると時間は短縮されるが、選択スイッチトランジスタの電圧降下が大きくなり、正常な測定が困難となり得る。これを回避するために、選択スイッチトランジスタのチャネル幅を大きくすると、画素レイアウトが難しくなる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様の表示装置は、基板上の複数の画素回路と、前記基板上のセンス線と、測定回路と、を含み、前記複数の画素回路の各画素回路は、発光素子と、前記発光素子に電流を流すための電源電圧を与える第１電源線と、前記発光素子への発光電流量を制御する駆動トランジスタと、前記発光素子の一端にゲート電極が接続されたセンストランジスタと、前記センストランジスタのドレイン電極に接続された第２電源線と、前記センストランジスタのソース電極と前記センス線の間に接続された第１スイッチトランジスタとを含み、前記センストランジスタ、前記第１スイッチトランジスタ、前記センス線、前記第１電源および前記第２電源線は、センス回路に含まれ、前記駆動トランジスタは、前記発光素子の一端の電圧の測定のため、前記第１電源線から前記発光素子へのセンス電流を制御し、前記センストランジスタは、前記発光素子に前記センス電流が与えられている状態におけるソース電圧を前記センス線に与え、前記測定回路は、前記センス線の出力に基づいて前記発光素子の電圧を決定する。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一態様によれば、発光素子の輝度劣化を高速かつ正確に測定できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
ＯＬＥＤ表示装置に含まれる表示パネルの構成例を模式的に示す。
画素回路及び画素回路内のＯＬＥＤ素子の劣化を測定するための回路の構成例を模式的に示す。
ＯＬＥＤ表示装置に含まれる表示パネルの構成例を模式的に示す。
ＣＤＳ回路を含む、ＯＬＥＤ素子の劣化測定のための回路構成例を示す。
参照信号の読み出しにおけるいくつかの制御信号の時間変化を示すタイミングチャートである。
期間ＰＲ１における画素回路及びＣＤＳ回路におけるトランジスタのＯＮ／ＯＦＦ状態を示す。
参照信号の読み出しにおけるいくつかの制御信号の時間変化を示すタイミングチャートである。
期間ＰＲ２における画素回路及びＣＤＳ回路におけるトランジスタのＯＮ／ＯＦＦ状態を示す。
信号Ｓ２、Ｅｍ、ＳＳＳ、Φａ、Φｂの時間変化を示す。
信号Ｅｍのパルス幅を５Ｈとした場合の、図４に示す７Ｔ１Ｃ画素回路及びＣＤＳ回路の制御タイミングチャートを示す。
本明細書の一実施形態のＯＬＥＤ素子劣化測定を適用可能な画素回路の例を示す。
図１１に示す画素回路におけるアノード電圧測定のための制御信号のタイミングチャートを示す。
本明細書の一実施形態のＯＬＥＤ素子劣化測定を適用可能な画素回路の例を示す。
図１３に示す画素回路におけるアノード電圧測定のための制御信号のタイミングチャートを示す。
センス線を上下分割しセンス線容量を低減する構成例を示す。
各画素回路列を奇数番目の画素回路からなる画素回路群と、偶数番目の画素回路からなる画素回路群とに分割して、異なるセンス線に接続する構成例を示す。
ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法により、センストランジスタの異なる閾値電圧Ｖｔｈにおいて、センス線の電圧及びＣＤＳ回路の出力のデータ信号電圧に対する変化を計算したシミュレーション結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して本開示の実施形態を説明する。本実施形態は本開示を実現するための一例に過ぎず、本開示の技術的範囲を限定するものではないことに注意すべきである。
（【００１１】以降は省略されています）

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