特許ウォッチ

公開番号2025022545
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-14
出願番号2023127227
出願日2023-08-03
発明の名称半導体素子、半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20250206BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】電極端子と封止樹脂との密着性を向上すること。
【解決手段】半導体素子30は、素子表面31と、素子表面31に形成された電極47と、素子表面31に形成され、電極47の一部を露出する開口部481を含む絶縁層48と、開口部481を通して電極47に接し、かつ、Z方向から視て絶縁層48に一部が重なる電極端子50と、を含む。電極端子50は、電極47と対向する端子裏面50Bと、素子表面31と同じ方向を向く端子表面50Aと、厚さ方向と交差する方向を向く端子側面50Cと、を含み、端子側面50Cは、凹部53を含む。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
厚さ方向において互いに反対側を向く素子表面および素子裏面と、
前記素子表面に形成された電極と、
前記素子表面に形成され、前記電極の一部を露出する開口部を含む絶縁層と、
前記開口部を通して前記電極に接し、かつ、前記厚さ方向から視て前記絶縁層に一部が重なる電極端子と、
を含み、
前記電極端子は、前記電極と対向する端子裏面と、前記素子表面と同じ方向を向く端子表面と、前記厚さ方向と交差する方向を向く端子側面と、を含み、
前記端子側面は、凹部を含む、
半導体素子。
続きを表示（約 540 文字）【請求項２】
前記電極端子は円柱状である、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記凹部は、前記厚さ方向に延びる複数の縦溝を含む、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記複数の縦溝は、前記端子表面から前記端子裏面に向けて延びている、請求項３に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記複数の縦溝は、前記端子表面から前記端子裏面の途中位置まで延びている、請求項３に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記複数の縦溝は、前記端子表面および前記端子裏面の双方から離隔している、請求項３に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記凹部は、前記端子側面の周方向に延びた周凹部を含む、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記周凹部は、前記電極端子の全体に亘って形成されている、請求項７に記載の半導体素子。
【請求項９】
前記周凹部は、前記厚さ方向に複数設けられている、請求項７に記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記端子側面は、前記端子裏面よりも表面粗さが大きい面である、請求項１に記載の半導体素子。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体素子、半導体装置に関するものである。
続きを表示（約 2,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、半導体素子が配線部にフリップチップボンディングによって互いに接合された半導体素子および配線部と、半導体素子および配線部を封止する封止樹脂と、を備える半導体装置を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－１６１１４９号公報
【０００４】
［概要］
ところで、半導体装置は、半導体素子に対する封止樹脂の剥離が生じる場合がある。このため、半導体素子について、改善の余地がある。
【０００５】
本開示の一態様である半導体素子は、厚さ方向において互いに反対側を向く素子表面および素子裏面と、前記素子表面に形成された電極と、前記素子表面に形成され、前記電極の一部を露出する開口部を含む絶縁層と、前記開口部を通して前記電極に接し、かつ、前記厚さ方向から視て前記絶縁層に一部が重なる電極端子と、を備え、前記電極端子は、前記電極と対向する端子裏面と、前記素子表面と同じ方向を向く端子表面と、前記厚さ方向と交差する方向を向く端子側面と、を含み、前記端子側面は、凹部を含む。
【０００６】
また、本開示の一態様である半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の前記電極端子と電気的に接続された複数の接続端子と、前記半導体素子および前記複数の接続端子を封止する封止樹脂と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、第１実施形態の半導体装置の一例を示す斜視図である。
図２は、図１の半導体装置の内部構造を示す概略平面図である。
図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体装置を切断した概略断面図である。
図４は、図３の電極端子およびその周辺を拡大した概略断面図である。
図５は、図４のＦ５－Ｆ５線で切断した電極端子およびその周辺の部材を示す概略断面図である。
図６は、図４に示す半導体素子の電極端子の構成を示す概略断面図である。
図７は、図６に示す電極端子の例示的な製造工程を示す概略断面図である。
図８は、図７に続く製造工程を示す概略断面図である。
図９は、図８に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１０は、図９に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１１は、図１０に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１２は、図１１に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１３は、図１２に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１４は、図１３に示すマスクおよび開口部を示す概略平面図である。
図１５は、図１３に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１６は、図１５に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１７は、図１６に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１８は、第２実施形態の半導体装置の一例を示す概略断面図である。
図１９は、図１８の電極端子およびその周辺を拡大した概略断面図である。
図２０は、図１９のＦ２０－Ｆ２０線で切断した電極端子およびその周辺の部材を示す概略断面図である。
図２１は、図２０に示す半導体素子の電極端子の構成を示す概略断面図である。
図２２は、図２１に示す電極端子の例示的な製造工程を示す概略断面図である。
図２３は、図２２に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２４は、図２３に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２５は、図２４に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２６は、図２５に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２７は、図２６に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２８は、図２７に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２９は、図２８に続く製造工程を示す概略断面図である。
図３０は、変更例の半導体素子の電極端子を示す概略断面図である。
図３１は、図３０のＦ３１－Ｆ３１線で切断した電極端子およびその周辺の部材を示す概略断面図である。
図３２は、変更例の半導体素子の電極端子を示す概略断面図である。
図３３は、変更例の半導体素子の電極端子を示す概略断面図である。
図３４は、変更例の半導体素子の電極端子を示す概略断面図である。
図３５は、変更例の半導体素子の電極端子を示す概略断面図である。
図３６は、変更例の半導体素子の電極端子を示す概略断面図である。
図３７は、変更例の半導体素子を示す概略断面図である。
図３８は、変更例の半導体素子を示す概略断面図である。
図３９は、変更例の半導体装置を示す概略断面図である。
【０００８】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示の半導体素子、半導体装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【０００９】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【００１０】
（第１実施形態）
図１から図６を参照して、第１実施形態の半導体装置１０について説明する。
図１は、第１実施形態の半導体装置１０の斜視構造を示している。図２は、図１の半導体装置１０から後述する封止樹脂８０を削除した状態の平面構造を示している。図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で切断した半導体装置１０の概略断面構造を示している。図４は、図３の半導体装置１０の一部を拡大した概略断面図であり、電極端子５０およびその周辺を拡大した概略断面図である。図５は、図４のＦ５－Ｆ５線で切断した電極端子およびその周辺の部材を示す概略断面図である。図６は、図３に示す半導体素子３０の接合前の電極端子５０の構成を示す概略断面図である。本開示において使用される「平面視」という用語は、図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＺ方向に半導体装置１０を視ることをいう。ここで、Ｘ方向は「第１方向」の一例であり、Ｙ方向は「第２方向」の一例である。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許