TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2025020638
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-02-13
出願番号
2023124140
出願日
2023-07-31
発明の名称
膜形成材料、膜形成方法、及び新規化合物
出願人
株式会社トリケミカル研究所
代理人
弁理士法人来知国際特許事務所
,
個人
,
個人
主分類
C23C
16/18 20060101AFI20250205BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約
【課題】CVDあるいはALDによって成膜するに際して、成膜室への輸送が容易で、保存安定性に富み、しかも不純物が少なくてコンフォーマルなVI族遷移金属系膜を形成できる化合物を提供する。
【解決手段】25℃(1気圧)において液体であり、下記式(I)で表される化合物。
式(I)
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>JPEG</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025020638000012.jpg</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">19</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">73</com:WidthMeasure> </com:Image> (式(I)中、MはVI族元素である。NR
1
はSiを持たない。R
1
,R
2
,R
3
は炭素数が1~10のアルキル基である。R
2
≠R
3
である。)
【選択図】図4
特許請求の範囲
【請求項1】
膜形成材料であって、
前記材料は、
25℃(1気圧)において液体であり、
下記式(I)で表される化合物
である
膜形成材料。
式(I)
JPEG
2025020638000010.jpg
30
115
(式(I)中、MはVI族元素である。NR
1
はSiを持たない。R
1
,R
2
,R
3
は炭素数が1~10のアルキル基である。R
2
≠R
3
である。)
続きを表示(約 580 文字)
【請求項2】
前記R
1
は炭素数が3~7のアルキル基である
請求項1の膜形成材料。
【請求項3】
前記R
1
は炭素数が4又は5のアルキル基である
請求項2の膜形成材料。
【請求項4】
前記R
1
がtert‐ブチル基である
請求項3の膜形成材料。
【請求項5】
前記R
1
が分岐鎖を有するアルキル基である
請求項1の膜形成材料。
【請求項6】
前記R
2
は炭素数が2~5のアルキル基である
請求項1の膜形成材料。
【請求項7】
前記R
2
がエチル基又はisо‐プロピル基である
請求項1の膜形成材料。
【請求項8】
前記R
2
が直鎖または分岐鎖を有するアルキル基である
請求項1の膜形成材料。
【請求項9】
前記R
3
は炭素数が2~5のアルキル基である
請求項1の膜形成材料。
【請求項10】
前記R
3
がtert‐アミル基である
請求項9の膜形成材料。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えばVI族金属に関する技術である。
続きを表示(約 1,100 文字)
【背景技術】
【0002】
遷移金属膜は半導体及びエレクトロニクスの分野において用いられている。
前記膜(特に、薄膜)を形成する堆積技術は、例えばCVD(化学気相堆積法)或いはALD(原子層堆積法)である。前記技術は次の通りである。前駆体(金属有機化合物)の分解によって、基板上に膜(金属、金属酸化膜、金属窒化膜、金属ケイ化膜、或いは前記膜に類似の膜)が形成される。
【0003】
特開2000-119045は、Mo(CO)
6
,MoCl
3
,MoCl
6
,MoF
6
,MoO
2
Cl
2
,MoOCl
4
を開示している。
【0004】
特表2022-524041は、Mo
2
Ln[Lはアミデート、アミジネート及びグアニジネート配位子からなる群から選択される。nは2~5である。]を開示している。
【0005】
特許第5913663号は
JPEG
2025020638000002.jpg
17
145
を開示している。
【0006】
特許第6670824号はMo(=NR)
2
(OR)
2
を開示している。
【0007】
特許第7171916号は
JPEG
2025020638000003.jpg
37
123
JPEG
2025020638000004.jpg
29
117
JPEG
2025020638000005.jpg
27
118
を開示している。
【0008】
Chem Mater.(2007),19,263-269はMo(NR)
2
(NR’
2
)
2
を開示している。
【0009】
J.Mat.Res.9(7),1994,1622-1624はMo(NtBu)
2
(NHtBu)
2
を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0010】
特開2000-119045
特表2022-524041
特許第5913663号
特許第6670824号
特許第7171916号
【非特許文献】
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
日鉄建材株式会社
波形鋼板
17日前
株式会社カネカ
製膜装置
15日前
株式会社電気印刷研究所
金属画像形成方法
29日前
日産自動車株式会社
樹脂部材
2か月前
東京エレクトロン株式会社
成膜装置
1か月前
栗田工業株式会社
金属部材の防食方法
2か月前
大阪富士工業株式会社
浴中軸部材の製造方法
5日前
一般財団法人電力中央研究所
耐腐食膜
2か月前
株式会社不二越
熱処理に用いる油切り装置
2か月前
株式会社カネカ
製膜装置
8日前
日本化学産業株式会社
複合めっき皮膜及びめっき製品
1日前
キヤノントッキ株式会社
成膜装置
16日前
キヤノントッキ株式会社
成膜装置
2か月前
株式会社アルバック
電子ビーム式蒸着ユニット
1か月前
株式会社オプトラン
気泡除去方法及び気泡除去装置
1か月前
東京エレクトロン株式会社
吸着制御方法及び成膜装置
1か月前
栗田工業株式会社
密閉冷却水系のpH制御方法及び装置
1か月前
株式会社アルバック
真空成膜装置及び真空成膜方法
1か月前
株式会社アルバック
タングステン配線膜の成膜方法
1か月前
アイテック株式会社
複合めっき材
1か月前
東京エレクトロン株式会社
基板処理方法及び基板処理装置
2か月前
株式会社高純度化学研究所
酸化スズ(II)薄膜の製造方法
17日前
日東電工株式会社
積層フィルムの製造方法
29日前
山陽特殊製鋼株式会社
炭素濃度分布の解析方法
1か月前
株式会社SUS
チタン材、チタン製の容器およびチタン材の製造方法
8日前
富士通商株式会社
新規なSiOx/カーボンナノ繊維とその製造方法
5日前
安徽熙泰智能科技有限公司
薄膜沈着装置およびその沈着方法
1か月前
株式会社アルバック
成膜装置及び成膜方法
8日前
大日本印刷株式会社
マスク装置の製造方法及びマスク装置
1か月前
株式会社日本テクノ
金属酸化被膜装置及び金属酸化被膜形成方法
9日前
セイコーエプソン株式会社
粒子被覆装置および粒子被覆方法
1か月前
セイコーエプソン株式会社
粒子被覆装置および粒子被覆方法
1か月前
キヤノントッキ株式会社
基板保持装置、及び成膜装置
1か月前
株式会社デンソー
Al-AlN複合材料の製造方法
1か月前
国立大学法人横浜国立大学
成膜装置および成膜方法
2か月前
有限会社アルファシステム
成膜方法及び成膜装置
2か月前
続きを見る
他の特許を見る