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公開番号
2025018585
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-02-06
出願番号
2023122425
出願日
2023-07-27
発明の名称
複合基板、及びその製造方法
出願人
日亜化学工業株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
主分類
H01L
23/13 20060101AFI20250130BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】反りが小さく、放熱性が高い複合基板の提供。
【解決手段】複合基板は、第1面と第1面の反対側となる第2面を有する金属基板と、セラミック基板と、第1面上に配置され、金属基板とセラミック基板とを接合する接合部材と、を有し、セラミック基板は、複数の区画を有しており、隣り合う区画の間には溝を有しており、溝中に、接合部材が存在する。
【選択図】図1A
特許請求の範囲
【請求項1】
第1面と前記第1面の反対側となる第2面を有する金属基板と、
セラミック基板と、
前記第1面上に配置され、前記金属基板と前記セラミック基板とを接合する接合部材と、を有し、
前記セラミック基板は、複数の区画を有しており、隣り合う前記区画の間には溝を有しており、
前記溝中に、前記接合部材が存在する、複合基板。
続きを表示(約 550 文字)
【請求項2】
前記溝は、平面視において、格子状に配置されている、請求項1に記載の複合基板。
【請求項3】
前記セラミック基板の区画は、平面視において、一辺が30mm以下の矩形である、請求項2に記載の複合基板。
【請求項4】
前記セラミック基板の厚みは、50μm以上500μm以下である、請求項1に記載の複合基板。
【請求項5】
前記金属基板の厚みは、200μm以上2.0mm以下である、請求項1に記載の複合基板。
【請求項6】
前記接合部材の厚みは、5μm以上200μm以下である、請求項1に記載の複合基板。
【請求項7】
前記セラミック基板の複数の区画間における前記接合部材の厚みの標準偏差は、5μm以下である、請求項1に記載の複合基板。
【請求項8】
前記セラミック基板の区画下の前記接合部材における空隙率は、1%以下である、請求項1に記載の複合基板。
【請求項9】
反り量は、300μm以下である、請求項1に記載の複合基板。
【請求項10】
前記セラミック基板は、窒化物系セラミック基板である、請求項1に記載の複合基板。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、複合基板、及びその製造方法に関する。
続きを表示(約 2,000 文字)
【背景技術】
【0002】
セラミック基板において、放熱性を強化するために、セラミック基板を金属基板に貼合した複合基板が知られている。大面積の複合基板は、セラミック基板と金属基板を貼合する際に両者の熱膨張率の違いから応力が生じ、セラミック基板が反ったり割れたりするおそれがある。かかる応力を抑制するために、予め基板に弱い部分を設けて割れを誘導する方法が知られている(特許文献1)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
実開昭62-103266号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示の一態様は、反りが低減され、放熱性の高い複合基板、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の第1態様は、第1面と前記第1面の反対側となる第2面を有する金属基板と、セラミック基板と、前記第1面上に配置され、前記金属基板と前記セラミック基板とを接合する接合部材と、を有し、前記セラミック基板は、複数の区画を有しており、隣り合う前記区画の間には溝を有しており、前記溝中に、前記接合部材が存在する、複合基板である。
【0006】
本開示の第2態様は、第1面と前記第1面の反対側となる第2面を有する金属基板、溝を有するセラミック基板、及び、接合材料を準備することと、前記第1面上に、前記接合材料を配置することと、前記溝を有する面の反対側となる面、又は、前記溝を有する面が前記接合材料と向き合うように、前記接合材料上に前記セラミック基板を配置することと、前記セラミック基板及び前記金属基板の少なくとも一方を他方に向かって押圧しながら、前記接合材料を加熱して接合部材とし、前記セラミック基板と前記金属基板とを接合することと、を含み、前記セラミック基板と前記金属基板とを接合することにおいて、前記セラミック基板は、前記溝に沿って少なくとも一部が割れ、その割れた前記溝中に、前記接合部材が配置される、複合基板の製造方法である。
【発明の効果】
【0007】
本開示の一態様によれば、反りが低減され、放熱性の高い複合基板、及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
第1実施形態に係る複合基板を示す概略平面図である。
図1AのIB-IB線における断面を示す概略断面図である。
第1実施形態に係る複合基板の製造方法において、準備した金属基板を示す概略断面図である。
第1実施形態に係る複合基板の製造方法において、金属基板上に接合材料を配置した状態を示す概略断面図である。
第1実施形態に係る複合基板の製造方法において、接合材料上にセラミック基板を配置した状態を示す概略断面図である。
第1実施形態に係る複合基板の製造方法において、セラミック基板と金属基板とを接合した状態を示す概略断面図である。
第2実施形態に係る複合基板の製造方法において、接合材料上にセラミック基板を配置した状態を示す概略断面図である。
第2実施形態に係る複合基板を示す概略断面図である。
第3実施形態に係る複合基板の製造方法において、接合材料上にセラミック基板を配置した状態を示す概略断面図である。
第3実施形態に係る複合基板を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本開示に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、本開示に係る技術的思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、発明を以下のものに限定しない。一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。また、図面は実施形態を概略的に示すものであり、説明を明確にするため、各部材のスケールや間隔、位置関係等を誇張し、あるいは、部材の一部の図示を省略している場合や断面図として切断面のみを示す端面図を用いる場合がある。各図において示す方向は、構成要素間の相対的な位置を示し、絶対的な位置を示すことを意図したものではない。なお、同一の名称、符号については、原則として、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
【0010】
(第1実施形態)
第1実施形態に係る複合基板1a、及び、その製造方法について、図1A、図1Bおよび図2Aから図2Dを参照しながら説明する。図1Aは、複合基板1aを示す概略平面図である。図1Bは、図1AのIB-IB線における断面を示す概略断面図である。図2A~図2Dは、図1A及び図1Bに示す複合基板1aの製造方法を説明するための概略断面図である。
(【0011】以降は省略されています)
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