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公開番号2025016627
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-04
出願番号2024190664,2023168399
出願日2024-10-30,2017-04-12
発明の名称EUVリソグラフィ用のメンブレン
出願人エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 1/62 20120101AFI20250128BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】高い放射率と低い故障の可能性を有するEUVリソグラフィ用のメンブレンを開示する。
【解決手段】1つの形態では、メンブレンは、第1の金属の酸化物を含む第1のキャッピング層と、第2の金属とSi、B、C、及びNからなるグループから選択された追加の元素とを含む化合物を含むベース層と、第3の金属の酸化物を含む第2のキャッピング層であって、第1の金属が第2の金属とは異なり、第3の金属が第1の金属と同じであるか又はそれとは異なる第2のキャッピング層と、という順序で複数層を有するスタックを含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
第１の金属の酸化物を含む第１のキャッピング層と、
第２の金属とＳｉ、Ｂ、Ｃ、及びＮからなるグループから選択された追加の元素とを含む化合物を含むベース層と、
第３の金属の酸化物を含む第２のキャッピング層であって、前記第１の金属が前記第２の金属とは異なり、前記第３の金属が前記第１の金属と同じであるか又はそれとは異なる第２のキャッピング層と、
という順序で複数層を有するスタックを含む、メンブレン。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記ベース層が前記第１のキャッピング層及び前記第２のキャッピング層のいずれか一方又は両方のそれぞれより少なくとも５倍厚い、請求項１に記載のメンブレン。
【請求項３】
前記第１の金属及び前記第３の金属のいずれか一方又は両方が、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｙ、及びＡｌからなるグループから選択される、請求項１から２のいずれかに記載のメンブレン。
【請求項４】
前記第１の金属及び前記第３の金属のいずれか一方又は両方が、Ｚｒ及びＹからなるグループから選択される、請求項３に記載のメンブレン。
【請求項５】
前記ベース層の前記化合物において、
前記第２の金属がＭｏであり、前記追加の元素がＳｉであるか、
前記第２の金属がＲｕであり、前記追加の元素がＳｉであるか、
前記第２の金属がＺｒであり、前記追加の元素がＳｉであるか、
前記第２の金属がＬａであり、前記追加の元素がＳｉであるか、
前記第２の金属がＳｃであり、前記追加の元素がＳｉであるか、
前記第２の金属がＹであり、前記追加の元素がＳｉであるか、
前記第２の金属がＮｂであり、前記追加の元素がＳｉであるか、
前記第２の金属がＭｏであり、前記追加の元素がＢであるか、
前記第２の金属がＲｕであり、前記追加の元素がＢであるか、
前記第２の金属がＺｒであり、前記追加の元素がＢであるか、
前記第２の金属がＮｂであり、前記追加の元素がＢであるか、
前記第２の金属がＴｉであり、前記追加の元素がＢであるか、
前記第２の金属がＬａであり、前記追加の元素がＢであるか、又は
前記第２の金属がＺｒであり、前記追加の元素がＣである、請求項１から４のいずれかに記載のメンブレン。
【請求項６】
前記ベース層の前記化合物において、
前記第２の金属がＭｏであり、前記追加の元素がＳｉであるか、又は
前記第２の金属がＲｕであり、前記追加の元素がＳｉである、請求項５に記載のメンブレン。
【請求項７】
前記ベース層の前記化合物において、
前記第２の金属がＭｏであり、前記追加の元素がＢであるか、又は
前記第２の金属がＲｕであり、前記追加の元素がＢである、請求項５に記載のメンブレン。
【請求項８】
前記ベース層において、前記第２の金属と前記追加の元素とを含む前記化合物が、前記第２の金属及び前記追加の元素からなる、請求項１から７のいずれかに記載のメンブレン。
【請求項９】
前記第１の金属がＺｒであり、
前記第２の金属がＭｏであり、前記追加の元素がＳｉであり、
前記第３の金属がＺｒである、請求項１から８のいずれかに記載のメンブレン。
【請求項１０】
前記第１の金属の前記酸化物が、前記第１の金属と１つ以上の更なる金属とを含む混合金属酸化物であるか、
前記第３の金属の前記酸化物が、前記第２の金属と１つ以上の更なる金属とを含む混合金属酸化物であるか、又は
前記第１の金属の前記酸化物が、前記第１の金属と１つ以上の更なる金属とを含む混合金属酸化物であり、前記第３の金属の前記酸化物が、前記第３の金属と１つ以上の更なる金属とを含む混合金属酸化物である、請求項１から９のいずれかに記載のメンブレン。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１６年４月２５日に出願された欧州特許出願第１６１６６７７５．３号及び２０１６年１０月２１日に出願された欧州特許出願第１６１９５１２３．１号及び２０１６年１２月２０日に出願された欧州特許出願第１６２０５２９８．９号の優先権を主張するものであり、これらはすべて参照により全体として本明細書に取り入れられる。
続きを表示（約 2,500 文字）【０００２】
[0002] 本発明は、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレン、パターニングデバイスアセンブリ、及び動的ガスロックアセンブリに関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００４】
[0004] リソグラフィは、ＩＣ及びその他のデバイス及び／又は構造を製造する際の主要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを使用して製造される特徴の寸法がより微細になると共に、リソグラフィは小型ＩＣ又はその他のデバイス、及び／又は構造の製造を可能にするためのより決定的なファクタになってきている。
【０００５】
[0005] パターン印刷の限界の理論的な推定値は式（１）に示すようなレイリーの解像基準によって得られる。
JPEG
2025016627000002.jpg
11
161
但し、λは使用される放射の波長、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数、ｋ
１
はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷される特徴のフィーチャサイズ（又は、限界寸法）である。式（１）から、特徴の印刷可能な最小サイズの縮小は３つの方法で達成できることが分かる。即ち、露光波長λの短縮によるもの、開口数ＮＡの増加によるもの、又はｋ
１
の値の減少によるものである。
【０００６】
[0006] 露光波長を短くするため、従って、最小印刷可能サイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、１０～２０ｎｍの範囲内、例えば１３～１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。さらには、１０ｎｍ未満の波長、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍといった５～１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射が使用され得ることも提案されている。そのような放射は、極端紫外線放射又は軟ｘ線放射と呼ばれる。考えられる放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、又は電子蓄積リングによって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
【０００７】
[0007] リソグラフィ装置はパターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）を含む。放射は、基板上に像を形成するために、パターニングデバイスを通って提供されるか又はパターニングデバイスで反射される。空中浮遊粒子（ａｉｒｂｏｒｎｅｐａｒｔｉｃｌｅ）及びその他の形の汚染からパターニングデバイスを保護するために、メンブレンアセンブリを設けることができる。パターニングデバイスを保護するためのメンブレンアセンブリはペリクルと呼ぶことができる。パターニングデバイスの表面上の汚染は基板上に製造欠陥を引き起こす可能性がある。メンブレンアセンブリは、境界（ｂｏｒｄｅｒ）と、境界の全域に引き伸ばされたメンブレンとを含むことができる。
【０００８】
[0008] メンブレンが高い放射率と低い故障の可能性の組み合わせを有することは望ましい。また、メンブレンが高いＥＵＶ透過率を有することも望ましい。
【発明の概要】
【０００９】
[0009] 本発明の一態様により、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンであって、そのメンブレンが、第１の金属の酸化物を含む第１のキャッピング層と、第２の金属とＳｉ、Ｂ、Ｃ、及びＮからなるグループから選択された追加の元素とを含む化合物を含むベース層と、第３の金属の酸化物を含む第２のキャッピング層であって、第１の金属が第２の金属とは異なり、第３の金属が第１の金属と同じであるか又はそれとは異なる第２のキャッピング層と、という順序で複数層を有するスタックを含む、メンブレンが提供される。
【００１０】
[0010] 本発明の一態様により、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンであって、そのメンブレンが、金属と追加の元素とを含む化合物を含むメンブレン層を含み、メンブレンの両方の外面の少なくとも一部が化合物又は追加の元素の酸化物によって形成され、メンブレン層において、
金属がＭｏであり、上記追加の元素がＳｉであるか、
金属がＲｕであり、上記追加の元素がＳｉであるか、
金属がＺｒであり、上記追加の元素がＳｉであるか、
金属がＬａであり、上記追加の元素がＳｉであるか、
金属がＳｃであり、上記追加の元素がＳｉであるか、
金属がＹであり、上記追加の元素がＳｉであるか、
金属がＮｂであり、上記追加の元素がＳｉであるか、
金属がＭｏであり、上記追加の元素がＢであるか、
金属がＲｕであり、上記追加の元素がＢであるか、
金属がＺｒであり、上記追加の元素がＢであるか、
金属がＮｂであり、上記追加の元素がＢであるか、
金属がＴｉであり、上記追加の元素がＢであるか、
金属がＬａであり、上記追加の元素がＢであるか、又は
金属がＺｒであり、上記追加の元素がＣである、
メンブレンが提供される。
（【００１１】以降は省略されています）

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