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公開番号2025016571
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-04
出願番号2024187620,2023125303
出願日2024-10-24,2010-07-13
発明の名称半導体装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10D 30/67 20250101AFI20250128BHJP()
要約【課題】駆動回路の信頼性の向上を図る。
【解決手段】ドレイン電極層405b(及びソース電極層405a)と重畳した酸化物半
導体層において第2の高抵抗ドレイン領域432(または第1の高抵抗ドレイン領域43
1)を形成する。第2の高抵抗ドレイン領域432を形成することで、ドレイン電極層か
ら第2の高抵抗ドレイン領域432、チャネル形成領域にかけて、導電性を段階的に変化
させうるような構造とすることができる。そのため、ドレイン電極層405bを高電源電
位VDDを供給する配線に接続して動作させる場合、ゲート電極層401とドレイン電極
層405bとの間に高電界が印加されても高抵抗ドレイン領域がバッファとなり局所的な
高電界が印加されず、トランジスタの耐圧を向上させた構成とすることができる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
同一基板上に、第１の薄膜トランジスタを有する画素部と、第２の薄膜トランジスタを有する駆動回路と、を有し、
前記第１の薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と、前記ゲート絶縁層上に前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と重なる酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接する保護絶縁層と、を有し、
前記保護絶縁層上に画素電極層を有し、
前記第１の薄膜トランジスタの前記ゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記保護絶縁層、及び前記画素電極層の各々は、透光性を有し、
前記第２の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、前記第１の薄膜トランジスタの前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と材料が異なり、且つ前記第１の薄膜トランジスタの前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料である、半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
酸化物半導体を用いる半導体装置及びその作製方法に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、表示装置などの電気光学装置、半導体回路及び電子機器は全て半導体装置で
ある。
【背景技術】
【０００３】
透光性を有する金属酸化物が半導体装置において利用されている。例えば、酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）などの導電性を備える金属酸化物（以下、酸化物導電体という）は、液晶
ディスプレイなどの表示装置で必要とされる透明電極材料として適用されている。
【０００４】
加えて、半導体特性を示す材料としても透光性を有する金属酸化物が注目されている。例
えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物などは、液晶ディスプレイなどの表示装置で必要と
される半導体材料に適用することが期待されている。特に、薄膜トランジスタ（以下、Ｔ
ＦＴともいう）のチャネル層に適用することが期待されている。
【０００５】
半導体特性を備えた金属酸化物（以下、酸化物半導体という）を適用したＴＦＴは、低温
プロセスによって作製することが可能である。そのため、表示装置などで用いられるアモ
ルファスシリコンを代替又は凌駕する材料としての期待が高まっている。
【０００６】
透明性を有する酸化物導電体及び酸化物半導体を用いてＴＦＴを構成することによって、
透光性を有するＴＦＴを作製することができる（例えば、非特許文献１参照）。
【０００７】
また、酸化物半導体をチャネル層に適用したＴＦＴは、電界効果移動度が高い。そのため
、当該ＴＦＴを用いて、表示装置などの駆動回路を構成することもできる（例えば、非特
許文献２参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
野澤哲生、「透明回路」『日経エレクトロニクス』２００７．８．２７（ｎｏ．９５９）ｐｐ．３９－５２
Ｔ．Ｏｓａｄａ，他８名，ＳＩＤ ’０９ＤＩＧＥＳＴ，ｐｐ．１８４－１８７（２００９）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の一態様は、半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。
【００１０】
本発明の一態様は、半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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