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公開番号2025024461
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-20
出願番号2023128594
出願日2023-08-07
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H10D 89/10 20250101AFI20250213BHJP()
要約【課題】電流集中を緩和すること。
【解決手段】半導体装置10は、外部電極63および外部電極62の双方は、矩形状に形成されたパッド部631,911と、Z方向から視てX方向と直交するY方向に第1パッド部631,911から延び且つX方向における配線幅W52,W12がパッド部631,911から離れるに従って徐々に小さくなるように形成されたテーパ部632,912と、テーパ部632,912からY方向に沿って延び且つパッド部631,911よりもX方向の配線幅W53,W13が狭い矩形状に形成された先端部633,913と、を含む。外部電極63のパッド部631と外部電極62の先端部913とがX方向に離隔して配置され、外部電極63の先端部633と外部電極62のパッド部911とがX方向に離隔して配置されている。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
ゲート電極、第１素子電極、および第２素子電極を含む第１トランジスタが形成された半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記第１トランジスタの前記第１素子電極と電気的に接続された第１外部電極と、
前記絶縁層上であって、前記絶縁層の厚さ方向から視て第１方向に前記第１外部電極と離隔した位置に形成され、前記第１トランジスタの前記第２素子電極と電気的に接続された第２外部電極と、
を含み、
前記第１外部電極および前記第２外部電極の双方は、
矩形状に形成された第１パッド部と、
前記厚さ方向から視て前記第１方向と直交する第２方向に前記第１パッド部から延び且つ前記第１方向における配線幅が前記第１パッド部から離れるに従って徐々に小さくなるように形成された第１テーパ部と、
前記第１テーパ部から前記第２方向に沿って延び且つ前記第１パッド部よりも前記第１方向の配線幅が狭い矩形状に形成された第１先端部と、
を含み、
前記第１外部電極の前記第１パッド部と前記第２外部電極の前記第１先端部とが前記第１方向に離隔して配置され、
前記第１外部電極の前記第１先端部と前記第２外部電極の前記第１パッド部とが前記第１方向に離隔して配置されている、
半導体装置。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記第１トランジスタの前記第１素子電極に電気的に接続され、前記第１方向に延び、前記第２方向に配列された複数のソースパターンと、
前記第１トランジスタの前記第２素子電極に電気的に接続され、前記第１方向に延び、前記第２方向に配列され且つ前記複数の第１外部電極と交互に配置された複数のドレインパターンと、
を含み、
前記第１外部電極および前記第２外部電極は、前記複数のソースパターンおよび前記複数のドレインパターンの上に形成され、
前記第１外部電極は、前記複数のソースパターンを介して前記第１トランジスタの前記第１素子電極と電気的に接続され、
前記第２外部電極は、前記複数のドレインパターンを介して前記第１トランジスタの前記第２素子電極と電気的に接続されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１方向において、前記第２外部電極を挟むように配置された２つの前記第１外部電極を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１外部電極および前記第２外部電極の双方は複数設けられ、前記第１方向において交互に配置されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
複数の前記第２外部電極は、前記第１方向における両端に配置された端部電極と、両端の前記端部電極の間に配置された中間電極と、を含み、
前記端部電極の前記第１テーパ部は、前記中間電極の前記第１テーパ部よりも幅狭に形成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１外部電極は、前記第１パッド部から前記第１テーパ部と反対方向に延び且つ前記第１方向における配線幅が前記第１パッド部から徐々に小さくなるように形成された第２テーパ部を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１トランジスタはパワーＭＯＳトランジスタである、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１トランジスタが配置された第１領域を含み、
前記第１外部電極および前記第２外部電極は、前記第１領域上に配置されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１外部電極および前記第２外部電極の双方を覆い、前記第１外部電極の前記第１パッド部の一部を露出する開口部と、前記第２外部電極の前記第１パッド部の一部を露出する開口部と、を有する保護層を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１トランジスタのゲート電極に接続された駆動回路を含む第２領域と、
前記厚さ方向において前記第１外部電極および前記第２外部電極と同じ位置に配置され、前記第２領域に配置された複数の回路素子と電気的に接続され、前記厚さ方向から視て矩形状に形成された複数のパッド配線と、
を含み、
前記保護層は、前記複数のパッド配線の一部をそれぞれ露出する複数の開口部を有する、
請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関するものである。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、直線状に形成されたソースおよびドレインを含む半導体装置が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０２２／０５４６００号
【０００４】
［概要］
ところで、ソースやドレイン等の配線において、電流集中を緩和することが求められる。
【０００５】
本開示の一態様である半導体装置は、ゲート電極、第１素子電極、および第２素子電極を含む第１トランジスタが形成された半導体装置であって、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記第１トランジスタの前記第１素子電極と電気的に接続された第１外部電極と、前記絶縁層上であって、前記絶縁層の厚さ方向から視て第１方向に前記第１外部電極と離隔した位置に形成され、前記第１トランジスタの前記第２素子電極と電気的に接続された第２外部電極と、を含み、前記第１外部電極および前記第２外部電極の双方は、矩形状に形成された第１パッド部と、前記厚さ方向から視て前記第１方向と直交する第２方向に前記第１パッド部から延び且つ前記第１方向における配線幅が前記第１パッド部から離れるに従って徐々に小さくなるように形成された第１テーパ部と、前記第１テーパ部から前記第２方向に沿って延び且つ前記第１パッド部よりも前記第１方向の配線幅が狭い矩形状に形成された第１先端部と、を含み、前記第１外部電極の前記第１パッド部と前記第２外部電極の前記第１先端部とが前記第１方向に離隔して配置され、前記第１外部電極の前記第１先端部と前記第２外部電極の前記第１パッド部とが前記第１方向に離隔して配置されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、一実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。
図２は、図１の半導体装置の電気的構成を示すブロック図である。
図３は、図１のＦ３－Ｆ３線に沿った半導体装置の概略断面図である。
図４は、図１の半導体装置の一部を拡大して示す概略平面図である。
図５は、図１の半導体装置の外部電極の接続状態を示す概略平面図である。
図６は、図１の半導体装置の外部電極と接続状態を示す概略断面図である。
図７は、比較例の半導体装置の一部を示す概略平面図である。
図８は、変更例の半導体装置の概略平面図である。
図９は、図８の半導体装置の一部を示す概略平面図である。
図１０は、変更例の半導体装置の一部を示す概略平面図である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示の半導体装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
【０００８】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【０００９】
本開示において使用される「少なくとも１つ」という表現は、所望の選択肢の「１つ以上」を意味する。一例として、本開示において使用される「少なくとも１つ」という表現は、選択肢の数が２つであれば「１つの選択肢のみ」または「２つの選択肢の双方」を意味する。他の例として、本開示において使用される「少なくとも１つ」という表現は、選択肢の数が３つ以上であれば「１つの選択肢のみ」または「２つ以上の任意の選択肢の組み合わせ」を意味する。
【００１０】
図１は、半導体装置１０の一例を示す概略平面図である。図６は、図１の半導体装置の電気的構成を示すブロック図である。図３は、図１のＦ３－Ｆ３線に沿って切断した半導体装置１０の概略断面図である。図４は、図１の半導体装置１０の一部を拡大して示す概略平面図である。図５は、図１の半導体装置の外部電極と配線の接続を示す概略平面図である。図６は、図１の半導体装置の外部電極と配線の接続を示す概略断面図である。本開示において使用される「平面視」という用語は、図１に示されるお互いに直交するＸＹＺ軸のＺ方向に半導体装置１０を視ることをいう。ここで、Ｘ方向は「第１方向」の一例であり、Ｙ方向は「第２方向」の一例である。
（【００１１】以降は省略されています）

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