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公開番号2025059128
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-10
出願番号2023168942
出願日2023-09-29
発明の名称発光装置
出願人日亜化学工業株式会社
代理人
主分類H10H 20/853 20250101AFI20250403BHJP()
要約【課題】輝度むらを低減した発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
上面と前記上面の反対側の下面と前記上面及び前記下面の間の側面とを備える半導体積層体と、前記下面に配置された一対の電極と、を備える発光素子と、
前記半導体積層体の前記上面を覆う透光性部材と、
前記半導体積層体の下面及び前記透光性部材の下面を連続して被覆し、前記一対の電極の一部を露出させる被覆部材と、
を備え、
前記被覆部材は、前記半導体積層体及び前記透光性部材と接する光反射性の第1被覆部材と、平面視において前記半導体積層体と重なる位置に前記第1被覆部材を介して配置される光吸収性の第2被覆部材と、を備える、発光装置。
【選択図】図1C
特許請求の範囲【請求項１】
上面と前記上面の反対側の下面と前記上面及び前記下面の間の側面とを備える半導体積層体と、前記下面に配置された一対の電極と、を備える発光素子と、
前記半導体積層体の前記上面を覆う透光性部材と、
前記半導体積層体の下面及び前記透光性部材の下面を連続して被覆し、前記一対の電極の一部を露出させる被覆部材と、
を備え、
前記被覆部材は、前記半導体積層体及び前記透光性部材と接する光反射性の第１被覆部材と、平面視において前記半導体積層体と重なる位置に前記第１被覆部材を介して配置される光吸収性の第２被覆部材と、を備える、発光装置。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
前記透光性部材は、前記半導体積層体の側面を被覆する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記被覆部材は、前記半導体積層体の側面を被覆する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第２被覆部材は、平面視において前記一対の電極の間に位置する領域のみに配置される、請求項２又は請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第２被覆部材は、平面視において前記発光素子と重ならない位置には配置されない、請求項１又は請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２被覆部材の厚さは、３μｍ以上１０μｍ以下である、請求項２又は請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記被覆部材は、酸化チタン又は酸化亜鉛を含む、請求項２又は請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
上面と前記上面の反対側の下面と前記上面及び前記下面の間の側面とを備える半導体積層体と、前記下面に配置された一対の電極と、を備える発光素子と、
前記半導体積層体の前記上面を覆う透光性部材と、
前記半導体積層体の下面及び前記透光性部材の下面を連続して被覆し、前記一対の電極の一部を露出させる光反射性の被覆部材と、
を備える発光装置中間体を準備する第１工程と、
前記一対の電極の間に位置する前記被覆部材にレーザ光を照射し、変質させる第２工程と、を含む発光装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光装置に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
発光装置の直上方向への光を低減することで、発光装置の直上が明るくなりすぎることを低減した構造が知られている。（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００７－１７３８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示に係る実施形態は、輝度むらを低減した発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の実施形態は、以下の構成を含む。
上面と前記上面の反対側の下面と前記上面及び前記下面の間の側面とを備える半導体積層体と、前記下面に配置された一対の電極と、を備える発光素子と、
前記半導体積層体の前記上面を覆う透光性部材と、
前記半導体積層体の下面及び前記透光性部材の下面を連続して被覆し、前記一対の電極の一部を露出させる被覆部材と、
を備え、
前記被覆部材は、前記半導体積層体及び前記透光性部材と接する光反射性の第１被覆部材と、平面視において前記半導体積層体と重なる位置に前記第１被覆部材を介して配置される光吸収性の第２被覆部材と、を備える、発光装置。
【発明の効果】
【０００６】
本開示に係る実施形態によれば、輝度むらを低減した発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示に係る実施形態の発光装置の模式斜視図である。
本開示に係る実施形態の発光装置の模式下面図である。
図１Ｂに示すＩＣ－ＩＣ線における模式断面図である。
本開示に係る実施形態の発光装置の変形例の模式断面図である。
本開示に係る実施形態の発光装置の製造方法の模式断面図である。
本開示に係る実施形態の発光装置の製造方法の模式断面図である。
本開示に係る実施形態の発光装置の変形例の模式断面図である。
本開示に係る実施形態の発光装置の変形例の模式断面図である。
本開示に係る実施形態の発光装置の製造方法の模式断面図である。
本開示に係る実施形態の発光装置の製造方法の模式断面図である。
本開示に係る実施形態の発光装置の変形例の模式下面図である。
図６Ａに示すＶＩＢ－ＶＩＢ線における模式断面図である。
本開示に係る実施形態の発光装置の模式上面図である。
図７Ａに示すＶＩＩＢ―ＶＩＩＢ線における模式断面図である。
本開示に係る実施形態の発光装置の模式下面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及び、それらの用語を含む別の用語）を用いる。それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。また、平面視とは上面又は下面から視ることとする。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。また、被覆部材等の樹脂部材については、成形、固化、硬化、個片化の前後を問わず、同じ名称を用いて説明する。すなわち、成形前は液状であり、成形後に固体となり、更に、成形後の固体を分割して形状を変化させた小片の固体とする場合など、工程の段階によって状態が変化する部材について、同じ名称で説明する。
【０００９】
実施形態に係る発光装置は、上面と上面の反対側の下面と上面及び下面の間の側面とを備える半導体積層体と、下面に配置された一対の電極と、を備える発光素子と、半導体積層体の上面を覆う透光性部材と、半導体積層体の下面及び透光性部材の下面を連続して被覆し、一対の電極の一部を露出させる被覆部材と、を備え、被覆部材は、半導体積層体及び透光性部材と接する光反射性の第１被覆部材と、平面視において半導体積層体と重なる位置に第１被覆部材を介して配置される光吸収性の第２被覆部材と、を備える。
【００１０】
（実施形態１）
＜発光装置＞
図１Ａ～図１Ｃは、実施形態１に係る発光装置１００を示す概略図である。発光装置１００は、発光素子１１０と、透光性部材１２０と、被覆部材１３０と、を有する。発光素子１１０は、半導体積層体１１１と、正負一対の電極１１２と、を有する。半導体積層体１１１は、上面１１１Ｕと、上面１１１Ｕの反対側の下面１１１Ｄと、上面１１１Ｕと下面１１１Ｄの間の側面１１１Ｓと、を有する。一対の電極１１２は、半導体積層体１１１の下面１１１Ｄに配置される。透光性部材１２０は、半導体積層体１１１の上面１１１Ｕ及び側面１１１Ｓを覆う。被覆部材１３０は、半導体積層体１１１の下面１１１Ｄ及び透光性部材１２０の下面を連続して覆う。一対の電極１１２の下面は、それぞれ被覆部材１３０から露出する。そして、被覆部材１３０は、半導体積層体１１１及び透光性部材１２０と接する光反射性の第１被覆部材１３１と、平面視において半導体積層体１１１と重なる位置に、第１被覆部材１３１を介して配置される光吸収性の第２被覆部材１３２と、を備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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