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公開番号2025057994
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-09
出願番号2023167888
出願日2023-09-28
発明の名称発光装置の製造方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H10H 20/851 20250101AFI20250402BHJP()
要約【課題】歩留まりを向上可能な発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置の製造方法は、第1面及び前記第1面の反対側に位置する第2面を有した基板と、前記第1面上に配置された半導体構造体とを含む構造体を準備する工程と、前記基板内に亀裂を形成する工程と、前記亀裂を形成する工程の後、前記基板の第2面上に波長変換部材を配置する工程と、前記波長変換部材内における平面視で前記亀裂と重なる部分に第1改質領域を形成する工程と、前記構造体及び前記波長変換部材を、前記亀裂及び前記第1改質領域に沿って割断する工程と、を備える。
【選択図】図8

特許請求の範囲【請求項１】
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有した基板と、前記第１面上に配置された半導体構造体とを含む構造体を準備する工程と、
前記基板内に亀裂を形成する工程と、
前記亀裂を形成する工程の後、前記基板の第２面上に波長変換部材を配置する工程と、
前記波長変換部材内における平面視で前記亀裂と重なる部分に第１改質領域を形成する工程と、
前記構造体及び前記波長変換部材を、前記亀裂及び前記第１改質領域に沿って割断する工程と、
を備えた発光装置の製造方法。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
前記波長変換部材の前記基板とは反対側の面における平面視で前記亀裂と重なる領域に凹部を形成する工程をさらに備えた請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記凹部を形成する工程は、前記第１改質領域を形成する工程の後、前記割断する工程の前に実施し、前記第１改質領域の少なくとも一部を残存させる請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１改質領域を形成する工程において、前記第１改質領域を、前記波長変換部材における前記基板側の部分に形成する請求項３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記凹部を形成する工程の後、前記割断する工程の前において、前記第１改質領域は前記凹部の底面から前記波長変換部材における前記基板側の面までの全長にわたって存在する請求項３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記凹部を形成する工程は、前記波長変換部材を配置する工程の後、前記第１改質領域を形成する工程の前に実施し、
前記第１改質領域は、平面視で前記凹部と重なる位置に形成する請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１改質領域を形成する工程は、前記波長変換部材に第１レーザ光を照射する工程を有する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記亀裂を形成する工程は、前記基板に第２レーザ光を照射することにより、前記基板内に第２改質領域を形成する工程を有する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１改質領域を形成する工程は、前記波長変換部材に第１レーザ光を照射する工程を有し、
前記亀裂を形成する工程は、前記基板に第２レーザ光を照射することにより、前記基板内に第２改質領域を形成する工程を有し、
前記第１レーザ光のエネルギーは、前記第２レーザ光のエネルギーよりも高い請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記構造体を準備する工程は、
前記基板の前記第１面に前記半導体構造体を形成する工程と、
前記基板を前記第１面の反対側から薄くして前記第２面を形成する工程と、
を有する請求項１に記載の発光装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、発光装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体積層体、基板及び波長変換層を積層した構造体を形成し、ソーイングにより分断して個片化する技術が知られている。このような技術においては、分断の精度を向上させて歩留まりを向上させることが要望されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特表２０１８－５１７３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、歩留まりを向上可能な発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有した基板と、前記第１面上に配置された半導体構造体とを含む構造体を準備する工程と、前記基板内に亀裂を形成する工程と、前記亀裂を形成する工程の後、前記基板の第２面上に波長変換部材を配置する工程と、前記波長変換部材内における平面視で前記亀裂と重なる部分に第１改質領域を形成する工程と、前記構造体及び前記波長変換部材を、前記亀裂及び前記第１改質領域に沿って割断する工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００６】
実施形態によれば、歩留まりを向上可能な発光装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。
図３に示すIV－IV線による断面図である。
第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
第１の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
第１の実施形態に係る発光装置を示す断面図である。
第１の実施形態に係る発光装置を示す側面図である。
第１の実施形態に係る発光装置を示す上面図である。
第１の実施形態に係る発光装置を示す下面図である。
第１の実施形態に係る発光装置の使用方法を示す断面図である。
第２の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
第２の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
第２の実施形態に係る発光装置を示す側面図である。
第３の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
第３の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
基板の第２改質領域を示す光学顕微鏡写真である。
波長変換部材の第１改質領域を示す光学顕微鏡写真である。
図２１の領域XXIIを示すＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、各実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、適宜強調又は簡略化されている。また、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らず、図面間において厳密に一致しているとも限らない。更に、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。更にまた、断面図として切断面のみを示す端面図を用いたりする場合がある。
【０００９】
＜第１の実施形態＞
図１及び図２は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
図３は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。
図４は、図３に示すIV－IV線による断面図である。
図５～図９は、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
図１０は、本実施形態に係る発光装置を示す断面図である。
図１１は、本実施形態に係る発光装置を示す側面図である。
図１２は、本実施形態に係る発光装置を示す上面図である。
図１３は、本実施形態に係る発光装置を示す下面図である。
図１４は、本実施形態に係る発光装置の使用方法を示す断面図である。
【００１０】
（構造体１０を準備する工程）
先ず、図１に示すように、基板１１を用意する。基板１１は例えばサファイア基板である。基板１１は、第１面１１ａを有する。次に、基板１１の第１面１１ａに半導体構造体１２を形成する。半導体構造体１２は、例えば、基板１１上にエピタキシャル成長させ、分断することにより形成する。半導体構造体１２においては、ｐ型層、活性層、ｎ型層が積層されている。半導体構造体１２の組成は、例えば、Ｉｎ
ｘ
Ａｌ
ｙ
Ｇａ
１－ｘ－ｙ
Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）の化学式によって表現できる。
（【００１１】以降は省略されています）

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