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公開番号2025047274
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-03
出願番号2023155684
出願日2023-09-21
発明の名称半導体装置
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H10D 30/67 20250101AFI20250326BHJP()
要約【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1電極、第1酸化物半導体、第1絶縁体、第1導電体、第1導電性酸化物、第2導電性酸化物、及び第2導電体を備える。第1酸化物半導体は、一端が第1電極と接し、第1電極の表面と交差する第1方向に延びる。第1絶縁体は、第1酸化物半導体の側面を囲む。第1導電体は、上面視で第1絶縁体の側面の少なくとも一部を囲む。第1導電性酸化物は、第1酸化物半導体の他端と接する。第2導電性酸化物は、第1導電性酸化物上に位置する。第2導電体は、第2導電性酸化物上に位置する。第2導電性酸化物と第2導電体とは、第1金属元素を含む。第1導電性酸化物と、第2導電性酸化物とは、酸素を含む。
【選択図】図3

特許請求の範囲【請求項１】
第１電極と、
一端が前記第１電極と接し、前記第１電極の表面と交差する第１方向に延びる第１酸化物半導体と、
前記第１酸化物半導体の側面を囲む第１絶縁体と、
上面視で前記第１絶縁体の側面の少なくとも一部を囲む第１導電体と、
前記第１酸化物半導体の他端と接する第１導電性酸化物と、
前記第１導電性酸化物上の第２導電性酸化物と、
前記第２導電性酸化物上の第２導電体と、
を備え、
前記第２導電性酸化物と、前記第２導電体とは、第１金属元素を含み、
前記第１導電性酸化物と、前記第２導電性酸化物とは、酸素を含む、
半導体装置。
続きを表示（約 950 文字）【請求項２】
前記第１金属元素はＴｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｒｕ、又はＮｂである、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２導電性酸化物は、第１元素を更に含み、
前記第１元素は、Ｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｇａ、Ｍｎ、又はＭｇである、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１酸化物半導体と、前記第１導電性酸化物とは、第２金属元素を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２金属元素はＩｎである、
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２導電体は、更に窒素を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１電極は、
上面が前記第１酸化物半導体の前記一端と接する第３導電性酸化物と、
前記第３導電性酸化物の下面と接する第４導電体と、
を含み、
前記第４導電体は、第３金属元素を含み、
前記第１酸化物半導体と、前記第１導電性酸化物と、前記第３導電性酸化物とは、第２金属元素を含み、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１電極は、
上面が前記第１酸化物半導体の前記一端と接する第３導電性酸化物と、
前記第３導電性酸化物の下面に接する第４導電性酸化物と、
前記第４導電性酸化物の下面に接する第４導電体と、
を含み、
前記第４導電性酸化物と、前記第４導電体とは、第３金属元素を含み、
前記第３導電性酸化物と、前記第４導電性酸化物とは、酸素を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第４導電性酸化物は、前記第３導電性酸化物の下面及び側面と接し、
前記第４導電体は、前記第４導電性酸化物の下面及び側面と接する、
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１金属元素と、前記第３金属元素とは、同じ元素である、
請求項８に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、様々な電子機器に用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０１１／０１０８８３４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置の性能を向上させる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体装置は、第１電極、第１酸化物半導体、第１絶縁体、第１導電体、第１導電性酸化物、第２導電性酸化物、及び第２導電体を備える。第１酸化物半導体は、一端が第１電極と接し、第１電極の表面と交差する第１方向に延びる。第１絶縁体は、第１酸化物半導体の側面を囲む。第１導電体は、上面視で第１絶縁体の側面の少なくとも一部を囲む。第１導電性酸化物は、第１酸化物半導体の他端と接する。第２導電性酸化物は、第１導電性酸化物上に位置する。第２導電体は、第２導電性酸化物上に位置する。第２導電性酸化物と第２導電体とは、第１金属元素を含む。第１導電性酸化物と、第２導電性酸化物とは、酸素を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、第１実施形態に係る半導体装置１００の構成例である断面図を示す。
図２は、第１実施形態に係る半導体装置１００の平面レイアウトの一例である平面図を示す。
図３は、第１実施形態に係る半導体装置１００の断面構造の一例である、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図を示す。
図４は、第１実施形態に係る半導体装置１００の断面構造の一例である、図２のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図を示す。
図５は、第１実施形態に係る半導体装置１００の断面構造の一例である、図３のＶ－Ｖ線に沿った断面図を示す。
図６は、第１実施形態に係る半導体装置１００の製造工程の一例であるフローチャートを示す。
図７は、第１実施形態に係る半導体装置１００の製造途中の断面構造の一例を示す。
図８は、第１実施形態に係る半導体装置１００の製造途中の断面構造の一例を示す。
図９は、第１実施形態に係る半導体装置１００の製造途中の断面構造の一例を示す。
図１０は、第１実施形態に係る半導体装置１００の製造途中の断面構造の一例を示す。
図１１は、第１実施形態に係る半導体装置１００の製造途中の断面構造の一例を示す。
図１２は、第１実施形態に係る半導体装置１００の製造途中の断面構造の一例を示す。
図１３は、第１実施形態に係る半導体装置１００の製造途中の断面構造の一例を示す。
図１４は、第１実施形態に係る半導体装置１００の製造途中の断面構造の一例を示す。
図１５は、第１実施形態に係る半導体装置１００の製造途中の断面構造の一例を示す。
図１６は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置１００の断面構造の一例を示す。
図１７は、第２実施形態に係る半導体装置１００ｂの断面構造の一例を示す。
図１８は、第２実施形態に係る半導体装置１００ｂの製造工程の一例であるフローチャートを示す。
図１９は、第２実施形態に係る半導体装置１００ｂの製造途中の断面構造の一例を示す。
図２０は、第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置１００ｂの断面構造の一例を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に実施形態が図面を参照して記述される。以下の記述において、略同一の機能及び構成を有する構成要素は同一の参照符号を付され、繰返しの説明は省略される場合がある。略同一の機能及び構成を有する複数の構成要素が相互に区別されるために、参照符号の末尾にさらなる数字又は文字が付される場合がある。
【０００８】
図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なり得る。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断されるべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれ得る。また、或る実施形態についての記述は全て、明示的に又は自明的に排除されない限り、別の実施形態の記述としても当てはまる。各実施形態は、この実施形態の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、実施形態の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定しない。
【０００９】
本明細書において「実質的に同じ」「略同じ」「略均一」「略揃っている」は、同じであることを意図されているものの、製造技術及び（又は）測定技術の限界に起因して完全に同一ではないとともに誤差を許容することを指す。
【００１０】
［１］第１実施形態
以下では、第１実施形態に係る半導体装置１００について説明される。
（【００１１】以降は省略されています）

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