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公開番号2025051310
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-04
出願番号2023160330
出願日2023-09-25
発明の名称半導体発光装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類H10H 20/816 20250101AFI20250328BHJP()
要約【課題】高電流が注入されたときの光出力が向上され得る半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置1は、電流狭窄層15と、半導体発光積層体20とを備える。半導体発光積層体20は、電流狭窄層15上に配置されており、かつ、電流狭窄層15に接触する底面20aを有する。電流狭窄層15は、絶縁層16と、複数の導電部17とを含む。複数の導電部17は、絶縁層16中に配置されており、かつ、底面20aに接触している。底面20aに対する複数の導電部17の面積比率は7%以上15%以下である。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
電流狭窄層と、
前記電流狭窄層上に配置されており、かつ、前記電流狭窄層に接触する底面を有する半導体発光積層体とを備え、
前記電流狭窄層は、絶縁層と、前記絶縁層中に配置されておりかつ前記底面に接触している複数の導電部とを含み、
前記底面に対する前記複数の導電部の面積比率は７％以上１５％以下であり、
前記面積比率は、前記底面の第１面積に対する、前記底面の平面視において前記底面に重なる前記複数の導電部の第２面積の割合である、半導体発光装置。
続きを表示（約 760 文字）【請求項２】
前記複数の導電部は、金で形成されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記半導体発光積層体は、前記複数の導電部に接触するｐ型コンタクト層を含み、
前記ｐ型コンタクト層のキャリア濃度は、１×１０
１９
ｃｍ
－３
以上である、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記ｐ型コンタクト層は、ｐ型ドーパンドがドープされたｐ－ＡｌＧａＡｓＰで形成されている、請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記電流狭窄層のうち前記半導体発光積層体とは反対側の表面上に配置されている反射層をさらに備え、
前記複数の導電部は、前記反射層に接触している、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記底面の前記平面視において、前記複数の導電部は均一に配置されている、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記半導体発光積層体の中央部における前記複数の導電部の第１の面積比率は、前記半導体発光積層体の周辺部における前記複数の導電部の第２の面積比率より小さく、
前記第１の面積比率は、前記半導体発光積層体の前記中央部の面積に対する、前記底面の前記平面視において前記半導体発光積層体の前記中央部に重なる前記複数の導電部の面積の割合であり、
前記第２の面積比率は、前記半導体発光積層体の前記周辺部の面積に対する、前記底面の前記平面視において前記半導体発光積層体の前記周辺部に重なる前記複数の導電部の面積の割合である、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特開２０２０－６５０４１号公報（特許文献１）は、半導体発光装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－６５０４１号公報［概要］
【０００４】
本開示の目的は、高電流が注入されたときの光出力が向上され得る半導体発光装置を提供することである。
【０００５】
本開示の半導体発光装置は、電流狭窄層と、半導体発光積層体とを備える。半導体発光積層体は、電流狭窄層上に配置されており、かつ、電流狭窄層に接触する底面を有する。電流狭窄層は、絶縁層と、複数の導電部とを含む。複数の導電部は、絶縁層中に配置されており、かつ、底面に接触している。底面に対する複数の導電部の面積比率は７％以上１５％以下である。上記面積比率は、底面の第１面積に対する、底面の平面視において底面に重なる複数の導電部の第２面積の割合である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、実施の形態の半導体発光装置の概略平面図である。
図２は、実施の形態の半導体発光装置の、図１に示される断面線ＩＩ－ＩＩにおける概略断面図である。
図３は、実施の形態の半導体発光装置の製造方法の一工程を示す概略断面図である。
図４は、実施の形態の半導体発光装置の製造方法における、図３に示される工程の次工程を示す概略部分拡大断面図である。
図５は、実施の形態の半導体発光装置の製造方法における、図４に示される工程の次工程を示す概略部分拡大断面図である。
図６は、実施の形態の半導体発光装置の製造方法における、図５に示される工程の次工程を示す概略部分拡大断面図である。
図７は、実施の形態の半導体発光装置の製造方法における、図６に示される工程の次工程を示す概略部分拡大断面図である。
図８は、実施の形態の半導体発光装置の製造方法における、図７に示される工程の次工程を示す概略部分拡大断面図である。
図９は、実施の形態の半導体発光装置の製造方法における、図８に示される工程の次工程を示す概略部分拡大断面図である。
図１０は、実施の形態の半導体発光装置の製造方法における、図９に示される工程の次工程を示す概略部分拡大断面図である。
図１１は、実施の形態の半導体発光装置の製造方法における、図１０に示される工程の次工程を示す概略部分拡大断面図である。
図１２は、半導体発光積層体の底面に対する複数の導電部の面積比率と半導体発光装置の光出力との関係を表すグラフを示す図である。
図１３は、ｐ型コンタクト層のキャリア濃度と半導体発光装置の順方向電圧との関係を表すグラフを示す図である。
図１４は、実施の形態の第１変形例の半導体発光装置の概略平面図である。
図１５は、実施の形態の第２変形例の半導体発光装置の概略平面図である。
図１６は、実施の形態の第３変形例の半導体発光装置の概略平面図である。［詳細な説明］
【０００７】
図面に基づいて本開示の実施の形態の詳細について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。以下に記載する実施の形態の少なくとも一部の構成を任意に組み合わせてもよい。
【０００８】
図１及び図２を参照して、実施の形態の半導体発光装置１を説明する。半導体発光装置１は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）である。半導体発光装置１は、基板１０と、アノード電極１３と、反射層１４と、電流狭窄層１５と、半導体発光積層体２０と、カソード電極４０とを備える。
【０００９】
基板１０は、主面１１と、主面１１とは反対側の主面１２とを含む。基板１０は、例えば、ｐ
＋＋
型シリコン（Ｓｉ）基板のような半導体基板、または、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）または銀（Ａｇ）のうちの少なくとも一つを含む金属基板のような導体基板である。
【００１０】
反射層１４は、基板１０の主面１１上に配置されている。反射層１４は、電流狭窄層１５のうち半導体発光積層体２０とは反対側の表面上に配置されている。反射層１４は、半導体発光積層体２０から放射された光を反射する。反射層１４の厚さは、例えば、０．１μｍ以上３．０μｍ以下である。反射層１４は、例えば、ＡｕまたはＡｕを含む合金で形成されている。反射層１４は、Ａｕ層の単層であってもよいし、Ａｕ合金層の単層であってもよいし、Ａｕ層と他の金属層との積層体であってもよし、Ａｕ合金層と他の金属層との積層体であってもよい。反射層１４が積層体である場合、反射層１４のうち半導体発光積層体２０に接触する最表面は、Ａｕ層またはＡｕ合金層（例えば、金ベリリウムニッケル（ＡｕＢｅＮｉ）合金等）で形成されていることが好ましい。反射層１４が積層体である場合、反射層１４は、例えば、（電流狭窄層１５側）Ａｕ／Ｔｉ（基板１０側）の積層体である。
（【００１１】以降は省略されています）

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