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公開番号2025016319
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-31
出願番号2023174898
出願日2023-10-10
発明の名称上下部磁気浮上レールを利用する基板移送装置
出願人ヴイエムインコーポレイテッド
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/677 20060101AFI20250124BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】上下部磁気浮上レールを利用して安定的に基板を移送する基板移送装置を提供する。
【解決手段】本願発明の基板移送装置は上部磁気浮上レール及び下部磁気浮上レールを含む移動プレート、前記移動プレートと隣接するように配置されて基板を処理するプロセシングチャンバー、及び前記上部磁気浮上レール及び前記下部磁気浮上レールの間に配置されて前記移動プレート上で移動し、前記基板を収容するように構成されたシャトルを含むことができる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
上部磁気浮上レール及び下部磁気浮上レールを含む移動プレートと、
前記移動プレートと隣接するように配置されて基板を処理するプロセシングチャンバーと、
前記上部磁気浮上レール及び前記下部磁気浮上レールの間に配置されて前記移動プレート上で移動し、前記基板を収容するように構成されたシャトルとを含む基板移送装置。
続きを表示（約 860 文字）【請求項２】
前記シャトルは、少なくとも１つ以上の基板を収容するように構成された第１空間及び第２空間を含み、
前記第１空間及び前記第２空間は、互いに分離されて区分されている請求項１に記載の基板移送装置。
【請求項３】
前記第１空間は、前記第２空間の上部に配置されている請求項２に記載の基板移送装置。
【請求項４】
前記第１空間は、前記プロセシングチャンバーで処理される基板を収容し、
前記第２空間は、前記プロセシングチャンバーで処理された基板を収容する請求項２に記載の基板移送装置。
【請求項５】
前記シャトルは、前記上部磁気浮上レールと対向するように配置された第１永久磁石及び前記下部磁気浮上レールと対向するように配置された第２永久磁石を含む請求項１に記載の基板移送装置。
【請求項６】
前記シャトルは、前記基板を支持する支持台を含み、
前記支持台の一面に摩擦部材が配置されている請求項１に記載の基板移送装置。
【請求項７】
前記シャトルは、前記第１空間の内部、前記第２空間の内部、前記移動プレート、又は前記プロセシングチャンバーの環境をセンシングするセンサーを含む請求項２に記載の基板移送装置。
【請求項８】
前記センサーは、温度センサー、湿度センサー、振動センサー、重さセンサー、又は勾配センサーである請求項７に記載の基板移送装置。
【請求項９】
前記移動プレートは、前記シャトルの位置を固定させる固定ピンを含み、
前記固定ピンは、前記上部磁気浮上レール又は前記下部磁気浮上レールの電磁石の間に配置されている請求項１に記載の基板移送装置。
【請求項１０】
前記固定ピンは、前記シャトルと接触するか、又は前記シャトルの一面を貫通することによって前記シャトルの位置を固定させている請求項９に記載の基板移送装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本願発明は基板移送装置に関し、より詳細には上下部磁気浮上レールを含む基板移送装置に関するものである。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体又はディスプレー工程に使われる装備での処理量（ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）は単一工程で単位時間当たりウエハ又は基板工程を処理する量を言う。このような、処理量はプロセシングチャンバーの工程時間、バキュームロボットの処理速度、システムの真空／待機転換速度、ウエハのクーリング／ヒーティング時間、プロセス進行前のプロセス環境組成等に基づいて決定されることができる。しかし、このような要因のみで装備の処理量を極大化するのに限界が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
韓国特許第１０－０７０７３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本願発明の一課題は上下部磁気浮上レールを利用して安定的に基板を移送する基板移送装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態による基板移送装置は上部磁気浮上レール及び下部磁気浮上レールを含む移動プレート、前記移動プレートと隣接するように配置されて基板を処理するプロセシングチャンバー、及び前記上部磁気浮上レール及び前記下部磁気浮上レールの間に配置されて前記移動プレート上で移動し、前記基板を収容するように構成されたシャトルを含むことができる。
【０００６】
ここで、前記シャトルは少なくとも１つ以上の基板を収容するように構成された第１空間及び第２空間を含み、前記第１空間及び前記第２空間は互いに分離されて区分されることができる。
【０００７】
ここで、前記第１空間は前記第２空間の上部に配置されることができる。
【０００８】
ここで、前記第１空間は前記プロセシングチャンバーで処理される基板を収容し、前記第２空間は前記プロセシングチャンバーで処理された基板を収容することができる。
【０００９】
ここで、前記シャトルは前記上部磁気浮上レールと対向するように配置された第１永久磁石及び前記下部磁気浮上レールと対向するように配置された第２永久磁石を含むことができる。
【００１０】
ここで、前記シャトルは基板を支持する支持台を含み、前記支持台の一面に摩擦部材が配置されることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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