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公開番号2025014717
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-30
出願番号2023117495
出願日2023-07-19
発明の名称気相成長装置
出願人大陽日酸株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類H01L 21/205 20060101AFI20250123BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】MOCVD反応炉への受け渡し及びドライ洗浄炉への受け渡しを自動的に行うことができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置1は、反応炉部材25に保持されたウエハWをさせるMOCVD反応炉16が収容された反応室10と、反応炉部材及びウエハを搬送する第1搬送部が収容され、反応室に隣接して配置されるとともに反応室と連通可能な第1搬送室45と、反応炉部材を洗浄するドライ洗浄炉66が収容され、第1搬送室に隣接して配置されるとともに第1搬送室と連通可能な洗浄室65と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
反応炉部材に保持されたウエハをさせるＭＯＣＶＤ反応炉が収容された反応室と、
前記反応炉部材及び前記ウエハを搬送する第１搬送部が収容され、前記反応室に隣接して配置されるとともに前記反応室と連通可能な第１搬送室と、
前記反応炉部材を洗浄するドライ洗浄炉が収容され、前記第１搬送室に隣接して配置されるとともに前記第１搬送室と連通可能な洗浄室と、
を備える気相成長装置。
続きを表示（約 690 文字）【請求項２】
前記反応室内に不活性ガスを充填させる反応雰囲気部と、
前記第１搬送室内に前記不活性ガスを充填させる第１搬送雰囲気部と、
前記反応雰囲気部及び第１搬送雰囲気部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記第１搬送雰囲気部による前記第１搬送室内の前記不活性ガスの圧力を、前記反応雰囲気部による前記反応室内の前記不活性ガスの圧力よりも高くする、請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
前記洗浄室内に不活性ガスを充填させる洗浄雰囲気部を備える、請求項２に記載の気相成長装置。
【請求項４】
前記第１搬送室との間で前記ウエハを搬送する第２搬送部が収容され、前記第１搬送室に隣接して配置されるとともに前記第１搬送室と連通可能な第２搬送室と、
前記第２搬送室内に前記不活性ガスを充填させる第２搬送雰囲気部と、
を備え、
前記制御部は、前記第２搬送雰囲気部による前記第２搬送室内の前記不活性ガスの圧力を、前記第１搬送雰囲気部による前記第１搬送室内の前記不活性ガスの圧力よりも高くする、請求項２に記載の気相成長装置。
【請求項５】
前記不活性ガスの露点が－４０℃以下であり、前記不活性ガスに酸素ガスが含まれない、請求項２に記載の気相成長装置。
【請求項６】
前記第１搬送部は、前記反応炉部材を支持する支持面が上方を向いた状態で、前記反応室及び前記洗浄室のいずれか一方を向くように、自身の向きを変更可能である、請求項１又は２に記載の気相成長装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長装置に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、ウエハ上の結晶を、ＭＯＣＶＤ反応炉内でさせる（半導体薄膜を成膜する）ことが行われている。結晶をさせる際に、ＭＯＣＶＤ反応炉内で反応生成物（デポ）が生成される。この反応生成物は、ＭＯＣＶＤ反応炉内で用いられるサセプタカバー等の反応炉部材に付着するため、この反応炉部材を、例えば特許文献１のドライ洗浄装置（ドライ洗浄炉）で除去する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１２－１８６３１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来は、ＭＯＣＶＤ反応炉へのウエハ及び反応炉部材の受け渡し、ドライ洗浄装置への反応炉部材の受け渡しを、作業者が行っている。
このため、ウエハの結晶の成長に要する時間が長くなる、という問題がある。
【０００５】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであって、ＭＯＣＶＤ反応炉への受け渡し及びドライ洗浄炉への受け渡しを自動的に行うことができる気相成長装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
（１）本発明の態様１は、反応炉部材に保持されたウエハをさせるＭＯＣＶＤ反応炉が収容された反応室と、前記反応炉部材及び前記ウエハを搬送する第１搬送部が収容され、前記反応室に隣接して配置されるとともに前記反応室と連通可能な第１搬送室と、前記反応炉部材を洗浄するドライ洗浄炉が収容され、前記第１搬送室に隣接して配置されるとともに前記第１搬送室と連通可能な洗浄室と、を備える、気相成長装置である。
【０００７】
この発明では、ＭＯＣＶＤ反応炉により反応炉部材に保持されたウエハをさせるとともに、ドライ洗浄炉により反応炉部材を洗浄することができる。
そして、第１搬送部が収容された第１搬送室に対して、ＭＯＣＶＤ反応炉が収容された反応室、及びドライ洗浄炉が収容された洗浄室が、互いに隣接して配置されるとともに、第１搬送室とそれぞれ連通可能である。このため、例えば、反応室と第１搬送室との間、洗浄室と第１搬送室との間に他の室が配置された場合に比べて、反応室と第１搬送室との間の距離、洗浄室と第１搬送室との間の距離がそれぞれ短くなる。
従って、第１搬送部により、連通した部分を通して、ＭＯＣＶＤ反応炉にウエハ及び反応炉部材を自動的に受け渡すとともに、ドライ洗浄炉に反応炉部材を自動的に受け渡すことができる。
【０００８】
（２）本発明の態様２は、前記反応室内に不活性ガスを充填させる反応雰囲気部と、前記第１搬送室内に前記不活性ガスを充填させる第１搬送雰囲気部と、前記反応雰囲気部及び第１搬送雰囲気部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記第１搬送雰囲気部による前記第１搬送室内の前記不活性ガスの圧力を、前記反応雰囲気部による前記反応室内の前記不活性ガスの圧力よりも高くする、（１）に記載の気相成長装置であってもよい。
この発明では、反応雰囲気部により反応室内に不活性ガスを充填させるとともに、第１搬送雰囲気部により第１搬送室内に不活性ガスを充填させることができる。そして、制御部が、第１搬送雰囲気部による第１搬送室内の不活性ガスの圧力を、反応雰囲気部による反応室内の不活性ガスの圧力よりも高くする。このため、第１搬送室と反応室とが連通した部分を通して、第１搬送室から反応室に向かって不活性ガスが流れる。これにより、ＭＯＣＶＤ反応炉で生じた反応生成物が、連通した部分を通して第１搬送室内に流れ込むのを抑制することができる。
【０００９】
（３）本発明の態様３は、前記洗浄室内に不活性ガスを充填させる洗浄雰囲気部を備える、（１）又は（２）に記載の気相成長装置であってもよい。
この発明では、洗浄雰囲気部により洗浄室内に不活性ガスを充填させることにより、第１搬送室及び反応室内だけでなく、洗浄室内においても、ウエハが大気に暴露されるのを防止することができる。
【００１０】
（４）本発明の態様４は、前記第１搬送室との間で前記ウエハを搬送する第２搬送部が収容され、前記第１搬送室に隣接して配置されるとともに前記第１搬送室と連通可能な第２搬送室と、前記第２搬送室内に前記不活性ガスを充填させる第２搬送雰囲気部と、を備え、前記制御部は、前記第２搬送雰囲気部による前記第２搬送室内の前記不活性ガスの圧力を、前記第１搬送雰囲気部による前記第１搬送室内の前記不活性ガスの圧力よりも高くする、（１）から（３）のいずれか一に記載の気相成長装置であってもよい。
この発明では、第２搬送部により、第２搬送室と第１搬送室とが連通した部分を通して、第１搬送室との間でウエハを搬送することができる。第２搬送雰囲気部により、第２搬送室内に不活性ガスを充填させることができる。
この際に、制御部は、第２搬送雰囲気部による第２搬送室内の不活性ガスの圧力を、第１搬送雰囲気部による第１搬送室内の不活性ガスの圧力よりも高くする。従って、ＭＯＣＶＤ反応炉で生じた反応生成物が、第１搬送室を通して第２搬送室内に流れ込むのを抑制することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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