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公開番号2025012411
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2023115225
出願日2023-07-13
発明の名称情報処理装置、及び制御方法
出願人レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G06F 12/00 20060101AFI20250117BHJP(計算;計数)
要約【課題】電源が供給されていない状態で、SSDのデータ化けを低減し、一定の期間のSSDのデータの読み出しを保証する情報処理装置を提供する。
【解決手段】情報処理装置1は、1つのメモリセルで複数ビットのデータを記憶する複数ビットセルにより構成され、電気的に書き換え可能な不揮発性記憶部を含むSSD(Solid State Drive)と、SSDが記憶するデータに基づく処理を実行するメイン制御部と、を備える。SSDは、不揮発性記憶部へのアクセスを制御する記憶制御部であって、複数ビットセルに、複数ビットのデータを記憶させる際に、閾値電圧のバラツキ幅を変更可能な記憶処理を実行するメモリ制御部420を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
１つのメモリセルで複数ビットのデータを記憶する複数ビットセルにより構成され、電気的に書き換え可能な不揮発性記憶部を含むＳＳＤ（Solid State Drive）と、
前記ＳＳＤが記憶するデータに基づく処理を実行するメイン制御部と
を備え、
前記ＳＳＤは、
前記不揮発性記憶部へのアクセスを制御する記憶制御部であって、前記複数ビットセルに、前記複数ビットのデータを記憶させる際に、閾値電圧のバラツキ幅を変更可能な記憶処理を実行する記憶制御部を備える
情報処理装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記記憶制御部は、前記不揮発性記憶部の記憶領域のうち、前記メイン制御部によって設定された特定領域に対して、他の領域よりも前記閾値電圧のバラツキ幅が狭くなるように、前記複数ビットのデータを記憶させる
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記ＳＳＤは、前記不揮発性記憶部における前記特定領域の論理位置情報を記憶する位置情報記憶部を備え、
前記記憶制御部は、前記メイン制御部から指定された論理位置である指定論理位置にデータを記憶させる際に、前記位置情報記憶部が記憶する前記論理位置情報に基づいて、前記指定論理位置が、前記特定領域であるか否かを判定し、前記指定論理位置が、前記特定領域である場合に、通常の記憶モードよりも前記閾値電圧のバラツキ幅が狭い高品質記憶モードにより、前記指定論理位置にデータを記憶させる
請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記記憶制御部は、前記指定論理位置が、前記特定領域でない場合に、前記通常の記憶モードにおいて、前記高品質記憶モードよりも前記閾値電圧のバラツキ幅が広く、前記複数ビットセルへの記憶に要する期間である記憶期間が前記高品質記憶モードよりも短い前記記憶処理を実行する
請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記記憶制御部は、前記高品質記憶モードにおいて、
印加期間を分割した所定の期間、前記複数ビットセルにデータを記憶する電圧を印加する印加処理と、
前記印加処理の後、前記閾値電圧が、前記閾値電圧のバラツキ幅内になったか否かを確認する確認処理と、
前記印加処理及び前記確認処理を、前記閾値電圧が、前記閾値電圧のバラツキ幅内になるまで、繰り返す繰り返し処理と
を実行する請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記メイン制御部は、
自装置がＥＯＬ（End Of Life）になる際に、前記不揮発性記憶部に前記特定領域を設定し、当該特定領域に、後日読み出しが必要な重要データを記憶させる
請求項２から請求項５のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
１つのメモリセルで複数ビットのデータを記憶する複数ビットセルにより構成され、電気的に書き換え可能な不揮発性記憶部を含むＳＳＤ（Solid State Drive）と、
前記ＳＳＤが記憶するデータに基づく処理を実行するメイン制御部と
を備える情報処理装置の制御方法であって、
前記ＳＳＤの記憶制御部が、前記不揮発性記憶部へのアクセスを制御するステップであって、前記複数ビットセルに、前記複数ビットのデータを記憶させる際に、閾値電圧のバラツキ幅を変更可能な記憶処理を実行するステップを含む
制御方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報処理装置、及び制御方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータなどの情報処理装置では、近年、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）の代わりにＳＳＤ（Solid State Drive）を記憶装置に備えるものが普及してきている（例えば、特許文献１を参照）。また、ＳＳＤには、大容量化するために、例えば、ＭＬＣ（Multiple Level Cell）、ＴＬＣ（Triple Level Cell）、及びＱＬＣ（Quad Level Cell）などの１つのメモリセルで複数ビットに相当する記憶が可能なメモリセル（以下、複数ビットセルという）を用いたフラッシュメモリを備えるものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１５４６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来の情報処理装置では、複数ビットセルを用いることで、ＳＳＤの大容量化が可能になる反面、データリテンション（データ保持期間）が短くなる傾向にある。また、従来の情報処理装置では、例えば、新しい情報処理装置との置き換えなどにより、ＥＯＬ（End Of Life）になった場合でも、一定の期間、ＳＳＤのデータの読み出しの保証が求められることがある。しかしながら、従来の情報処理装置では、複数ビットセルを用いることで、例えば、ＥＯＬになった後などの電源が供給されていない状態で、一定の期間のＳＳＤのデータの読み出しが保証できない可能性があった。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決すべくなされたもので、その目的は、電源が供給されていない状態で、ＳＳＤのデータ化けを低減し、一定の期間のＳＳＤのデータの読み出しを保証することができる情報処理装置、及び制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記問題を解決するために、本発明の一態様は、１つのメモリセルで複数ビットのデータを記憶する複数ビットセルにより構成され、電気的に書き換え可能な不揮発性記憶部を含むＳＳＤ（Solid State Drive）と、前記ＳＳＤが記憶するデータに基づく処理を実行するメイン制御部とを備え、前記ＳＳＤは、前記不揮発性記憶部へのアクセスを制御する記憶制御部であって、前記複数ビットセルに、前記複数ビットのデータを記憶させる際に、閾値電圧のバラツキ幅を変更可能な記憶処理を実行する記憶制御部を備える情報処理装置である。
【０００７】
また、本発明の一態様は、上記の情報処理装置において、前記記憶制御部は、前記不揮発性記憶部の記憶領域のうち、前記メイン制御部によって設定された特定領域に対して、他の領域よりも前記閾値電圧のバラツキ幅が狭くなるように、前記複数ビットのデータを記憶させてもよい。
【０００８】
また、本発明の一態様は、上記の情報処理装置において、前記ＳＳＤは、前記不揮発性記憶部における前記特定領域の論理位置情報を記憶する位置情報記憶部を備え、前記記憶制御部は、前記メイン制御部から指定された論理位置である指定論理位置にデータを記憶させる際に、前記位置情報記憶部が記憶する前記論理位置情報に基づいて、前記指定論理位置が、前記特定領域であるか否かを判定し、前記指定論理位置が、前記特定領域である場合に、通常の記憶モードよりも前記閾値電圧のバラツキ幅が狭い高品質記憶モードにより、前記指定論理位置にデータを記憶させてもよい。
【０００９】
また、本発明の一態様は、上記の情報処理装置において、前記記憶制御部は、前記指定論理位置が、前記特定領域でない場合に、前記通常の記憶モードにおいて、前記高品質記憶モードよりも前記閾値電圧のバラツキ幅が広く、前記複数ビットセルへの記憶に要する期間である記憶期間が前記高品質記憶モードよりも短い前記記憶処理を実行してもよい。
【００１０】
また、本発明の一態様は、上記の情報処理装置において、前記記憶制御部は、前記高品質記憶モードにおいて、印加期間を分割した所定の期間、前記複数ビットセルにデータを記憶する電圧を印加する印加処理と、前記印加処理の後、前記閾値電圧が、前記閾値電圧のバラツキ幅内になったか否かを確認する確認処理と、前記印加処理及び前記確認処理を、前記閾値電圧が、前記閾値電圧のバラツキ幅内になるまで、繰り返す繰り返し処理とを実行してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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