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公開番号2025009851
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2024078643
出願日2024-05-14
発明の名称基板処理方法
出願人株式会社SCREENホールディングス
代理人個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250109BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】パターンの倒壊率を効果的に低減させることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、保持工程と、液供給工程と、乾燥液供給工程と、乾燥工程とを備える。保持工程では、パターンが形成された第1主面と、第1主面とは逆側の第2主面とを有する基板を保持する。液供給工程では、基板の前記第1主面に処理液を供給する。乾燥液供給工程では、液供給工程の後に、基板の第1主面に乾燥液を供給する。乾燥工程では、乾燥液供給工程の後の所定期間において基板の第2主面を加熱して、基板の第1主面の基板温度を、乾燥液供給工程における基板温度以上とし、基板を乾燥させる。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
パターンが形成された第１主面と、前記第１主面とは逆側の第２主面とを有する基板を保持する保持工程と、
前記基板の前記第１主面に処理液を供給する液供給工程と、
前記液供給工程の後に、前記基板の前記第１主面に乾燥液を供給する乾燥液供給工程と、
前記乾燥液供給工程の後の所定期間において前記基板の前記第２主面を加熱して、前記基板の前記第１主面の基板温度を、前記乾燥液供給工程における前記基板温度以上とし、前記基板を乾燥させる乾燥工程と
を備える、基板処理方法。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記所定期間において、前記基板の前記第１主面のうちの少なくとも一部の前記基板温度を前記乾燥液の沸点以上とする、基板処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記乾燥液供給工程において、単位時間当たりの第１熱量で前記基板の前記第２主面を加熱し、
前記乾燥工程の前記所定期間において、前記第１熱量よりも大きな単位時間当たりの第２熱量で前記基板の前記第２主面を加熱する、基板処理方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記所定期間において、熱媒体を前記基板の前記第２主面に供給する、基板処理方法。
【請求項５】
請求項３に記載の基板処理方法であって、
前記乾燥液供給工程において、高温熱媒体と、前記高温熱媒体よりも温度が低い低温熱媒体とを混合して得られた熱媒体を、前記基板の前記第２主面に供給し、
前記高温熱媒体と前記低温熱媒体との混合比を調整して、前記乾燥液供給工程での前記熱媒体よりも高温の前記熱媒体を、前記乾燥工程の少なくとも前記所定期間において前記基板の前記第２主面に供給する、基板処理方法。
【請求項６】
請求項４に記載の基板処理方法であって、
前記所定期間において、前記乾燥液の沸点以上の温度の前記熱媒体を、前記基板の前記第２主面に供給する、基板処理方法。
【請求項７】
請求項４に記載の基板処理方法であって、
前記乾燥液供給工程において、前記乾燥液の沸点以上の温度の前記熱媒体を、前記基板の前記第２主面に供給しつつ、前記基板の前記第１主面の前記基板温度が前記沸点未満となる流量で前記乾燥液を供給する、基板処理方法。
【請求項８】
請求項４に記載の基板処理方法であって、
前記熱媒体は液体を含み、
前記乾燥液供給工程において、前記基板の前記第１主面と対向する対向面を有する遮断板が遮断処理位置に位置する状態で、前記基板の前記第１主面に前記乾燥液を供給し、
前記乾燥工程の前記所定期間において、前記遮断板が前記遮断処理位置よりも前記第１主面に近い乾燥位置に移動させた状態で、前記遮断板の中央部のガス吐出口から前記基板の前記第１主面に向かって不活性ガスを供給する、基板処理方法。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理方法であって、
前記所定期間において、前記基板の前記第１主面に、加熱された前記不活性ガスを供給する、基板処理方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の基板処理方法であって、
前記乾燥液供給工程において、前記ガス吐出口に向かうにつれて広がる拡径流路を有する前記遮断板の内部のガス流路を通じて前記不活性ガスを前記基板の前記第１主面に供給し、
前記遮断板を前記遮断処理位置から前記乾燥位置に移動させつつ、前記不活性ガスの流量を増加させる、基板処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
従来から、基板を処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている（例えば特許文献１）。特許文献１では、基板処理装置は、基板にリンス液を供給した後に、リンス液よりも表面張力が低いイソプロピルアルコールを基板に供給し、その後、基板を乾燥させる。これにより、乾燥時における基板のパターンの倒壊を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－２３１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１では、イソプロピルアルコールの温度について考察されていない。このため、効果的にパターンの倒壊率を低減させることができない。
【０００５】
そこで、本開示は、パターンの倒壊率を効果的に低減させることができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の態様は、基板処理方法であって、パターンが形成された第１主面と、前記第１主面とは逆側の第２主面とを有する基板を保持する保持工程と、前記基板の前記第１主面に処理液を供給する液供給工程と、前記液供給工程の後に、前記基板の前記第１主面に乾燥液を供給する乾燥液供給工程と、前記乾燥液供給工程の後の所定期間において前記基板の前記第２主面を加熱して、前記基板の前記第１主面の基板温度を、前記乾燥液供給工程における前記基板温度以上とし、前記基板を乾燥させる乾燥工程とを備える。
【０００７】
第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理方法であって、前記所定期間において、前記基板の前記第１主面のうちの少なくとも一部の前記基板温度を前記乾燥液の沸点以上とする。
【０００８】
第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理方法であって、前記乾燥液供給工程において、単位時間当たりの第１熱量で前記基板の前記第２主面を加熱し、前記乾燥工程の前記所定期間において、前記第１熱量よりも大きな単位時間当たりの第２熱量で前記基板の前記第２主面を加熱する。
【０００９】
第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記所定期間において、熱媒体を前記基板の前記第２主面に供給する。
【００１０】
第５の態様は、第３の態様にかかる基板処理方法であって、前記乾燥液供給工程において、高温熱媒体と、前記高温熱媒体よりも温度が低い低温熱媒体とを混合して得られた熱媒体を、前記基板の前記第２主面に供給し、前記高温熱媒体と前記低温熱媒体との混合比を調整して、前記乾燥液供給工程での前記熱媒体よりも高温の前記熱媒体を、前記乾燥工程の少なくとも前記所定期間において前記基板の前記第２主面に供給する。
（【００１１】以降は省略されています）

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