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公開番号2025004713
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-15
出願番号2023104582
出願日2023-06-26
発明の名称セラミックスサセプタ
出願人日本特殊陶業株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250107BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】端子の直上の基材のクラックの発生や進展を抑制することができるセラミックスサセプタを提供する。
【解決手段】セラミックスにより形成された基材110と、前記基材110に埋設された電極120と、前記電極120に電気的に接続された端子130と、前記端子130の直上に位置し、前記基材110の上面112から上方に突出し、かつ、断面視において、前記端子130の最小径より大きな幅を有するように形成された絶縁層厚部140と、前記基材110の上面112から上方に突出して形成された複数の凸部150と、を備え、前記絶縁層厚部の上端面142と前記基材110の上面112との距離は、前記絶縁層厚部140の周囲に隣接する前記凸部の上端面152と前記基材110の上面112との距離より小さい。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
セラミックスサセプタであって、
セラミックスにより形成された基材と、
前記基材に埋設された電極と、
前記電極に電気的に接続された端子と、
前記端子の直上に位置し、前記基材の上面から上方に突出し、かつ、断面視において、前記端子の最小径より大きな幅を有するように形成された絶縁層厚部と、
前記基材の上面から上方に突出して形成された複数の凸部と、を備え、
前記絶縁層厚部の上端面と前記基材の上面との距離は、前記絶縁層厚部の周囲に隣接する前記凸部の上端面と前記基材の上面との距離より小さいことを特徴とするセラミックスサセプタ。
続きを表示（約 470 文字）【請求項２】
上面視において、前記電極は、前記端子と重なる直上部を有し、
前記電極は、前記直上部が底部となる凹状であることを特徴とする請求項１に記載のセラミックスサセプタ。
【請求項３】
上面視において、前記電極は、前記端子と重なる直上部を有し、
前記電極は、前記直上部に開孔を有することを特徴とする請求項１に記載のセラミックスサセプタ。
【請求項４】
前記絶縁層厚部の上端面と前記絶縁層厚部の周囲に隣接する前記凸部の上端面の距離ｇは、３０μｍ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のセラミックスサセプタ。
【請求項５】
前記絶縁層厚部の上端面から上方に突出して形成された第２の凸部をさらに備え、
前記基材の上面と前記第２の凸部の上端面との距離は、前記基材の上面と前記第２の凸部を備える前記絶縁層厚部の周囲に隣接する前記凸部の上端面との距離と同一であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のセラミックスサセプタ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックスサセプタに関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
成膜やエッチングプロセスで基板を支持する半導体製造装置用部材として、セラミックスサセプタが用いられてきた。ヒーターや静電チャックなどのセラミックスサセプタは、セラミックス焼結体に電極が埋設され、その電極に外部電源を接続するための端子が設けられている。セラミックス焼結体と端子はＣＴＥが異なるため、製造時や使用中に端子周辺、特に端子直上部のセラミックス絶縁層にクラックが発生し絶縁不良を発生させていた。
【０００３】
特許文献１は、表面及び裏面を有し、セラミックスからなる板状の基材と、基材の表面に沿って延在し、基材に埋設される内部電極と、基材に埋設され、基材の厚み方向に延在する内部電極と電気的に接続される内部導体部と、基材の裏面から基材内部に伸長する端子穴と、端子穴に配置され、内部電極と内部導体部を介して電気的に接続される端子と、を備える電極埋設部材及びその製造方法が開示されている。
【０００４】
特許文献２は、板状の基材と、基材に埋設され、開口部が形成された内部電極と、基材の厚み方向において開口部に重なるように内部電極よりも裏面側に位置する導電性部材と、端子穴に少なくとも一部が配置され、導電性部材に接続される端子と、を備え、内部電極は、基材の表面に沿って配置された平面電極部と、基材の厚み方向において開口部と重なる領域を通過しないように、平面電極部から導電性部材側に向って延び、導電性部材に導通する端子接続部と、を備えている電極埋設部材が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１９－２０４９０３号公報
特開２０２０－２１７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１は、電極と端子との距離を大きくするように端子を配置することで絶縁層への影響を小さくし、絶縁層にクラックが生じないような構造としていた。特許文献２は、導電性部材から基材の表面までの距離を大きくすることで、絶縁層にクラックが生じないような構造としていた。しかし、これらだけではクラックが抑制できない例もあり、更なるクラック抑制手段を有するサセプタが望まれていた。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、端子の直上の基材のクラックの発生や進展を抑制することができるセラミックスサセプタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）上記の目的を達成するため、本発明のセラミックスサセプタは、以下の手段を講じた。すなわち、本発明の適用例のセラミックスサセプタは、セラミックスサセプタであって、セラミックスにより形成された基材と、前記基材に埋設された電極と、前記電極に電気的に接続された端子と、前記端子の直上に位置し、前記基材の上面から上方に突出し、かつ、断面視において、前記端子の最小径より大きな幅を有するように形成された絶縁層厚部と、前記基材の上面から上方に突出して形成された複数の凸部と、を備え、前記絶縁層厚部の上端面と前記基材の上面との距離は、前記絶縁層厚部の周囲に隣接する前記凸部の上端面と前記基材の上面との距離より小さいことを特徴としている。
【０００９】
このように、基材の上面から上方に突出して端子の最小径より大きく形成された絶縁層厚部を端子の直上に配置することで、端子の直上の電極と絶縁層厚部の上端面との距離を絶縁層厚部や複数の凸部が形成されない他の領域の電極と基材の上面との距離より大きくすることができ、端子の直上の基材のクラックの発生や進展を抑制することができる。また、絶縁層厚部の上端面と基材の上面との距離を絶縁層厚部の周囲に隣接する凸部と基材の上面との距離より小さくすることで、基板と絶縁層厚部の上端面との接触を抑制できる。
【００１０】
（２）また、上記（１）の適用例のセラミックスサセプタにおいて、上面視において、前記電極は、前記端子と重なる直上部を有し、前記電極は、前記直上部が底部となる凹状であることを特徴としている。
（【００１１】以降は省略されています）

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