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公開番号2024177082
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-19
出願番号2024079507
出願日2024-05-15
発明の名称加熱手段および化学線源を含むシステム、ならびにこれを使用する方法
出願人キヤノン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/027 20060101AFI20241212BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】表面の両端間で高度差を有しない、または少なくとも高度差の少ない平坦化層を提供すること。
【解決手段】システムは、基材上の光硬化性組成物を加熱するための加熱手段;700nm未満の波長で化学線を放出するように構成された化学線源;および光硬化性組成物が化学線源に曝露されるとき、光硬化性組成物の光硬化温度を達成するように、第1の加熱手段によって生じる標的温度を決定するように構成された制御装置であって、光硬化温度が周囲温度よりも高い、制御装置を含んでもよい。方法は、光硬化性組成物を基材上に供給すること;周囲温度よりも高い光硬化温度において、光硬化性組成物の層を光硬化させて、硬化層を形成すること;および硬化層を焼成して焼成層を形成することを含んでもよい。システムおよび方法は、層の厚さ変化を0%または0%近くにすることができる。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
基材上の光硬化性組成物を加熱するための第１の加熱手段；
７００ｎｍ未満の波長で化学線を放出するように構成された化学線源；および
光硬化性組成物が化学線源に曝露されるとき、光硬化性組成物の光硬化温度を達成するように、第１の加熱手段によって生じる標的温度を決定するように構成された制御装置であって、光硬化温度が周囲温度よりも高い、制御装置
を含む、システム。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
システムが機械を含み、第１の加熱手段と化学線源とが、機械内の同じステーション内にある、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
光硬化性組成物が光硬化温度にあり、化学線に曝露されているとき、基材を保持するように構成された第１の基材チャック
をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
光硬化性組成物が第１の加熱手段に曝露されているとき、基材を保持するように構成された第２の基材チャック；および
光硬化性組成物を有する基材を、第１の基材チャックと第２の基材チャックとの間で搬送するように構成された基材搬送ツール
をさらに含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
光硬化性組成物を基材上に供給するように構成された供給ヘッド
をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
上材を、基材に重なった光硬化性組成物と接触させて載置するように構成されたステーション
をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
光硬化性組成物に対応する硬化層を加熱して、焼成層を形成するように構成された第２の加熱手段であって、基材と硬化層とを、光硬化温度よりも高い焼成温度に加熱するように構成されている、第２の加熱手段
をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
光硬化性組成物の温度に対応する第１の信号を発生させるように構成された温度センサ
をさらに含み、
制御装置が、第１の信号を受信し、前記温度が光硬化温度±５℃である場合に、化学線源を活性化するための第２の信号を伝送するようにさらに構成されている、
請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
光硬化性組成物を基材上に供給することであって、光硬化性組成物が多官能性モノマーを含む、供給すること；
光硬化性組成物が、周囲温度よりも高い光硬化温度にある間に、光硬化性組成物を光硬化することであって、基材上に硬化層を形成する、光硬化すること；および
硬化層を焼成して焼成層を形成することであって、光硬化温度よりも高い焼成温度で行われる、焼成すること
を含む方法。
【請求項１０】
光硬化温度が２５℃よりも高い、請求項９に記載の方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、加熱手段および化学線源を含むシステム、ならびにシステムを使用する方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
インクジェット適応平坦化（ＩＡＰ）は、超小型電子製造に使用される。超小型電子部品の寸法は小さくなり続けているため、ＩＡＰを含むプロセスはより困難になっている。ＩＡＰプロセスは、光硬化性組成物を基材上に供給すること、および基材を光硬化性組成物と接触させて載置することを含むこともある。ＩＡＰプロセスは、光硬化性組成物を化学線に曝露することによって、光硬化性組成物の層を光硬化させて、硬化層を形成することをさらに含んでもよい。光硬化は、室温、例えば２０℃で行われる。次いで、硬化層を焼成して、焼成層を形成する。焼成層の厚さは、光硬化性組成物の厚さよりも薄い。厚さ変化は、上に記載したＩＡＰプロセスによって形成された焼成層の平坦化性能を低減する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
得られた焼成層の表面は、局所的に低い高度の領域もあれば局所的に高い高度の領域もある、一様でない地形を有することがある。このような表面の両端間で高度差を有しない、または少なくとも高度差の少ない平坦化層が所望される。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
態様では、システムは、基材上の光硬化性組成物を加熱するための第１の加熱手段；７００ｎｍ未満の波長で化学線を放出するように構成された化学線源；および光硬化性組成物が化学線源に曝露されるとき、光硬化性組成物の光硬化温度を達成するように、第１の加熱手段によって生じる標的温度を決定するように構成された制御装置であって、光硬化温度が周囲温度よりも高い、制御装置を含む。
【０００５】
実施形態では、システムは機械を含み、第１の加熱手段と化学線源とは、機械内の同じステーション内にある。
【０００６】
別の実施形態では、システムは、光硬化性組成物が光硬化温度にあり、化学線に曝露されているとき、基材を保持するように構成された第１の基材チャックをさらに含む。
【０００７】
特定の実施形態では、システムは、光硬化性組成物が第１の加熱手段に曝露されているとき、基材を保持するように構成された第２の基材チャック；および光硬化性組成物を有する基材を、第１の基材チャックと第２の基材チャックとの間で搬送するように構成された基材搬送ツールをさらに含む。
【０００８】
なおも別の実施形態では、システムは、光硬化性組成物を基材上に供給するように構成された供給ヘッドをさらに含む。
【０００９】
またなお別の実施形態では、システムは、上材を、基材に重なった光硬化性組成物と接触させて載置するように構成されたステーションをさらに含む。
【００１０】
さらなる実施形態では、システムは、光硬化性組成物に対応する硬化層を加熱して、焼成層を形成するように構成された第２の加熱手段であって、基材と硬化層とを、光硬化温度よりも高い焼成温度に加熱するように構成されている、第２の加熱手段をさらに含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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