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公開番号2024159483
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-08
出願番号2024014326
出願日2024-02-01
発明の名称発光素子の製造方法及び発光素子
出願人日亜化学工業株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H01L 33/38 20100101AFI20241031BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】透光性導電層における光吸収を低減しつつ、透光性導電層と導電層とをより高い信頼性で電気的に接続することができる発光素子の製造方法及び発光素子を提供すること。
【解決手段】発光素子の製造方法は、n側半導体層と、n側半導体層上に位置する活性層と、活性層上に位置するp側半導体層とを有する半導体構造体を準備する工程と、p側半導体層の上面の一部に形成された第1層と、p側半導体層の上面及び第1層を覆う第2層とを有する透光性導電層を形成する工程と、第2層を覆う絶縁膜を形成する工程と、平面視において第1層と重なる領域の絶縁膜を除去し絶縁膜に第1開口を形成することで、絶縁膜から透光性導電層を露出させる工程と、第1開口に透光性導電層と電気的に接続する第1導電層を形成する工程とを備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体を準備する工程と、
前記ｐ側半導体層の上面の一部に形成された第１層と、前記ｐ側半導体層の前記上面及び前記第１層を覆う第２層と、を有する透光性導電層を形成する工程と、
前記第２層を覆う絶縁膜を形成する工程と、
平面視において前記第１層と重なる領域の前記絶縁膜を除去し前記絶縁膜に第１開口を形成することで、前記絶縁膜から前記透光性導電層を露出させる工程と、
前記第１開口に、前記透光性導電層と電気的に接続する第１導電層を形成する工程と、
を備える、発光素子の製造方法。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記透光性導電層を形成する工程は、前記第１層を形成する工程と、前記第２層を形成する工程とを有し、
前記第１層を形成する工程は、
第１膜を前記ｐ側半導体層の前記上面に形成する工程と、
前記第１膜の一部を除去して、前記ｐ側半導体層の前記上面の前記一部に前記第１膜の他の一部を前記第１層として残す工程と、
を有する、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜から前記透光性導電層を露出させる工程において、前記透光性導電層の一部が除去される、請求項１または２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜から前記透光性導電層を露出させる工程において、平面視において前記第１層と重なる領域の前記第２層の一部を除去し前記第２層に第２開口を形成することで、前記第２層から前記第１層を露出させ、
前記第１導電層を形成する工程において、前記第１開口及び前記第２開口に、前記透光性導電層と電気的に接続する前記第１導電層を形成する、請求項３に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記第１層の厚さは、前記第２層の厚さよりも厚い、請求項１または２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記第１層の厚さは、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、前記第２層の厚さは、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である、請求項５に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記透光性導電層を形成する工程は、
前記第１層を形成した後、前記第２層を形成する前に、３５０℃より大きく４００℃以下である第１温度で第１熱処理を行う工程と、
前記第２層を形成した後、３００℃以上３５０℃以下である第２温度で第２熱処理を行う工程と、
を有する、請求項５に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁膜から前記透光性導電層を露出させる工程において、複数の前記第１開口を形成し、
前記第１層は、平面視において、複数の前記第１開口に重なるそれぞれの領域に位置する第１部分と、前記第１部分の間を接続する第２部分と、を有する、請求項１または２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記透光性導電層を形成する工程において、前記第１層と前記ｐ側半導体層の前記上面との接触面積は、前記第２層と前記ｐ側半導体層の前記上面との接触面積よりも小さい、請求項１または２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１０】
ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体と、
前記ｐ側半導体層の上面の一部に配置された第１層と、前記ｐ側半導体層の前記上面及び前記第１層を覆う第２層と、を有する透光性導電層と、
前記第２層を覆う絶縁膜であって、平面視において前記第１層と重なる領域に位置する第１開口を有する絶縁膜と、
前記第１開口に配置され、且つ前記第１開口の下方において前記透光性導電層と接する第１導電層と、
を備え、
前記第１層上に位置する前記第２層の粒径は、前記第１層の粒径よりも大きい、発光素子。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子の製造方法及び発光素子に関する。
続きを表示（約 2,600 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１には、ｐ側半導体層上に透明電極を配置し、透明電極を覆う分布ブラッグ反射膜を形成した後、分布ブラッグ反射膜に形成した開口を介してｐ側半導体層に接続するｐコンタクト電極を分布ブラッグ反射膜上に形成することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－７９９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、透光性導電層における光吸収を低減しつつ、透光性導電層と導電層とをより高い信頼性で電気的に接続することができる発光素子の製造方法及び発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、発光素子の製造方法は、ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体を準備する工程と、前記ｐ側半導体層の上面の一部に形成された第１層と、前記ｐ側半導体層の前記上面及び前記第１層を覆う第２層と、を有する透光性導電層を形成する工程と、前記第２層を覆う絶縁膜を形成する工程と、平面視において前記第１層と重なる領域の前記絶縁膜を除去し前記絶縁膜に第１開口を形成することで、前記絶縁膜から前記透光性導電層を露出させる工程と、前記第１開口に、前記透光性導電層と電気的に接続する第１導電層を形成する工程と、を備える。
【０００６】
本発明の一態様によれば、発光素子は、ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体と、前記ｐ側半導体層の上面の一部に配置された第１層と、前記ｐ側半導体層の前記上面及び前記第１層を覆う第２層と、を有する透光性導電層と、前記第２層を覆う絶縁膜であって、平面視において前記第１層と重なる領域に位置する第１開口を有する絶縁膜と、前記第１開口に配置され、且つ前記第１開口の下方において前記透光性導電層と接する第１導電層と、を備え、前記第１層上に位置する前記第２層の粒径は、前記第１層の粒径よりも大きい。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、透光性導電層における光吸収を低減しつつ、透光性導電層と導電層とをより高い信頼性で電気的に接続することができる発光素子の製造方法及び発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施形態の発光素子の模式平面図である。
図１のII-II線における模式断面図である。
実施形態の発光素子における第１導電層と透光性導電層との接続部分の模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
実施形態の発光素子の透光性導電層における第１層のＡＦＭ画像である。
実施形態の発光素子の透光性導電層における第１層上に位置する第２層のＡＦＭ画像である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。各図面中、同じ構成には同じ符号を付している。なお、各図面は、実施形態を模式的に示したものであるため、各部材のスケール、間隔若しくは位置関係などが誇張、又は部材の一部の図示を省略する場合がある。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を示す場合がある。また、断面図において、半導体構造体の各層の境界を見やすくするために、半導体構造体の断面にはハッチングを付していない。
【００１０】
以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。また、特定の方向又は位置を示す用語（例えば、「上」、「下」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向又は位置を分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向又は位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。本明細書において「上」と表現する位置関係は、接している場合と、接していないが上方に位置している場合も含む。また、本明細書において、特定的な記載がない限り、部材が被覆対象を覆うとは、部材が被覆対象に接して被覆対象を直接覆う場合と、部材が被覆対象に非接触で被覆対象を間接的に覆う場合を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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