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公開番号2024155439
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-31
出願番号2023070150
出願日2023-04-21
発明の名称半導体装置
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 23/29 20060101AFI20241024BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】リードフレームと放熱用金属板との間に樹脂が十分に充填された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ヒートシンクと、ヒートシンクの上側に離隔して設けられたダイパッドと、ダイパッドのヒートシンクと対向する面と反対側の面に設けられたパワーチップと、ヒートシンクの一部、ダイパッド及びパワーチップを封止するモールド樹脂と、を備え、ヒートシンクのダイパッドに対向する面は、ダイパッドと重なる領域で、かつ、パワーチップと重ならない領域で、ダイパッドを含む平面から離れるように形成された流動促進部を含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ヒートシンクと、
前記ヒートシンクの上側に離隔して設けられたダイパッドと、
前記ダイパッドの前記ヒートシンクと対向する面と反対側の面に設けられたパワーチップと、
前記ヒートシンクの一部、前記ダイパッド及び前記パワーチップを封止するモールド樹脂と、
を備え、
前記ヒートシンクの前記ダイパッドに対向する面は、前記ダイパッドと重なる領域で、かつ、前記パワーチップと重ならない領域で、前記ダイパッドを含む平面から離れるように形成された流動促進部を含むことを特徴とする
半導体装置。
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
前記モールド樹脂の外形部には、他の前記モールド樹脂の樹脂とは光沢が異なる、又は凹みや突起により前記外形部の表面とは高さが異なるゲート痕が設けられており、前記ヒートシンクの前記流動促進部は、前記ゲート痕が設けられた側と反対側の位置に設けられていることを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記パワーチップを複数備え、
前記ヒートシンクの前記ダイパッドの側の面は、複数の前記ダイパッドの間に対応する位置において、前記ダイパッドを含む平面から離れるように形成された窪み部を含むことを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ヒートシンクの上側に離隔して設けられ、前記ダイパッドを有するリードフレームは、前記モールド樹脂から露出した端子部と、前記端子部と前記ダイパッドとを接続する曲げ部と、を有し、
前記端子部を含む面は、前記ダイパッドを含む面よりも前記ヒートシンクから離れた位置に設けられ、
前記ヒートシンクは、平面視で前記曲げ部と重なる領域に前記リードフレームの前記曲げ部に沿った傾斜部を有することを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記リードフレームは、前記曲げ部にスリットを有することを特徴とする
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記パワーチップは、ＲＣ－ＩＧＢＴを含むことを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記パワーチップ及びダイオード素子がワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることを特徴とする
半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、モールド成形された半導体装置に関するものである。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
従来技術では、半導体素子と、リードフレームと、放熱用金属板とを備え、半導体素子、リードフレーム、及び放熱用金属板がモールドされた半導体装置が開示されている。（例えば、特許文献１。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平８－１４８５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来技術では、樹脂によって半導体素子を封入する際、リードフレームと放熱用金属板との間が狭い場合に、樹脂が未充填となるおそれがあるという課題があった。
【０００５】
本開示は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、リードフレームと放熱用金属板との間に樹脂が十分に充填された半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る半導体装置は、ヒートシンクと、ヒートシンクの上側に離隔して設けられたダイパッドと、ダイパッドのヒートシンクと対向するメント反対側の面に設けられたパワーチップと、ヒートシンクの一部、ダイパッド及びパワーチップを封止するモールド樹脂と、を備え、ヒートシンクのダイパッドに対向する面は、ダイパッドと重なる領域で、かつ、パワーチップと重ならない領域で、パワーチップを含む平面から離れるように形成された流動促進部を含むものである。
【発明の効果】
【０００７】
本開示に係る半導体装置によれば、リードフレームとヒートシンクとの間が狭い場合であっても、リードフレームと放熱用金属板との間に樹脂を十分に充填することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の上面模式図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の側面図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の側面図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置のヒートシンクの拡大図である。
本開示の実施の形態２に係る半導体装置の側面図である。
本開示の実施の形態３に係る半導体装置の上面図である。
本開示の実施の形態３に係る半導体装置の側面図である。
本開示の実施の形態３に係る半導体装置の側面図である。
本開示の実施の形態４に係る半導体装置の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、図面は模式的に示されたものであり、異なる図面にそれぞれ示されているサイズ及び位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されたものではなく、適宜変更され得る。また、以下の説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称及び機能も同一又は同様のものとする。よって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。
【００１０】
実施の形態１．
実施の形態１における半導体装置１０１について、図１から図４を用いて説明する。図１は実施の形態１に係る半導体装置１０１の上面模式図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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