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公開番号2024153929
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-29
出願番号2024133742,2023044528
出願日2024-08-09,2018-06-15
発明の名称支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板
出願人日本電気硝子株式会社
代理人
主分類C03C 3/087 20060101AFI20241022BHJP(ガラス;鉱物またはスラグウール)
要約【課題】加工基板の寸法変化を生じさせ難い支持ガラス基板を創案する。
【解決手段】本発明の支持ガラス基板は、30～380℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が30×10^-7/℃以上であり、且つ55×10^-7/℃以下であり、ヤング率が80GPa以上であることを特徴とする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０
－７
／℃以上であり、且つ５５×１０
－７
／℃以下であり、ヤング率が８０ＧＰａ以上であることを特徴とする支持ガラス基板。
続きを表示（約 860 文字）【請求項２】
全体板厚偏差（ＴＴＶ）が２．０μｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載の支持ガラス基板。
【請求項３】
ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ
２
５０～６６％、Ａｌ
２
Ｏ
３
７～３４％、Ｂ
２
Ｏ
３
０～８％、ＭｇＯ０～２２％、ＣａＯ１～１５％、Ｙ
２
Ｏ
３
＋Ｌａ
２
Ｏ
３
＋ＺｒＯ
２
０～２０％を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の支持ガラス基板。
【請求項４】
半導体パッケージの製造工程で、半導体チップが樹脂にモールドされた加工基板の支持に用いることを特徴とする請求項１～３の何れかに記載の支持ガラス基板。
【請求項５】
少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層基板であって、支持ガラス基板が請求項１～４の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする積層基板。
【請求項６】
加工基板が、半導体チップが樹脂にモールドされた加工基板であることを特徴とする請求項５に記載の積層基板。
【請求項７】
少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層基板を用意する工程と、
加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項１～４の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】
加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項９】
加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体パッケージの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板に関し、具体的には、半導体パッケージの製造工程で半導体チップが樹脂にモールドされた加工基板の支持に用いる支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（ＰｅｒｓｏｎａｌＤａｔａＡｓｓｉｓｔａｎｃｅ）等の携帯型電子機器には、小型化及び軽量化が要求されている。これに伴い、これらの電子機器に用いられる半導体チップの実装スペースも厳しく制限されており、半導体チップの高密度な実装が課題になっている。そこで、近年では、三次元実装技術、すなわち半導体チップ同士を積層し、各半導体チップ間を配線接続することにより、半導体パッケージの高密度実装を図っている。
【０００３】
また、従来のウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）は、バンプをウエハの状態で形成した後、ダイシングで個片化することにより作製されている。しかし、従来のＷＬＰは、ピン数を増加させ難いことに加えて、半導体チップの裏面が露出した状態で実装されるため、半導体チップの欠け等が発生し易いという問題があった。
【０００４】
そこで、新たなＷＬＰとして、ｆａｎｏｕｔ型のＷＬＰが提案されている。ｆａｎｏｕｔ型のＷＬＰは、ピン数を増加させることが可能であり、また半導体チップの端部を保護することにより、半導体チップの欠け等を防止することができる。
【０００５】
ｆａｎｏｕｔ型のＷＬＰには、チップファースト型とチップラスト型の製造方法がある。チップファースト型では、例えば、複数の半導体チップを樹脂の封止材でモールドして、加工基板を形成した後に、加工基板の一方の表面に配線する工程、半田バンプを形成する工程等を有する。チップラスト型では、例えば、支持基板上に配線層を設置した上で、複数の半導体チップを配列し、樹脂の封止材でモールドして加工基板を形成した後に、半田バンプを形成する工程等を有する。
【０００６】
更に、最近では、パネルレベルパッケージ(ＰＬＰ)と呼ばれる半導体パッケージも検討されている。ＰＬＰでは、支持基板１枚当たりの半導体パッケージの取れ数を増加させつつ、製造コストを低下させるために、ウエハ状ではなく矩形状の支持基板が使用される。
【０００７】
これらの半導体パッケージの製造工程では、約２００℃の熱処理を伴うため、封止材が変形して、加工基板に反りが発生する虞がある。加工基板に反りが発生すると、加工基板の一方の表面に対して、高密度に配線することが困難になり、また半田バンプを正確に形成することも困難になる。
【０００８】
このような事情から、加工基板の反りを抑制するために、加工基板を支持するガラス基板を用いることが検討されている（特許文献１参照）。
【０００９】
ガラス基板は、表面を平滑化し易く、且つ剛性を有する。よって、支持基板としてガラス基板を用いると、加工基板を強固、且つ正確に支持することが可能になる。またガラス基板は、紫外光、赤外光等の光を透過し易い。よって、支持基板としてガラス基板を用いると、紫外線硬化型接着剤等の接着層等を設けることにより、加工基板を容易に固定することができる。更に赤外線を吸収する剥離層等を設けることにより、加工基板を容易に分離することもできる。別の方式として紫外線硬化型テープ等により接着層等を設けることにより、加工基板を容易に固定、分離することもできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
特開２０１５－７８１１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
（【００１１】以降は省略されています）

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