TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2024136985
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-04
出願番号2023048312
出願日2023-03-24
発明の名称受信回路及び半導体集積回路
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類H04L 25/02 20060101AFI20240927BHJP(電気通信技術)
要約【課題】信号からデータを適切に復元することができる半導体集積回路を提供する
【解決手段】本実施形態の受信回路は、連続時間線形等化器と、第1オフセット回路と、第2オフセット回路と、第1増幅回路と、第2増幅回路と、第3増幅回路とを備える。連続時間線形等化器は、受信信号に対して信号処理を施し信号処理した出力信号を出力する。第1オフセット回路は、出力信号に第1オフセット電圧を印加する。第2オフセット回路は、出力信号に第1オフセットと逆の極性の第2オフセット電圧を印加する。第1増幅回路は、第1オフセット回路の出力信号を増幅する。第2増幅回路は、第2オフセット回路の出力信号を増幅する。第3増幅回路は、出力信号に基づく信号を増幅する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項1】
受信信号に対して信号処理を施し、前記信号処理した出力信号を出力する連続時間線形等化器と、
前記出力信号に第1オフセット電圧を印加する第1オフセット回路と、
前記出力信号に前記第1オフセットと逆の極性の第2オフセット電圧を印加する第2オフセット回路と、
前記第1オフセット回路の出力信号を増幅する第1増幅回路と、
前記第2オフセット回路の出力信号を増幅する第2増幅回路と、
前記出力信号に基づく信号を増幅する第3増幅回路と、
を備える受信回路。
続きを表示(約 1,100 文字)【請求項2】
前記出力信号は、それぞれの電圧範囲が異なる複数の開口を含み、
前記第1オフセット回路は、前記出力信号の上位開口の中心が0Vとなるように前記第1オフセット電圧を印加し、
前記第2オフセット回路は、前記出力信号の下位開口の中心が0Vとなるように前記第2オフセット電圧を印加する請求項1に記載の受信回路。
【請求項3】
前記第1増幅回路の出力信号を閾値と比較し、第1比較結果を出力する第1比較回路と、
前記第2増幅回路の出力信号を前記閾値と比較し、第2比較結果を出力する第2比較回路と、
前記第3増幅回路の出力信号を前記閾値と比較し、第3比較結果を出力する第3比較回路と、
を有する請求項1に記載の受信回路。
【請求項4】
前記第1比較回路、前記第2比較回路及び前記第3比較回路の出力信号の全てを、前記第1増幅回路、前記第2増幅回路及び前記第3増幅回路のそれぞれの出力信号に重畳する請求項3に記載の受信回路。
【請求項5】
前記第1オフセット回路及び前記第2オフセット回路は、電圧源、バッファ回路、又は、コンデンサ及び抵抗を含む請求項1に記載の受信回路。
【請求項6】
前記受信信号がPAM-N信号(N=4以上の整数)の場合、N-1個の増幅回路を備える請求項1に記載の受信回路。
【請求項7】
受信信号に対して信号処理を施し、前記信号処理した出力信号を出力する連続時間線形等化器と、
前記出力信号に第1オフセット電圧を印加する第1オフセット回路と、
前記出力信号に前記第1オフセットと逆の極性の第2オフセット電圧を印加する第2オフセット回路と、
前記第1オフセット回路の出力信号を増幅する第1増幅回路と、
前記第2オフセット回路の出力信号を増幅する第2増幅回路と、
前記第1増幅回路の出力信号を閾値と比較し、第1比較結果を出力する第1比較回路と、
前記第2増幅回路の出力信号を前記閾値と比較し、第2比較結果を出力する第2比較回路と、
前記第1増幅回路の出力信号と前記第2増幅回路の出力信号とを補完して前記閾値と比較し、第3比較結果を出力する第3比較回路と、
を備える受信回路。
【請求項8】
前記受信信号がPAM-N信号(N=4以上の整数)の場合、N/2個の増幅回路を備える請求項7に記載の受信回路。
【請求項9】
請求項1から請求項8の何れか1項に記載の受信回路と、
前記受信回路を備えたインターフェース回路と、
を有する半導体集積回路。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本実施形態は、受信回路及び半導体集積回路に関する。
続きを表示(約 1,900 文字)【背景技術】
【0002】
半導体集積回路では、信号を受け、信号からデータを復元することがある。このとき、半導体集積回路は、信号からデータを適切に復元することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2020-48060号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本実施形態は、信号からデータを適切に復元することができる受信回路及び半導体集積回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本実施形態の受信回路は、連続時間線形等化器と、第1オフセット回路と、第2オフセット回路と、第1増幅回路と、第2増幅回路と、第3増幅回路とを備える。連続時間線形等化器は、受信信号に対して信号処理を施し、前記信号処理した出力信号を出力する。第1オフセット回路は、出力信号に第1オフセット電圧を印加する。第2オフセット回路は、出力信号に前記第1オフセットと逆の極性の第2オフセット電圧を印加する。第1増幅回路は、第1オフセット回路の出力信号を増幅する。第2増幅回路は、第2オフセット回路の出力信号を増幅する。第3増幅回路は、出力信号に基づく信号を増幅する。
【図面の簡単な説明】
【0006】
メモリシステムの構成の一例を示すブロック図である。
比較例の受信回路の構成の一例を示すブロック図である。
比較例の増幅回路の入出力特性及び入出力波形の一例を示すブロック図である。
第1の実施形態の受信回路の構成の一例を示すブロック図である。
上位開口に関する増幅回路の入出力特性及び入出力波形の一例を示す図である。
中位開口に関する増幅回路の入出力特性及び入出力波形の一例を示す図である。
下位開口に関する増幅回路の入出力特性及び入出力波形の一例を示す図である。
第1の実施形態の変形例1の受信回路の構成の一例を示すブロック図である。
第1の実施形態の変形例2の受信回路の構成の一例を示すブロック図である。
第1の実施形態の変形例3の受信回路の構成の一例を示すブロック図である。
第1の実施形態の変形例4の受信回路の構成の一例を示すブロック図である。
第2の実施形態の受信回路の構成の一例を示すブロック図である。
補完処理付きのセンスアンプの構成の一例を示す回路図である。
第2の実施形態の変形例1の受信回路の構成の一例を示すブロック図である。
第2の実施形態の変形例2の受信回路の構成の一例を示すブロック図である。
第2の実施形態の変形例3の受信回路の構成の一例を示すブロック図である。
第2の実施形態の変形例4の受信回路の構成の一例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
(第1の実施形態)
(メモリシステムの構成)
図1は、メモリシステムの構成の一例を示すブロック図である。本実施形態のメモリシステム1は、メモリコントローラ3と不揮発性メモリ2とを備える。なお、不揮発性メモリ2は、複数のメモリチップを含む場合がある。メモリシステム1は、ホスト装置4と接続可能である。
【0008】
ホスト装置4は、例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末などの電子機器である。ホスト装置4は、ホストインターフェース(ホストI/F)回路4aを備える。ホストI/F回路4aは、送信回路TXaと、受信回路RXaとを備える。
【0009】
メモリシステム1は、ホスト装置4が備えるマザーボード上に、メモリシステム1を構成する複数のチップを実装して構成してもよいし、メモリシステム1を1つのモジュールで実現するシステムLSI(Large-Scale Integrated Circuit)またはSoC(System-on-a-Chip)として構成してもよい。メモリシステム1の例としては、SDカードのようなメモリカード、SSD(Solid-State-Drive)、およびeMMC(embedded-Multi-Media-Card)などが挙げられる。
【0010】
不揮発性メモリ2は、複数のメモリセルを備えたNAND型フラッシュメモリであり、データを不揮発に記憶する。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する

関連特許

キオクシア株式会社
記憶装置
1日前
キオクシア株式会社
記憶装置
1日前
キオクシア株式会社
記憶装置
1日前
キオクシア株式会社
記憶装置
3日前
キオクシア株式会社
記憶装置
今日
キオクシア株式会社
記憶装置
今日
キオクシア株式会社
記憶装置
今日
キオクシア株式会社
記憶装置
今日
キオクシア株式会社
半導体装置
1日前
キオクシア株式会社
半導体装置
今日
キオクシア株式会社
半導体装置
今日
キオクシア株式会社
半導体装置
今日
キオクシア株式会社
半導体装置
3日前
キオクシア株式会社
半導体装置
今日
キオクシア株式会社
磁気記憶装置
今日
キオクシア株式会社
半導体メモリ
今日
キオクシア株式会社
磁気記憶装置
今日
キオクシア株式会社
磁気記憶装置
今日
キオクシア株式会社
質量分析装置
1日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
今日
キオクシア株式会社
メモリシステム
今日
キオクシア株式会社
メモリデバイス
今日
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
今日
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
今日
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
今日
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
今日
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
3日前
キオクシア株式会社
メモリシステム
今日
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
今日
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
今日
キオクシア株式会社
メモリシステム
1日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
4日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
1日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
1日前
キオクシア株式会社
メモリデバイス
1日前
キオクシア株式会社
メモリデバイス
1日前
続きを見る