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公開番号2024134357
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-03
出願番号2023044616
出願日2023-03-20
発明の名称メモリシステム
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類G06F 12/00 20060101AFI20240926BHJP(計算;計数)
要約【課題】一つの実施形態は、不揮発性メモリからのデータのリードを適切に行うことができるメモリシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】一つの実施形態によれば、不揮発性メモリとコントローラとを有するメモリシステムが提供される。コントローラは、リード処理を実行すべき不揮発性メモリの対象領域の信頼性に基づき、平均的な所要時間が互いに異なる複数のリードリトライ処理のうち1つを選択し、選択されたリードリトライ処理を実行するように構成される。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
不揮発性メモリと、
リード処理を実行すべき前記不揮発性メモリの対象領域の信頼性に基づき、平均的な所要時間が互いに異なる複数のリードリトライ処理のうち１つを選択し、選択されたリードリトライ処理を実行するように構成されたコントローラと、
を備えたメモリシステム。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
前記コントローラは、前記リード処理の対象領域の前記信頼性が基準を満たす場合、平均的な所要時間が第１の時間である第１のリードリトライ処理を選択し、前記対象領域の前記信頼性が前記基準を満たさない場合、平均的な所要時間が前記第１の時間より長い第２の時間である第２のリードリトライ処理を選択する、ように構成された
請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項３】
前記コントローラは、前記対象領域の前記信頼性が前記基準を満たすか否かを、前記不揮発性メモリの、前記対象領域よりも大きく且つ前記対象領域を含む領域に関する指標に基づいて決定する、ように構成された
請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項４】
前記コントローラは、前記対象領域の前記信頼性が前記基準を満たすか否かを、前記不揮発性メモリの、前記対象領域よりも小さく且つ前記対象領域に含まれる領域に関する指標に基づいて決定する、ように構成された
請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項５】
前記コントローラは、前記対象領域である第１の領域のライト・イレーズサイクル数が第１の閾値より小さい場合、前記第１のリードリトライ処理を選択し、前記第１の領域のライト・イレーズサイクル数が前記第１の閾値より大きい場合、前記第２のリードリトライ処理を選択する、ように構成された
請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項６】
前記コントローラは、前記対象領域である第２の領域のリード回数が第２の閾値より小さい場合、前記第１のリードリトライ処理を選択し、前記第２の領域のリード回数が前記第２の閾値より大きい場合、前記第２のリードリトライ処理を選択する、ように構成された
請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項７】
前記コントローラは、前記対象領域を含む第１のブロックのデータを第２のブロックにライトし直すリフレッシュ動作が所定の周期の経過に応じて行われた場合、前記第１のリードリトライ処理を選択し、前記リフレッシュ動作が前記所定の周期の経過前に行われた場合、前記第２のリードリトライ処理を選択する、ように構成された
請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項８】
前記コントローラは、前記対象領域を含む第１のブロックのデータを第２のブロックにライトし直すリフレッシュ動作の時間間隔が第３の閾値より大きい場合、前記第１のリードリトライ処理を選択し、前記リフレッシュ動作の時間間隔が前記第３の閾値より小さい場合、前記第２のリードリトライ処理を選択する、ように構成された
請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項９】
前記コントローラは、前記対象領域である第３の領域に対する誤り訂正能力が第１訂正能力である場合、前記第１のリードリトライ処理を選択し、前記第３の領域に対する前記誤り訂正能力が前記第１訂正能力よりも低い第２訂正能力である場合、前記第２のリードリトライ処理を選択する、ように構成された
請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項１０】
前記コントローラは、前記対象領域である第４の領域のライト時の温度が第４の閾値より高い場合、前記第１のリードリトライ処理を選択し、前記第４の領域のライト時の温度が前記第４の閾値より低い場合、前記第２のリードリトライ処理を選択する、ように構成された
請求項２に記載のメモリシステム。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、メモリシステムに関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
不揮発性メモリを有するメモリシステムは、ホストからリード要求を受けると、リード要求に応じて不揮発性メモリからデータをリードする。メモリシステムでは、不揮発性メモリからデータを適切にリードできることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０２２／０１１５０８４号明細書
米国特許出願公開第２０２２／０１２１５２０号明細書
米国特許出願公開第２０２１／０３５７２８９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一つの実施形態は、不揮発性メモリからデータを適切にリードできるメモリシステムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一つの実施形態によれば、不揮発性メモリとコントローラとを有するメモリシステムが提供される。コントローラは、リード処理を実行すべき不揮発性メモリの対象領域の信頼性に基づき、平均的な所要時間が互いに異なる複数のリードリトライ処理のうち１つを選択し、選択されたリードリトライ処理を実行するように構成される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１の実施形態にかかるメモリシステムの構成を示すブロック図。
第１の実施形態におけるメモリセルアレイの構成を示す回路図。
第１の実施形態におけるメモリセルの閾値電圧分布を示す図。
第１の実施形態における履歴値共有領域を示す断面図。
第１の実施形態における履歴値共有管理情報を示す図。
第１の実施形態における履歴値管理情報を示す図。
第１の実施形態にかかるメモリシステムの動作を示すフローチャート。
第１の実施形態におけるインフィールド処理を示すフローチャート。
第１の実施形態におけるインフィールド処理用のシフトテーブルを示す図。
第１の実施形態におけるアウトフィールド処理を示すフローチャート。
第２の実施形態にかかるメモリシステムの動作を示すフローチャート。
第３の実施形態におけるアウトフィールド処理を示すフローチャート。
第３の実施形態における履歴値管理情報を示す図。
第３の実施形態におけるアウトフィールド処理用のシフトテーブルを示す図。
第４の実施形態におけるアウトフィールド処理を示すフローチャート。
第４の実施形態における履歴値管理情報を示す図。
第５の実施形態にかかるメモリシステムの動作を示すフローチャート。
第６の実施形態にかかるメモリシステムの動作を示すフローチャート。
第７の実施形態にかかるメモリシステムの動作を示すフローチャート。
第８の実施形態にかかるメモリシステムの動作を示すフローチャート。
第９の実施形態にかかるメモリシステムの動作を示すフローチャート。
第９の実施形態におけるブロック管理情報を示す図。
第９の実施形態にかかるメモリシステムの動作を示す図。
第１０の実施形態にかかるメモリシステムの動作を示すフローチャート。
第１０の実施形態にかかるメモリシステムの動作を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるメモリシステムを詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１の実施形態）
第１の実施形態にかかるメモリシステムは、不揮発性メモリを有する。メモリシステムは、ホストからリードコマンドを受けると、リードコマンドに応じて不揮発性メモリからデータをリードする。本実施形態にかかるメモリシステムでは、不揮発性メモリからデータを適切にリードするための工夫が施される。
【０００９】
メモリシステム１は、図１に示すように構成される。図１は、メモリシステム１の構成を示す図である。
【００１０】
メモリシステム１は、不揮発性メモリ２０、メモリコントローラ１０、及びバッファメモリ１９を有する。メモリシステム１は、ホスト３０と接続可能である。図１では、メモリシステム１がホスト３０と接続された状態が示されている。ホスト３０は、例えば、パーソナルコンピュータ、サーバ装置、携帯端末、デジタルスチルカメラなどの電子機器であってよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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