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公開番号2024134839
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-04
出願番号2023045242
出願日2023-03-22
発明の名称磁気記憶装置
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人スズエ国際特許事務所
主分類H10B 61/00 20230101AFI20240927BHJP()
要約【課題】優れた特性を有する磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る磁気記憶装置は、下部構造100と、下部構造上に設けられ、導電材料で形成された下部電極61と、下部電極の上方に設けられた上部電極62と、下部電極と上部電極との間に設けられた磁気抵抗効果素子40と、下部電極の側面に設けられた第1の部分71及び前記磁気抵抗効果素子の側面に設けられた第2の部分72を含み、導電材料の酸化物で形成された酸化物絶縁層70とを備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
下部構造と、
前記下部構造上に設けられ、導電材料で形成された下部電極と、
前記下部電極の上方に設けられた上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に設けられた磁気抵抗効果素子と、
前記下部電極の側面に設けられた第１の部分及び前記磁気抵抗効果素子の側面に設けられた第２の部分を含み、前記導電材料の酸化物で形成された酸化物絶縁層と、
を備えることを特徴とする磁気記憶装置。
続きを表示（約 850 文字）【請求項２】
前記酸化物絶縁層は、前記下部構造上に設けられ且つ前記下部電極に隣接して設けられた第３の部分をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記下部構造は、層間絶縁層を含み、
前記第３の部分は、前記層間絶縁層上に設けられている
ことを特徴とする請求項２に記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
前記下部構造は、柱状電極を含み、
前記下部電極は、前記柱状電極に接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
前記下部電極は、前記柱状電極の上部分に基づく凹部を有する
ことを特徴とする請求項４に記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
前記下部電極は、前記柱状電極の上面に向かって突出する部分を有する
ことを特徴とする請求項４に記載の磁気記憶装置。
【請求項７】
前記下部構造は、前記柱状電極の側面を囲む層間絶縁層をさらに含む
ことを特徴とする請求項４に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】
前記下部電極の上面は平坦化されている
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項９】
前記導電材料は、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）、マグネシウム（Ｍｇ）及びガドリニウム（Ｇｄ）から選択された元素を含有する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１０】
前記磁気抵抗効果素子は、可変の磁化方向を有する第１の磁性層と、固定された磁化方向を有する第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた非磁性層とを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気記憶装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に磁気抵抗効果素子を含むメモリセルが集積化された磁気記憶装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許第７１６０５７２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
優れた特性を有する磁気記憶装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る磁気記憶装置は、下部構造と、前記下部構造上に設けられ、導電材料で形成された下部電極と、前記下部電極の上方に設けられた上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられた磁気抵抗効果素子と、前記下部電極の側面に設けられた第１の部分及び前記磁気抵抗効果素子の側面に設けられた第２の部分を含み、前記導電材料の酸化物で形成された酸化物絶縁層と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１の実施形態に係る磁気記憶装置の基本的な概略構成を模式的に示した斜視図である。
第１の実施形態に係る磁気記憶装置のメモリセルが設けられた領域の構成を模式的に示した断面図である。
第１の実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
第１の実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
第１の実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
第１の実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
第２の実施形態に係る磁気記憶装置のメモリセルが設けられた領域の構成を模式的に示した断面図である。
第２の実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
第２の実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
第２の実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
第２の実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して実施形態を説明する。
【０００８】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る磁気記憶装置の基本的な概略構成を模式的に示した斜視図である。
【０００９】
図１に示すように、磁気記憶装置は、Ｘ方向に延伸する複数の第１の配線１０と、Ｙ方向に延伸する複数の第２の配線２０と、複数の第１の配線１０と複数の第２の配線２０との間に設けられた複数のメモリセル３０とを含んでいる。第１の配線１０及び第２の配線２０の一方はワード線に対応し、第１の配線１０及び第２の配線２０の他方はビット線に対応している。なお、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに交差する方向である。具体的には、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに直交している。
【００１０】
メモリセル３０は、磁気抵抗効果素子４０とセレクタ（スイッチング素子）５０とが直列接続された構造を有しており、セレクタ５０上に磁気抵抗効果素子４０が積層されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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