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公開番号2024135856
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-04
出願番号2023046743
出願日2023-03-23
発明の名称記憶装置
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H10B 43/27 20230101AFI20240927BHJP()
要約【課題】より大きい間隔で配線が配置される記憶装置を提供する。
【解決手段】複数のメモリセル領域の各々は、第1方向に延びる半導体及び半導体と接する側面を有するとともに第2方向に延びるピラーを含む。導電体21は、第1方向に延びる第1部分21P1及び第3方向に延びるとともに第1部分と接続されている複数の第2部分21P2を含む。複数のコンタクト領域CPRの各々は第2方向に延びる複数のコンタクトを含む。複数のメモリセル領域MCRと、複数の第2部分と、複数のコンタクト領域は、各々が複数のメモリセル領域のうちの1つのメモリセル領域と、複数の第2部分のうちの1つの第2部分と、複数のコンタクト領域のうちの1つのコンタクト領域とからなる複数の組を含む。複数の組の各々において、1つのメモリセル領域と、1つの第2部分と、1つのコンタクト領域とは、第1方向に連続して並び、複数の組は、第1方向に連続して並ぶ。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
複数のメモリセル領域であって、前記複数のメモリセル領域の各々は、半導体及びピラーを含み、前記半導体は、第１方向に延び、前記ピラーは、前記半導体と接する側面を有するとともに第２方向に延びる、複数のメモリセル領域と、
第１部分及び複数の第２部分を含む第１導電体であって、前記第１部分は、前記第１方向に延び、前記複数の第２部分は、第３方向に延びるとともに前記第１部分と接続されている、第１導電体と、
複数のコンタクト領域であって、前記複数のコンタクト領域の各々は前記第２方向に延びる複数のコンタクトを含む、複数のコンタクト領域と、
を備え、
前記複数のメモリセル領域と、前記複数の第２部分と、前記複数のコンタクト領域は、各々が前記複数のメモリセル領域のうちの１つのメモリセル領域と、前記複数の第２部分のうちの１つの第２部分と、前記複数のコンタクト領域のうちの１つのコンタクト領域とからなる複数の組を含み、前記複数の組の各々において、１つのメモリセル領域と、１つの第２部分と、１つのコンタクト領域とは、前記第１方向に連続して並び、前記複数の組は、前記第１方向に連続して並ぶ、
記憶装置。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記複数の組の各々において、前記複数のコンタクトの１つは、前記第１導電体と接する、
請求項１に記載の記憶装置。
【請求項３】
前記複数の組の各々において、前記複数のコンタクトの１つは、前記第１導電体と接する側面を有する、
請求項１に記載の記憶装置。
【請求項４】
センスアンプユニットを含んだ第１センスアンプユニット領域と、
前記複数のコンタクトの１つと接続された第１端と、第２端と、を有する第１トランジスタと、
前記第１トランジスタの前記第２端と接続された第３端と、前記第１方向及び前記第３方向を含んだ第１平面に沿った平面において前記第１センスアンプユニット領域の中に位置する第４端と、を有する第２導電体と、
をさらに備える、
請求項１に記載の記憶装置。
【請求項５】
前記第１トランジスタは、前記複数のコンタクトより前記第２方向に位置し、
前記第２導電体は、前記第１トランジスタより前記第２方向に位置し、
前記センスアンプユニットは、前記第２導電体より前記第２方向に位置する、
請求項４に記載の記憶装置。
【請求項６】
前記第１導電体の前記第１部分は、第５端と、前記第５端より前記第１方向に位置する第６端と、を有し、
Ｎを２以上の整数として、前記第１導電体を含むＮ個の第１導電体と、
Ｎ個のセンスアンプユニット領域と、
を備え、
前記Ｎ個のセンスアンプユニットの各々は、センスアンプユニットを含み、
前記Ｎ個のセンスアンプユニットは、前記第１方向及び前記第３方向を含んだ第１平面に沿った平面において、前記第５端を含んだ仮想的な第１直線と、前記第６端と含んだ仮想的な第２直線と、の間の領域に前記第１方向に並ぶ、
請求項１に記載の記憶装置。
【請求項７】
前記第１導電体より前記第１方向に位置し、前記第１導電体と離れており、前記第１方向に延びる第３部分を含んだ第３導電体と、
Ｎ個の第２センスアンプユニット領域と、
をさらに備え、
前記Ｎ個の第２センスアンプユニットの各々は、センスアンプユニットを含み
前記第３導電体の前記第３部分は、第７端と、前記第７端より前記第１方向に位置する第８端と、を有し、
前記Ｎ個の第２センスアンプユニットは、前記第１平面に沿った平面において、前記第７端を含んだ仮想的な第３直線と、前記第８端と含んだ仮想的な第４直線と、の間の領域に前記第１方向に並ぶ、
請求項６に記載の記憶装置。
【請求項８】
前記ピラーは、
前記第２方向に延びる筒状の第４導電体と、
前記第２方向に延び、前記第４導電体を囲む第１絶縁体と、
前記第２方向に延び、前記第１絶縁体を囲む第２絶縁体と、
前記第２方向に延び、前記第２絶縁体を囲み、前記半導体と接する第３絶縁体と、
を含む、
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の記憶装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、概して、記憶装置に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
三次元に配列されたメモリセルを含んだ記憶装置が知られている。記憶装置の集積度を上げるために、記憶装置の構成要素は、微細であること、及び高密度に配置されることを求められる。このため、配線と配線の間に形成される寄生容量が大きい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０２２／０３２８４８９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
より大きい間隔で配線が配置されることを可能とする記憶装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態による記憶装置は、複数のメモリセル領域と、第１導電体と、複数のコンタクト領域と、を備える。上記複数のメモリセル領域の各々は、半導体及びピラーを含む。上記半導体は、第１方向に延びる。上記ピラーは、上記半導体と接する側面を有するとともに第２方向に延びる。上記第１導電体は、第１部分及び複数の第２部分を含む。上記第１部分は、上記第１方向に延びる。上記複数の第２部分は、第３方向に延びるとともに上記第１部分と接続されている。上記複数のコンタクト領域の各々は上記第２方向に延びる複数のコンタクトを含む。上記複数のメモリセル領域と、上記複数の第２部分と、上記複数のコンタクト領域は、各々が上記複数のメモリセル領域のうちの１つのメモリセル領域と、上記複数の第２部分のうちの１つの第２部分と、上記複数のコンタクト領域のうちの１つのコンタクト領域とからなる複数の組を含む。上記複数の組の各々において、１つのメモリセル領域と、１つの第２部分と、１つのコンタクト領域とは、上記第１方向に連続して並び、上記複数の組は、上記第１方向に連続して並ぶ。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、第１実施形態の記憶装置の構成要素及び構成要素の接続の例を示す。
図２は、第１実施形態の記憶装置の１つのブロックの構成要素及び構成要素の接続を示す。
図３は、第１実施形態の記憶装置のセンスアンプユニットの構成要素及び構成要素の接続の例を示す。
図４は、第１実施形態の記憶装置の基本的な構造を概略的に示す。
図５は、第１実施形態の記憶装置の一部のｘｙ平面に沿ったレイアウトを示す。
図６は、第１実施形態の記憶装置の一部のｘｙ平面に沿ったレイアウトを示す。
図７は、第１実施形態の記憶装置の一部のｘｙ平面に沿ったレイアウトを示す。
図８は、第１実施形態の記憶装置の一部のｘｙ平面に沿ったレイアウトを示す。
図９は、第１実施形態の記憶装置の一部のｘｙ平面に沿ったレイアウトを示す。
図１０は、第１実施形態の記憶装置の電極ピラーの断面の構造の例を示す。
図１１は、第１実施形態の記憶装置の一部のｘｙ平面に沿ったレイアウトを示す。
図１２は、第１実施形態の記憶装置の一部のｘｙ平面に沿ったレイアウトを示す。
図１３は、第１実施形態の記憶装置の一部のｘｙ平面に沿ったレイアウトを示す。
図１４は、第１実施形態の記憶装置の一部のｙｚ平面に沿った構造を示す。
図１５は、第１実施形態の記憶装置の一部のｘｚ平面に沿った構造を示す。
図１６は、第１実施形態の記憶装置の一部のｘｚ平面に沿った構造を示す。
図１７は、参考用の記憶装置の一部のｘｙ面に沿ったレイアウトを示す。
図１８は、第１実施形態の変形例の記憶装置の一部のｘｙ平面に沿ったレイアウトを示す。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に実施形態が図面を参照して記述される。或る実施形態又はでの略同一の機能及び構成を有する複数の構成要素は、互いに区別されるために、参照符号の末尾にさらなる数字又は文字が付加される場合がある。
【０００８】
図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なり得る。図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれ得る。
【０００９】
本明細書及び特許請求の範囲において、或る第１要素が別の第２要素に「接続されている」とは、第１要素が直接的又は常時或いは選択的に導電性となる要素を介して第２要素に接続されていることを含む。
【００１０】
以下、ｘｙｚ直交座標系が用いられて、実施形態が記述される。図の縦軸のプラス方向は上側、マイナス方向は下側と称される場合がある。図の横軸のプラス方向は右側、マイナス方向は左側と称される場合がある。すなわち、＋ｚ方向から見たｘｙ平面を示す平面図（ｘｙ平面図（以下、同様））において、上側は＋ｙ方向を指し、下側は－ｙ方向を指す。＋ｚ方向から見たｘｙ平面図において、右側は＋ｘ方向を指し、左側は－ｘ方向を指す。－ｙ方向から見たｘｚ平面図において、上側は＋ｚ方向を指し、下側は－ｚ方向を指す。－ｙ方向から見たｘｚ平面図において、右側は＋ｘ方向を指し、左側は－ｘ方向を指す。
（【００１１】以降は省略されています）

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