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公開番号2024128160
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-20
出願番号2024114301,2022055057
出願日2024-07-17,2018-03-16
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人ローム株式会社
代理人個人
主分類H01L 23/50 20060101AFI20240912BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】薄型化を図った半導体装置および当該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置A1は、素子主面11および素子裏面12を有する半導体素子1と、半導体素子1に導通する内部電極2と、半導体素子1および内部電極2の一部を覆う封止樹脂6と、封止樹脂6から露出し、かつ、内部電極2に導通する外部電極3と、を備えており、内部電極2は、素子裏面12に対向する配線層主面211および配線層主面211と反対側を向く配線層裏面212を有する配線層21と、配線層主面211から厚さ方向(z方向)に突き出た柱状部22と、を含んでおり、柱状部22は、z方向に直交する第1方向(x方向)を向き、かつ、封止樹脂6から露出した露出側面223を有しており、外部電極3は、露出側面223を覆う第1被覆部31を含んでいる。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面を有する半導体素子と、
前記半導体素子に導通する内部電極と、
前記半導体素子および前記内部電極の一部を覆う封止樹脂と、
前記封止樹脂から露出し、かつ、前記内部電極に導通する外部電極と、
を備えており、
前記内部電極は、前記素子裏面に対向する配線層主面および前記厚さ方向において前記配線層主面と反対側を向く配線層裏面を有する配線層と、前記配線層主面から前記厚さ方向に突き出た柱状部と、を含んでおり、
前記柱状部は、前記厚さ方向に直交する第１方向を向き、かつ、前記封止樹脂から露出した露出側面を有しており、
前記外部電極は、前記露出側面を覆う第１被覆部を含む、
ことを特徴とする半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体素子を搭載した半導体装置およびその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、ＳＯＮパッケージ（Small Outline Non-leaded package）やＱＦＮパッケージ（Quad Flat Non-leaded package）などのリードレスパッケージ型の半導体装置が存在する。リードレスパッケージ型の半導体装置は、半導体素子を封止した封止樹脂から外部接続用の端子が突出していないため、半導体装置の小型化や薄型化に有利である。たとえば特許文献１には、このようなリードレスパッケージ型の半導体装置が開示されている。
【０００３】
特許文献１に記載の半導体装置は、半導体素子、リードフレーム、複数のワイヤおよび封止樹脂を備えている。リードフレームは、たとえば銅からなる。リードフレームは、ダイパッド部および複数のリード部を有する。ダイパッド部は、半導体素子を支持する。複数のリード部はそれぞれ、ワイヤを介して半導体素子と電気的に接続されている。複数のリード部は、半導体装置を電子機器などの回路基板に実装する際の上記外部接続用の端子である。封止樹脂は、半導体素子を覆う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１６－１８８４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の半導体装置において、リードフレームは金属板（銅板）を加工することで形成されている。このようなリードフレーム構造の半導体装置は、薄型化を図る上で改善の余地があった。
【０００６】
本開示は、上記課題に鑑みて創作されたものであり、その目的は、薄型化を図った半導体装置および当該半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面を有する半導体素子と、前記半導体素子に導通する内部電極と、前記半導体素子および前記内部電極の一部を覆う封止樹脂と、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記内部電極に導通する外部電極と、を備えており、前記内部電極は、前記素子裏面に対向する配線層主面および前記厚さ方向において前記配線層主面と反対側を向く配線層裏面を有する配線層と、前記配線層主面から前記厚さ方向に突き出た柱状部と、を含んでおり、前記柱状部は、前記厚さ方向に直交する第１方向を向き、かつ、前記封止樹脂から露出した露出側面を有しており、前記外部電極は、前記露出側面を覆う第１被覆部を含むことを特徴とする。
【０００８】
前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記柱状部は、前記素子主面が向く方向と同じ方向を向く頂面を有しており、前記頂面は、前記封止樹脂に覆われている。
【０００９】
前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記柱状部は、互いに積層された第１シード層および第１めっき層を含んで構成され、前記第１シード層は、前記配線層主面に接する。
【００１０】
前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記配線層は、互いに積層された第２シード層および第２めっき層を含んで構成され、前記柱状部は、前記第２めっき層に接している。
（【００１１】以降は省略されています）

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