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公開番号2024120591
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-05
出願番号2023027479
出願日2023-02-24
発明の名称レジスト組成物精製品の製造方法、レジストパターン形成方法、及びレジスト組成物精製品
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/004 20060101AFI20240829BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】不純物がより低減され且つレジスト膜形成時の欠陥発生を低減可能なレジスト組成物精製品の製造方法等を提供する。
【解決手段】レジスト組成物を、隣接した球状セル同士が連通した多孔質構造を有するフィルターで濾過する工程を含む、レジスト組成物精製品の製造方法。前記フィルターは、ポリイミド及びポリアミドイミドからなる群より選択される少なくとも一種の樹脂を含有する多孔質膜を備え、前記レジスト組成物は、金属化合物(M)と、有機溶剤成分(S)とを含有し前記金属化合物(M)は、長周期型周期表における第3族から第16族の金属原子の金属イオン又は前記金属原子の金属酸化物と、前記金属イオン又は前記金属酸化物に結合する結合子とを含み、前記金属イオン又は前記金属酸化物に含まれる前記金属原子の含有量が、前記レジスト組成物の総質量に対して、0.2～3質量%である。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
レジスト組成物を、隣接した球状セル同士が連通した多孔質構造を有するフィルターで濾過する工程を含む、
レジスト組成物精製品の製造方法であって、
前記フィルターは、ポリイミド及びポリアミドイミドからなる群より選択される少なくとも一種の樹脂を含有する多孔質膜を備え、
前記レジスト組成物は、金属化合物（Ｍ）と、有機溶剤成分（Ｓ）とを含有し
前記金属化合物（Ｍ）は、長周期型周期表における第３族から第１６族の金属原子の金属イオン又は前記金属原子の金属酸化物と、前記金属イオン又は前記金属酸化物に結合する結合子とを含み、
前記金属イオン又は前記金属酸化物に含まれる前記金属原子の含有量が、前記レジスト組成物の総質量に対して、０．２～３質量％である
レジスト組成物精製品の製造方法。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記金属化合物（Ｍ）が、スズ、インジウム、アンチモン、モリブデン、バナジウム、タンタル、ハフニウム、ジルコニア、鉄、及びニオブからなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１に記載のレジスト組成物精製品の製造方法。
【請求項３】
前記球状セルの平均孔径が、２０～２５００ｎｍである、請求項１又は２に記載のレジスト組成物精製品の製造方法。
【請求項４】
隣接した前記球状セル同士が連通して形成される連通孔のハーフドライ法による平均孔径が１～１０００ｎｍである、請求項１又は２に記載のレジスト組成物精製品の製造方法。
【請求項５】
前記フィルターが、ポリイミド多孔質膜を備える、請求項１又は２に記載のレジスト組成物精製品の製造方法。
【請求項６】
前記請求項１又は２に記載のレジスト組成物精製品の製造方法により、レジスト組成物精製品を得る工程と、
前記レジスト組成物精製品を用いて、支持体上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光する工程と、
前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、
を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項７】
前記のレジスト膜を露光する工程において、前記レジスト膜に、ＥＵＶ（極端紫外線）又はＥＢ（電子線）を露光する、請求項６に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項８】
金属化合物（Ｍ）と、有機溶剤成分（Ｓ）とを含有するレジスト組成物精製品であって、
前記金属化合物（Ｍ）は、長周期型周期表における第３族から第１６族の金属原子の金属イオン又は前記金属原子の金属酸化物と、前記金属イオン又は前記金属酸化物に結合する結合子とを含み、
前記金属イオン又は前記金属酸化物に含まれる前記金属原子の含有量が、前記レジスト組成物精製品の総質量に対して、０．２～３質量％であり、
前記レジスト組成物精製品は、光散乱式液中粒子計数器によって計数される、０．１３５μｍ以上のサイズの被計数体の数が、１個／ｍＬ未満である、
レジスト組成物精製品。
【請求項９】
請求項８に記載のレジスト組成物精製品を用いて、支持体上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光する工程と、
前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、
を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項１０】
前記のレジスト膜を露光する工程において、前記レジスト膜に、ＥＵＶ（極端紫外線）又はＥＢ（電子線）を露光する、請求項９に記載のレジストパターン形成方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物精製品の製造方法、レジストパターン形成方法、及びレジスト組成物精製品に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。
【０００３】
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
【０００４】
最近では、より微細なパターンの再現に適したレジスト材料として、金属原子を含む化合物を基材成分とするレジスト組成物が提案されている。金属化合物を基材成分とするレジスト組成物では、露光により金属化合物の現像液に対する溶解性が低下し、ネガ型パターンを形成する。化学増幅型レジスト組成物とは異なり、酸の拡散が伴わないことから、微細パターンの形成により適している。
【０００５】
例えば、特許文献１には、金属酸化物のコアに有機配位子が配位した錯体を含有するレジスト組成物が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０２１－１０２６０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
金属化合物を基材成分として含有するレジスト組成物では、金属陽イオンのアグロメレーションによりゲルが発生し、レジスト膜形成の際に欠陥を引き起こす。ディフェクトの低減されたレジストパターン形成のためには、レジスト膜形成の際の欠陥の抑制が求められる。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、不純物がより低減され、且つレジスト膜形成の際の欠陥の発生を低減可能な、レジスト組成物精製品の製造方法、及び前記製造方法により製造されたレジスト組成物精製品、並びに前記レジスト組成物精製品により形成されるレジストパターン形成方法を提供すること、を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
【００１０】
本発明の第１の態様は、レジスト組成物を、隣接した球状セル同士が連通した多孔質構造を有するフィルターで濾過する工程を含む、レジスト組成物精製品の製造方法であって、前記フィルターは、ポリイミド及びポリアミドイミドからなる群より選択される少なくとも一種の樹脂を含有する多孔質膜を備え、前記レジスト組成物は、金属化合物（Ｍ）と、有機溶剤成分（Ｓ）とを含有し、前記金属化合物（Ｍ）は、長周期型周期表における第３族から第１６族の金属原子の金属イオン又は前記金属原子の金属酸化物と、前記金属イオン又は前記金属酸化物に結合する結合子とを含み、前記金属イオン又は前記金属酸化物に含まれる前記金属原子の含有量が、前記レジスト組成物の総質量に対して、０．２～３質量％であるレジスト組成物精製品の製造方法である。
（【００１１】以降は省略されています）

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