特許ウォッチ

公開番号2024100508
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-26
出願番号2023004554
出願日2023-01-16
発明の名称基板処理装置及び基板処理方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20240719BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板のパターン倒壊を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、液体が付着した基板を、超臨界状態の処理流体を用いて乾燥させる基板処理装置であって、前記基板を内部に収容する処理容器と、前記処理容器内の保持位置において前記基板を水平姿勢で保持する保持部と、前記処理容器内に前記処理流体を供給する流体供給部と、を有し、前記流体供給部は、前記処理容器内を昇圧する途中で、前記保持部に保持された前記基板の径方向外側から供給される前記処理流体の流れを変更するよう構成される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
液体が付着した基板を、超臨界状態の処理流体を用いて乾燥させる基板処理装置であって、
前記基板を内部に収容する処理容器と、
前記処理容器内の保持位置において前記基板を水平姿勢で保持する保持部と、
前記処理容器内に前記処理流体を供給する流体供給部と、
を有し、
前記流体供給部は、前記処理容器内を昇圧する途中で、前記保持部に保持された前記基板の径方向外側から供給される前記処理流体の流れを変更するよう構成される、
基板処理装置。
続きを表示（約 730 文字）【請求項２】
前記流体供給部は、前記処理容器内の前記処理流体の密度変化により前記処理流体の流れを変更する変更部材を有する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記変更部材は、前記処理容器内の前記処理流体の密度変化により回転する、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記変更部材は、前記処理容器内の前記処理流体の密度変化により昇降する、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記流体供給部は、前記処理容器内の圧力変化により前記処理流体の流れを変更する変更部材を有する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記変更部材は、前記処理容器内の圧力変化により回転する、
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記変更部材は、前記処理容器内の圧力変化により昇降する、
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記流体供給部は、前記処理容器内の前記処理流体の温度変化により前記処理流体の流れを変更する変更部材を有する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記変更部材は、前記処理容器内の前記処理流体の温度変化により伸縮する、
請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記流体供給部は、前記処理容器内の前記処理流体の密度変化により前記保持部を昇降させることで前記保持部に対する前記処理流体の流れを変更する変更部材を有する、
請求項２に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
基板の表面に集積回路の積層構造を形成する半導体装置の製造工程においては、薬液洗浄、ウエットエッチング等の液処理が行われる。液処理において基板の表面に付着した液体等は、例えば超臨界状態の処理流体を用いた乾燥方法により除去される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－０１２５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板のパターン倒壊を抑制できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による基板処理装置は、液体が付着した基板を、超臨界状態の処理流体を用いて乾燥させる基板処理装置であって、前記基板を内部に収容する処理容器と、前記処理容器内の保持位置において前記基板を水平姿勢で保持する保持部と、前記処理容器内に前記処理流体を供給する流体供給部と、を有し、前記流体供給部は、前記処理容器内を昇圧する途中で、前記保持部に保持された前記基板の径方向外側から供給される前記処理流体の流れを変更するよう構成される。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板のパターン倒壊を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、実施形態に係る基板処理装置を示す概略図である。
図２は、処理部の一例を示す水平断面図である。
図３は、実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
図４は、各工程における圧力変化を示す図である。
図５は、第１例に係る変更部材を示す図である。
図６は、第１例に係る変更部材を示す図である。
図７は、第２例に係る変更部材を示す図である。
図８は、第２例に係る変更部材を示す図である。
図９は、第３例に係る変更部材を示す図である。
図１０は、第３例に係る変更部材を示す図である。
図１１は、第４例に係る変更部材を示す図である。
図１２は、第４例に係る変更部材を示す図である。
図１３は、第５例に係る変更部材を示す図である。
図１４は、第５例に係る変更部材を示す図である。
図１５は、第５例に係る変更部材を示す図である。
図１６は、第６例に係る変更部材を示す図である。
図１７は、第６例に係る変更部材を示す図である。
図１８は、第７例に係る変更部材を示す図である。
図１９は、第７例に係る変更部材を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。
【０００９】
〔基板処理装置〕
図１を参照し、実施形態に係る基板処理装置１について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１を示す概略図である。
【００１０】
基板処理装置１は、超臨界状態の処理流体を用いて基板Ｗに付着した液体を乾燥させる装置である。基板処理装置１は、処理部２と、流体供給システム３と、排出部４と、制御部５とを有する。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許