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公開番号
2024100508
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-07-26
出願番号
2023004554
出願日
2023-01-16
発明の名称
基板処理装置及び基板処理方法
出願人
東京エレクトロン株式会社
代理人
個人
,
個人
主分類
H01L
21/304 20060101AFI20240719BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】基板のパターン倒壊を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、液体が付着した基板を、超臨界状態の処理流体を用いて乾燥させる基板処理装置であって、前記基板を内部に収容する処理容器と、前記処理容器内の保持位置において前記基板を水平姿勢で保持する保持部と、前記処理容器内に前記処理流体を供給する流体供給部と、を有し、前記流体供給部は、前記処理容器内を昇圧する途中で、前記保持部に保持された前記基板の径方向外側から供給される前記処理流体の流れを変更するよう構成される。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
液体が付着した基板を、超臨界状態の処理流体を用いて乾燥させる基板処理装置であって、
前記基板を内部に収容する処理容器と、
前記処理容器内の保持位置において前記基板を水平姿勢で保持する保持部と、
前記処理容器内に前記処理流体を供給する流体供給部と、
を有し、
前記流体供給部は、前記処理容器内を昇圧する途中で、前記保持部に保持された前記基板の径方向外側から供給される前記処理流体の流れを変更するよう構成される、
基板処理装置。
続きを表示(約 730 文字)
【請求項2】
前記流体供給部は、前記処理容器内の前記処理流体の密度変化により前記処理流体の流れを変更する変更部材を有する、
請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記変更部材は、前記処理容器内の前記処理流体の密度変化により回転する、
請求項2に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記変更部材は、前記処理容器内の前記処理流体の密度変化により昇降する、
請求項2に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記流体供給部は、前記処理容器内の圧力変化により前記処理流体の流れを変更する変更部材を有する、
請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記変更部材は、前記処理容器内の圧力変化により回転する、
請求項5に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記変更部材は、前記処理容器内の圧力変化により昇降する、
請求項5に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記流体供給部は、前記処理容器内の前記処理流体の温度変化により前記処理流体の流れを変更する変更部材を有する、
請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記変更部材は、前記処理容器内の前記処理流体の温度変化により伸縮する、
請求項8に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記流体供給部は、前記処理容器内の前記処理流体の密度変化により前記保持部を昇降させることで前記保持部に対する前記処理流体の流れを変更する変更部材を有する、
請求項2に記載の基板処理装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
続きを表示(約 1,500 文字)
【背景技術】
【0002】
基板の表面に集積回路の積層構造を形成する半導体装置の製造工程においては、薬液洗浄、ウエットエッチング等の液処理が行われる。液処理において基板の表面に付着した液体等は、例えば超臨界状態の処理流体を用いた乾燥方法により除去される(例えば、特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2013-012538号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、基板のパターン倒壊を抑制できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様による基板処理装置は、液体が付着した基板を、超臨界状態の処理流体を用いて乾燥させる基板処理装置であって、前記基板を内部に収容する処理容器と、前記処理容器内の保持位置において前記基板を水平姿勢で保持する保持部と、前記処理容器内に前記処理流体を供給する流体供給部と、を有し、前記流体供給部は、前記処理容器内を昇圧する途中で、前記保持部に保持された前記基板の径方向外側から供給される前記処理流体の流れを変更するよう構成される。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、基板のパターン倒壊を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
図1は、実施形態に係る基板処理装置を示す概略図である。
図2は、処理部の一例を示す水平断面図である。
図3は、実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
図4は、各工程における圧力変化を示す図である。
図5は、第1例に係る変更部材を示す図である。
図6は、第1例に係る変更部材を示す図である。
図7は、第2例に係る変更部材を示す図である。
図8は、第2例に係る変更部材を示す図である。
図9は、第3例に係る変更部材を示す図である。
図10は、第3例に係る変更部材を示す図である。
図11は、第4例に係る変更部材を示す図である。
図12は、第4例に係る変更部材を示す図である。
図13は、第5例に係る変更部材を示す図である。
図14は、第5例に係る変更部材を示す図である。
図15は、第5例に係る変更部材を示す図である。
図16は、第6例に係る変更部材を示す図である。
図17は、第6例に係る変更部材を示す図である。
図18は、第7例に係る変更部材を示す図である。
図19は、第7例に係る変更部材を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。本明細書において、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向は互いに垂直な方向である。X軸方向及びY軸方向は水平方向、Z軸方向は鉛直方向である。
【0009】
〔基板処理装置〕
図1を参照し、実施形態に係る基板処理装置1について説明する。図1は、実施形態に係る基板処理装置1を示す概略図である。
【0010】
基板処理装置1は、超臨界状態の処理流体を用いて基板Wに付着した液体を乾燥させる装置である。基板処理装置1は、処理部2と、流体供給システム3と、排出部4と、制御部5とを有する。
(【0011】以降は省略されています)
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