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公開番号2024057592
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-24
出願番号2023174383
出願日2023-10-06
発明の名称基材処理装置内のガスの混合を改善するためのガス導入管アセンブリ
出願人エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー
代理人個人,個人,個人
主分類C23C 16/455 20060101AFI20240417BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】ガス導入管アセンブリが提示される。
【解決手段】アセンブリは、第一のプロセスガスを導入するように構成された第一の導入口および第二のプロセスガスを導入するように構成された第二の導入口と、第一の導入口からの第一のプロセスガスと第二の導入口からの第二のプロセスガスとを混合するように構成されたガス導入管であって、ガス導入管が、基材処理装置の反応チャンバと流体連通し、上部セグメントおよび下部セグメントを含む、ガス導入管と、を備え、第一の導入口および第二の導入口は、ガス導入管の上部セグメント内に配置され、かつ互いに真向かいに向かい合い、上部セグメントは収束円錐形状であり、下部セグメントは発散円錐形状であり、下部セグメント底部の長さに対する上部セグメント底部の長さの比は、0.1～0.9、好ましくは0.15～0.25とすることができる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
基材処理装置で使用されるガス導入管アセンブリであって、
第一のプロセスガスを導入するように構成された第一の導入口および第二のプロセスガスを導入するように構成された第二の導入口と、
前記第一の導入口からの前記第一のプロセスガスと前記第二の導入口からの前記第二のプロセスガスとを混合するように構成されたガス導入管であって、前記基材処理装置の反応チャンバと流体連通し、かつ上部セグメントおよび下部セグメントを備える、ガス導入管と、を備え、
前記第一の導入口および前記第二の導入口が、前記ガス導入管の前記上部セグメント内に配置され、かつ互いに真向かいに向かい合い、
前記ガス導入管の前記上部セグメントが収束円錐形状であり、
前記ガス導入管の前記下部セグメントが発散円錐形状であり、かつ、
前記ガス導入管の長さ（Ｈ）に対する前記上部セグメントの長さ（Ｈ１）の比を、０．１～０．９、好ましくは０．１５～０．２５とすることができる、ガス導入管アセンブリ。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記第一の導入口および前記第二の導入口が、互いに異なる直径を有する、請求項１に記載のガス導入管アセンブリ。
【請求項３】
前記第一の導入口および前記第二の導入口が、前記ガス導入管への接続領域において、発散円錐形状または収束円錐形状である、請求項１に記載のガス導入管アセンブリ。
【請求項４】
前記下部セグメントの底部の幅（Ｗ）に対する前記上部セグメントの底部の幅（Ｗ１）の比を、０．１～０．９、好ましくは約０．４～０．６とすることができる、請求項１に記載のガス導入管アセンブリ。
【請求項５】
基材処理装置であって、
基材を処理するための反応チャンバであって、基材支持体を含む反応チャンバと、
第一のプロセスガスおよび第二のプロセスガスを前記反応チャンバ内にそれぞれ導入するように構成された第一の導入口および第二の導入口と、
前記第一の導入口からの前記第一のプロセスガスと前記第二の導入口からの前記第二のプロセスガスとを混合するように構成されたガス導入管であって、前記ガス導入管が前記反応チャンバと流体連通し、かつ上部セグメントおよび下部セグメントを備える、ガス導入管と、
基材支持体とともに反応空間を画定するシャワーヘッドアセンブリであって、前記混合されたプロセスガスを前記反応空間に供給するために前記ガス導入管に接続された複数の孔を備える、シャワーヘッドアセンブリと、を備え、
前記第一の導入口および前記第二の導入口が、前記ガス導入管の前記上部セグメント内に配置され、かつ互いに真向かいに向かい合い、かつ
前記ガス導入管の前記上部セグメントが収束円錐形状であり、
前記ガス導入管の前記下部セグメントが発散円錐形状であり、
前記ガス導入管の長さ（Ｈ）に対する前記上部セグメントの長さ（Ｈ１）の比を、０．１～０．９、好ましくは０．１５～０．２５とすることができる、基材処理装置。
【請求項６】
前記反応チャンバからガスを排出するためのガス排出孔をさらに備える、請求項５に記載の基材処理装置。
【請求項７】
前記第一の導入口および前記第二の導入口が、互いに異なる直径を有する、請求項５～６のいずれか一項に記載の基材処理装置。
【請求項８】
前記第一の導入口および前記第二の導入口が、前記ガス導入管への接続領域において、発散円錐形状または収束円錐形状である、請求項５～６のいずれか一項に記載の基材処理装置。
【請求項９】
前記下部セグメントの底部の幅（Ｗ）に対する前記上部セグメントの底部の幅（Ｗ１）の比を、０．１～０．９、好ましくは約０．４～０．６とすることができる、請求項５～６のいずれか一項に記載の基材処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基材を処理するための基材処理装置に関し、特に基材を処理するために使用されるガスの混合を改善するために基材処理装置で使用されるガス導入管に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
図１の現在の反応チャンバ構成では、基材処理に使用されるガスは、シャワーヘッド３の上方のガス導入管７を通して供給される。
【０００３】
ガス導入管７は、異なるプロセスガスが供給される２つのガス入口点、第一の導入口５および第二の導入口６を上部領域に有している。
【０００４】
プロセスガスは、第一の導入口５または第二の導入口６、またはその両方を通って入ることができる。導入管の退出口／放出口は、シャワーヘッド７の後部容積である。導入管の放出口／退出口において、均質なガスの混合が期待される。
【０００５】
混合が均一でない場合、ウエハ上の膜の均一性および特性に影響を与えることになる。第一の導入口５および第二の導入口６のガス質量流量が異なる場合、プロセスガスが均一に混合しない確率は増加することになる。
【０００６】
このような欠点のため、本開示は、ガスのより良好な混合のために反応チャンバで使用するための改善されたガス導入管アセンブリを提示する。
【発明の概要】
【０００７】
この「発明の概要」は、選択された概念を、単純化した形態で紹介するために提供される。これらの概念は、下記の開示の例示の実施形態の「発明を実施するための形態」において、さらに詳細に記述される。
【０００８】
この「発明の概要」は、特許請求される主題の主要な特徴または本質的な特徴を特定することを意図してはおらず、特許請求される主題の範囲を限定するために使用されることも意図していない。
【０００９】
一実施形態によれば、第一のプロセスガスを導入するように構成された第一の導入口および第二のプロセスガスを導入するように構成された第二の導入口と、第一の導入口からの第一のプロセスガスと第二の導入口からの第二のプロセスガスとを混合するように構成されたガス導入管であって、ガス導入管が、基材処理装置の反応チャンバと流体連通し、かつ上部セグメントおよび下部セグメントを含む、ガス導入管と、を備え、第一の導入口および第二の導入口が、ガス導入管の上部セグメント内に配置され、互いに真向かいに向かい合い、かつガス導入管の上部セグメントが収束円錐形状であり、ガス導入管の下部セグメントが発散円錐形状であり、ガス導入管の長さ（Ｈ）に対する上部セグメントの長さ（Ｈ１）の比を、０．１～０．９、好ましくは０．１５～０．２５とすることができる、基材処理装置で使用するためのガス導入管アセンブリが提供されてもよい。
【００１０】
少なくとも１つの態様では、ガス導入管アセンブリの第一の導入口および第二の導入口は、互いに異なる直径を有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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