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公開番号2024027893
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-03-01
出願番号2022131066
出願日2022-08-19
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/50 20060101AFI20240222BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ワイヤ流れによるワイヤ同士の接触を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置A10において、ダイパッド部11を有するリード1と、リード1から離間して配置されたリード2と、ダイパッド部11に搭載された半導体素子62と、半導体素子62とリード2とに導通接合された複数のワイヤ74と、を備えた。ダイパッド部11と、リード2とは、第1方向xに並んで配置され、厚さ方向zに視て、複数のワイヤ74はすべて第1方向xに対して傾斜している。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項1】
ダイパッド部を有する第1リードと、
前記第1リードから離間して配置された第2リードと、
前記ダイパッド部に搭載された第1半導体素子と、
前記第1半導体素子と前記第2リードとに導通接合された複数のワイヤと、
を備え、
前記ダイパッド部と、前記第2リードとは、厚さ方向に直交する第1方向に並んで配置され、
前記厚さ方向に視て、前記複数のワイヤはすべて前記第1方向に対して傾斜している、
半導体装置。
続きを表示(約 1,000 文字)【請求項2】
前記複数のワイヤの各々は、前記第1半導体素子に接合された第1接合部と、前記第2リードに接合された第2接合部と、を備え、
前記第1接合部は、前記第2接合部より、前記厚さ方向および前記第1方向に直交する第2方向の第2方向第1側に位置する、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第2リードは、前記厚さ方向の厚さ方向第1側を向く第2リード主面を備え、
前記第2リード主面は、前記複数のワイヤが接合される接合領域と、接合されない非接合領域とを備え、
前記非接合領域は、前記第2方向において前記接合領域の前記第2方向第1側に配置されている、
請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第2方向における前記接合領域の第1寸法は、前記第2方向における前記第2リードの第2寸法の40%以上60%以下である、
請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記厚さ方向および前記第1方向に直交する第2方向における前記第2リードの両側には、それぞれダミーリードが配置されている、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記複数のワイヤの各々は、前記厚さ方向および前記第1方向に直交する第2方向に湾曲している、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第2リードは、前記厚さ方向に貫通する貫通孔を備えている、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第1半導体素子は、スイッチング素子である、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第1半導体素子は、GaNを含んでいる、
請求項8に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記ダイパッド部に搭載された第2半導体素子をさらに備え、
前記ダイパッド部は、前記厚さ方向の厚さ方向第1側を向き、かつ、前記第1半導体素子および前記第2半導体素子が搭載されたダイパッド主面を備え、
前記第2半導体素子は、前記第1方向において前記第1半導体素子に対して前記第2リードとは反対側である第1方向第1側に配置され、
前記第2半導体素子は、前記第1半導体素子を駆動させる駆動素子である、
請求項1に記載の半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,900 文字)【背景技術】
【0002】
半導体素子を備えた半導体装置は、様々な構成が提案されている。特許文献1には、DFN(Dual Flatpack No-leaded)タイプの半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、半導体素子、第1リード、第3リード、複数のボンディングワイヤ、および封止樹脂を備えている。半導体素子は、第1リードの搭載部主面に搭載され、多数の第3電極(ドレイン電極)がそれぞれボンディングワイヤによって第3リードに接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2020-115524号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体素子と第3リードとを接続する多数のボンディングワイヤには、第1リードの搭載部と第3リードとが並ぶ方向であるy方向に平行なボンディングワイヤも含まれている。製造工程の封止樹脂の形成工程において、封止樹脂の材料がx方向に流れる場合、y方向に平行なボンディングワイヤに発生するワイヤ流れが大きくなって、隣接するボンディングワイヤに接触するおそれがある。
【0005】
本発明は上述の事情に鑑み、ワイヤ流れによるワイヤ同士の接触を抑制できる半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示によって提供される半導体装置は、ダイパッド部を有する第1リードと、前記第1リードから離間して配置された第2リードと、前記ダイパッド部に搭載された第1半導体素子と、前記第1半導体素子と前記第2リードとに導通接合された複数のワイヤと、を備え、前記ダイパッド部と、前記第2リードとは、厚さ方向に直交する第1方向に並んで配置され、前記厚さ方向に視て、前記複数のワイヤはすべて前記第1方向に対して傾斜している。
【発明の効果】
【0007】
本開示にかかる半導体装置は、ワイヤ流れによるワイヤ同士の接触を抑制できる。
【0008】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0009】
図1は、本開示の第1実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
図2は、図1の半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
図3は、図1の半導体装置を示す底面図である。
図4は、図2のIV-IV線に沿う断面図である。
図5は、図2のV-V線に沿う断面図である。
図6は、図2のVI-VI線に沿う断面図である。
図7は、図2の部分拡大図である。
図8は、図2の部分拡大図である。
図9は、ダイパッド部を示す平面図である。
図10は、第1実施形態の第1変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図11は、第1実施形態の第2変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図12は、第1実施形態の第3変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図13は、第1実施形態の第4変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図14は、第1実施形態の第5変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図15は、第1実施形態の第6変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図16は、第1実施形態の第7変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図17は、第1実施形態の第8変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図18は、第1実施形態の第9変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図19は、第2実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
図20は、第3実施形態に係る半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
図21は、第3実施形態の第1変形例に係る半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
図22は、第4実施形態に係る半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
図23は、第5実施形態に係る半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。
(【0011】以降は省略されています)

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