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公開番号2024027893
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-03-01
出願番号2022131066
出願日2022-08-19
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/50 20060101AFI20240222BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ワイヤ流れによるワイヤ同士の接触を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置A10において、ダイパッド部11を有するリード1と、リード1から離間して配置されたリード2と、ダイパッド部11に搭載された半導体素子62と、半導体素子62とリード2とに導通接合された複数のワイヤ74と、を備えた。ダイパッド部11と、リード2とは、第1方向xに並んで配置され、厚さ方向zに視て、複数のワイヤ74はすべて第1方向xに対して傾斜している。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
ダイパッド部を有する第１リードと、
前記第１リードから離間して配置された第２リードと、
前記ダイパッド部に搭載された第１半導体素子と、
前記第１半導体素子と前記第２リードとに導通接合された複数のワイヤと、
を備え、
前記ダイパッド部と、前記第２リードとは、厚さ方向に直交する第１方向に並んで配置され、
前記厚さ方向に視て、前記複数のワイヤはすべて前記第１方向に対して傾斜している、
半導体装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記複数のワイヤの各々は、前記第１半導体素子に接合された第１接合部と、前記第２リードに接合された第２接合部と、を備え、
前記第１接合部は、前記第２接合部より、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向の第２方向第１側に位置する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２リードは、前記厚さ方向の厚さ方向第１側を向く第２リード主面を備え、
前記第２リード主面は、前記複数のワイヤが接合される接合領域と、接合されない非接合領域とを備え、
前記非接合領域は、前記第２方向において前記接合領域の前記第２方向第１側に配置されている、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２方向における前記接合領域の第１寸法は、前記第２方向における前記第２リードの第２寸法の４０％以上６０％以下である、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向における前記第２リードの両側には、それぞれダミーリードが配置されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数のワイヤの各々は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向に湾曲している、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２リードは、前記厚さ方向に貫通する貫通孔を備えている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１半導体素子は、スイッチング素子である、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１半導体素子は、ＧａＮを含んでいる、
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ダイパッド部に搭載された第２半導体素子をさらに備え、
前記ダイパッド部は、前記厚さ方向の厚さ方向第１側を向き、かつ、前記第１半導体素子および前記第２半導体素子が搭載されたダイパッド主面を備え、
前記第２半導体素子は、前記第１方向において前記第１半導体素子に対して前記第２リードとは反対側である第１方向第１側に配置され、
前記第２半導体素子は、前記第１半導体素子を駆動させる駆動素子である、
請求項１に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体素子を備えた半導体装置は、様々な構成が提案されている。特許文献１には、ＤＦＮ（Dual Flatpack No-leaded）タイプの半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、半導体素子、第１リード、第３リード、複数のボンディングワイヤ、および封止樹脂を備えている。半導体素子は、第１リードの搭載部主面に搭載され、多数の第３電極（ドレイン電極）がそれぞれボンディングワイヤによって第３リードに接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１１５５２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体素子と第３リードとを接続する多数のボンディングワイヤには、第１リードの搭載部と第３リードとが並ぶ方向であるｙ方向に平行なボンディングワイヤも含まれている。製造工程の封止樹脂の形成工程において、封止樹脂の材料がｘ方向に流れる場合、ｙ方向に平行なボンディングワイヤに発生するワイヤ流れが大きくなって、隣接するボンディングワイヤに接触するおそれがある。
【０００５】
本発明は上述の事情に鑑み、ワイヤ流れによるワイヤ同士の接触を抑制できる半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示によって提供される半導体装置は、ダイパッド部を有する第１リードと、前記第１リードから離間して配置された第２リードと、前記ダイパッド部に搭載された第１半導体素子と、前記第１半導体素子と前記第２リードとに導通接合された複数のワイヤと、を備え、前記ダイパッド部と、前記第２リードとは、厚さ方向に直交する第１方向に並んで配置され、前記厚さ方向に視て、前記複数のワイヤはすべて前記第１方向に対して傾斜している。
【発明の効果】
【０００７】
本開示にかかる半導体装置は、ワイヤ流れによるワイヤ同士の接触を抑制できる。
【０００８】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
図２は、図１の半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
図３は、図１の半導体装置を示す底面図である。
図４は、図２のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。
図５は、図２のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。
図６は、図２のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
図７は、図２の部分拡大図である。
図８は、図２の部分拡大図である。
図９は、ダイパッド部を示す平面図である。
図１０は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図１１は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図１２は、第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図１３は、第１実施形態の第４変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図１４は、第１実施形態の第５変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図１５は、第１実施形態の第６変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図１６は、第１実施形態の第７変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図１７は、第１実施形態の第８変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図１８は、第１実施形態の第９変形例に係る半導体装置のダイパッド部を示す平面図である。
図１９は、第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
図２０は、第３実施形態に係る半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
図２１は、第３実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
図２２は、第４実施形態に係る半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
図２３は、第５実施形態に係る半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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