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公開番号2024159924
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-08
出願番号2024146904,2022192348
出願日2024-08-28,2019-03-26
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人あい特許事務所
主分類H01L 29/872 20060101AFI20241031BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】SiCを含む構造において電気的特性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、第1主面3および第2主面4を有するSiC半導体層2と、第1主面3に形成された半導体素子と、第2主面4に第1方向Xおよび第2方向Yに沿って間隔を空けて形成された複数の隆起部11を含む隆起部群12と、第2主面4において隆起部群12に直接接続された電極10と、を含む。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項1】
一方側の第1主面および他方側の第2主面を有するSiC半導体層と、
前記第1主面に形成された半導体素子と、
前記第2主面において第1方向および前記第1方向に交差する第2方向に互いに間隔を空けて形成された複数の隆起部を含む隆起部群と、
前記第2主面において前記隆起部群に直接接続された電極と、を含む、半導体装置。
続きを表示(約 650 文字)【請求項2】
前記電極は、シリサイド層を介さずに前記隆起部群に接続されている、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記電極は、カーボン層を介さずに前記隆起部群に接続されている、請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記電極は、Ti、Ni、AuおよびAgのうちの少なくとも1種を含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記電極は、前記隆起部群に接するTi層を含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記電極は、前記隆起部群に接するNi層を含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記隆起部群は、前記第1方向から見て複数の前記隆起部が前記第1方向に重なるレイアウトを有している、請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記隆起部群は、複数の前記隆起部が前記第1方向に連続的に形成されたレイアウトを有している、請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項9】
複数の前記隆起部群が、前記第2方向に間隔を空けて形成されている、請求項1~8のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項10】
互いに隣り合う複数の前記隆起部群の間の距離は、100μm以下である、請求項9に記載の半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 2,900 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1は、SiC基板と、SiC基板の表面に形成されたショットキーバリアダイオードと、SiC基板の裏面に形成されたオーミック電極層と、を含む、半導体装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2011-198780号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
一実施形態は、SiCを含む構造において電気的特性を向上できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態は、一方側の第1主面および他方側の第2主面を有するSiC半導体層と、前記第1主面に形成された半導体素子と、前記第2主面において互いに間隔を空けて形成された複数の隆起部を含み、複数の前記隆起部のうちの幾つかの前記隆起部が前記第2主面の面方向の1つである第1方向から見た第1方向視において互いに重なる第1部分を有する隆起部群と、前記第2主面の上に形成され、前記隆起部群に接続された電極と、を含む、半導体装置を提供する。
【0006】
一実施形態は、一方側の第1主面および他方側の第2主面を有するSiC半導体層と、前記第1主面に形成された半導体素子と、前記第2主面において第1方向および前記第1方向に交差する第2方向に沿って互いに間隔を空けて形成された複数の隆起部を含む隆起部群と、前記第2主面において前記隆起部群に直接接続された電極と、を含む、半導体装置を提供する。
【0007】
これらの半導体装置によれば、隆起部群によって第2主面に対する電極の接続面積を増加させることができる。これにより、電気的特性を向上できる。
【0008】
上述の、または、さらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
図2は、図1に示す半導体装置の上面図である。
図3は、図1に示す半導体装置の底面図であって、隆起部群の第1形態例を示す底面図である。
図4Aは、隆起部群の第2形態例を示す図である。
図4Bは、隆起部群の第3形態例を示す図である。
図4Cは、隆起部群の第4形態例を示す図である。
図4Dは、隆起部群の第5形態例を示す図である。
図5は、図2に示すV-V線に沿う断面図である。
図6Aは、図1に示す半導体装置の製造に使用される半導体ウエハを示す上面図である。
図6Bは、図6Aに示す半導体ウエハの底面図であって、研削工程およびアニール処理を経た状態を示す図である。
図7は、図1に示す半導体装置の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
図8Aは、図1に示す半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図8Bは、図8Aの後の工程を示す断面図である。
図8Cは、図8Bの後の工程を示す断面図である。
図8Dは、図8Cの後の工程を示す断面図である。
図8Eは、図8Dの後の工程を示す断面図である。
図8Fは、図8Eの後の工程を示す断面図である。
図8Gは、図8Fの後の工程を示す断面図である。
図8Hは、図8Gの後の工程を示す断面図である。
図8Iは、図8Hの後の工程を示す断面図である。
図8Jは、図8Iの後の工程を示す断面図である。
図8Kは、図8Jの後の工程を示す断面図である。
図8Lは、図8Kの後の工程を示す断面図である。
図8Mは、図8Lの後の工程を示す断面図である。
図8Nは、図8Mの後の工程を示す断面図である。
図8Oは、図8Nの後の工程を示す断面図である。
図8Pは、図8Oの後の工程を示す断面図である。
図8Qは、図8Pの後の工程を示す断面図である。
図8Rは、図8Qの後の工程を示す断面図である。
図9は、抵抗値および金属層の厚さの関係を示すグラフである。
図10は、抵抗値およびレーザ照射位置のオーバラップ量の関係を示すグラフである。
図11は、図2に対応する底面図であって、本発明の第2実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。
図12は、図5に対応する断面図であって、本発明の第3実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
図13は、図5に対応する断面図であって、本発明の第4実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
図14は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置を示す上面図であって、SiC半導体層の第1主面よりも上の構造を取り除いた図である。
図15は、図14に示すXV-XV線に沿う断面図である。
図16は、本発明の第6実施形態に係る半導体装置を示す上面図であって、SiC半導体層の第1主面よりも上の構造を取り除いた図である。
図17は、図16に示すXVII-XVII線に沿う断面図である。
図18は、本発明の第7実施形態に係る半導体装置を示す上面図である。
図19は、図18に示す半導体装置の底面図である。
図20は、図18に示す領域XXの拡大図であって、SiC半導体層の第1主面よりも上の構造を取り除いた図である。
図21は、図20のXXI-XXI線に沿う断面図である。
図22は、図20のXXII-XXII線に沿う断面図である。
図23は、図22の領域XXIIIの拡大図である。
図24は、シート抵抗を説明するためのグラフである。
図25は、図20に対応する領域の拡大図であって、本発明の第8実施形態に係る半導体装置の構造を説明するための拡大図である。
図26は、図25に示すXXVI-XXVI線に沿う断面図である。
図27は、図21に対応する領域の断面図であって、本発明の第9実施形態に係る半導体装置の構造を説明するための断面図である。
図28は、図20に対応する領域の拡大図であって、本発明の第10実施形態に係る半導体装置の構造を説明するための拡大図である。
図29は、図21に対応する領域の断面図であって、本発明の第11実施形態に係る半導体装置の構造を説明するための平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置1を示す斜視図である。図2は、図1に示す半導体装置1の上面図である。図3は、図1に示す半導体装置1の底面図であって、隆起部群12の第1形態例を示す底面図である。
(【0011】以降は省略されています)

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