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公開番号
2025087022
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-06-10
出願番号
2023201374
出願日
2023-11-29
発明の名称
半導体装置および電子機器
出願人
ローム株式会社
代理人
弁理士法人 佐野特許事務所
主分類
G01R
19/165 20060101AFI20250603BHJP(測定;試験)
要約
【課題】電流信号の生成に関して検討の余地があった。
【解決手段】半導体装置1Xは、信号出力端子SENSEと、電流信号生成回路13と、電圧検出回路21と、を備える。電流信号生成回路13は、電流信号Isを生成して信号出力端子SENSEから外部出力するように構成されている。電圧検出回路21は、信号出力端子SENSEの電圧を検出可能なように構成されている。電圧検出回路21は、信号出力端子SENSEの電圧に応じて電流信号生成回路13を制御するように構成されている。
【選択図】図3
特許請求の範囲
【請求項1】
信号出力端子と、
電流信号を生成して前記信号出力端子から外部出力するように構成された電流信号生成回路と、
前記信号出力端子の電圧を検出可能なように構成された電圧検出回路と、
を備え、
前記電圧検出回路は、前記信号出力端子の電圧に応じて前記電流信号生成回路を制御する半導体装置。
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【請求項2】
前記電圧検出回路は、前記信号出力端子の電圧に応じて、閾値電圧を超えないように前記電流信号生成回路を制御する請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
出力電流を生成するように構成されるパワートランジスタを備え、
前記電流信号生成回路は、前記出力電流に応じて前記電流信号を生成する請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記電流信号生成回路は、前記出力電流に依拠して電流値が変動するように第1電流を生成し、前記第1電流を前記電流信号の少なくとも一部として出力する第1電流生成回路を含む請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】
監視対象の異常状態を検出して、検出結果に応じた異常検出信号を生成するように構成された異常検出回路を備え、
前記電流信号生成回路は、前記異常検出信号に応じた第2電流を生成し、前記第2電流を前記電流信号の少なくとも一部として出力するように構成された第2電流生成回路を含む請求項3または4に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記異常検出回路は、前記監視対象の過熱状態および過電流状態の少なくともいずれかを前記異常状態として検出可能である請求項5に記載の半導体装置。
【請求項7】
外部から基準電圧を印加される基準電圧端子と、
前記信号出力端子と前記基準電圧端子との間に接続され、前記基準電圧端子の電圧が前記信号出力端子の電圧より高い場合に、前記基準電圧端子から前記信号出力端子に電流が流れるのを制限するように構成された電流制限回路と、
を備える請求項1に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記基準電圧は、接地電圧である請求項7に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記電流信号生成回路および前記電圧検出回路が1チップに集積化された請求項1に記載の半導体装置と、
前記電流信号を検出可能なように構成された電流信号検出回路と、
を備える電子機器。
【請求項10】
前記電流信号検出回路は、
前記半導体装置の外部であって前記信号出力端子と接地電圧の印加端との間に接続されて、両端間電圧として前記電流信号に応じた電圧信号を生成するように構成された抵抗回路と、
前記電圧信号を検出可能なように構成された制御回路と、
を備える請求項9に記載の電子機器。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本明細書中に開示されている発明は、半導体装置および電子機器に関する。
続きを表示(約 1,100 文字)
【背景技術】
【0002】
従来、センス抵抗の電圧降下に基づいて監視対象電流を示す電流検出信号を生成する電子機器が、種々のアプリケーション(LED[light emitting diode]ドライバIC及びスイッチング電源ICなど)に利用されている。
【0003】
なお、上記に関連する従来技術の一例としては、特許文献1を挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
国際公開第2017/022633号
【0005】
[概要]
特許文献1で開示されている半導体装置は、電流検出信号の生成に関して、さらなる検討の余地があった。
【0006】
本明細書中に開示されている半導体装置は、信号出力端子と、電流信号生成回路と、電圧検出回路と、を備える。電流信号生成回路は、電流信号を生成して信号出力端子から外部出力するように構成されている。電圧検出回路は、信号出力端子の電圧を検出可能なように構成されている。電圧検出回路は、信号出力端子の電圧に応じて電流信号生成回路を制御するように構成されている。
【0007】
本明細書に開示されている電子機器は、電流信号生成回路および電圧検出回路が1チップに集積化された上記構成に係る半導体装置と、電流信号を検出可能なように構成された電流信号検出回路と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1は、比較例の電子機器100Yの構成を示すブロック図である。
図2は、半導体装置1Yの詳細な構成を示すブロック図である。
図3は、本開示に係る電子機器100Xの構成を示すブロック図である。
図4は、半導体装置1Xの詳細な構成を示すブロック図である。
【0009】
[詳細な説明]
<比較例の電子機器100Yについて>
先ず、電子機器100Yについて、本開示の電子機器100Xの比較例として説明する。次いで、比較例の問題点を説明し、その後に本開示の電子機器100Xについて説明する。
【0010】
<電子機器100Yについて>
図1は、比較例の電子機器100Yの構成を示すブロック図である。電子機器100Yは、異常検出機能を備えたIPD[Intelligent Power Device]である。図1に示すように、電子機器100Yは、半導体装置1Yと、電流信号検出回路2と、流入制限回路3Yと、を備えている。
(【0011】以降は省略されています)
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