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公開番号2024158433
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-08
出願番号2023073626
出願日2023-04-27
発明の名称センサ
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類G01L 9/00 20060101AFI20241031BHJP(測定;試験)
要約【課題】キャビティの底面へのメンブレンの貼り付きを抑制可能なセンサを提供する。
【解決手段】センサ(100,200)は、基板(10)を備える。基板の内部には、キャビティ(13)が形成されている。基板は、キャビティの底面と間隔を空けて対向しているメンブレン(14)を有する。キャビティの底面及びメンブレンの内面のいずれかには、複数の凸部(13a,14a)が形成されている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項1】
基板を備え、
前記基板の内部には、キャビティが形成されており、
前記基板は、前記キャビティの底面と間隔を空けて対向しているメンブレンを有し、
前記底面及び前記メンブレンの内面のいずれかには、複数の凸部が形成されている、センサ。
続きを表示(約 600 文字)【請求項2】
前記複数の凸部は、前記底面に形成されている、請求項1に記載のセンサ。
【請求項3】
前記複数の凸部は、平面視において、前記底面の中央部の周囲に配置されている、請求項2に記載のセンサ。
【請求項4】
前記基板は、第1基板と、第2基板とを有し、
前記第1基板は、第1面と、前記第1面の反対面である第2面とを有し、
前記第2基板は、前記第2面上に配置されており、
前記キャビティは、前記第2面に形成されており、
前記メンブレンは、前記底面と間隔を空けて対向している前記第2基板の部分である、請求項2に記載のセンサ。
【請求項5】
前記複数の凸部は、前記内面に形成されている、請求項1に記載のセンサ。
【請求項6】
前記複数の凸部は、平面視において、前記内面の中央部の周囲に配置されている、請求項5に記載のセンサ。
【請求項7】
前記基板は、第1基板で構成されており、
前記キャビティは、前記第1基板の内部に形成されており、
前記メンブレンは、前記底面と間隔を空けて対向している前記第1基板の部分である、請求項5に記載のセンサ。
【請求項8】
前記複数の凸部の各々の頂面は、曲面で構成されている、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のセンサ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、センサに関する。
続きを表示(約 2,200 文字)【背景技術】
【0002】
例えば特開2021-25966号公報(特許文献1)には、MEMS(Micro Electro Mechanical System)センサが記載されている。特許文献1に記載のMEMSセンサは、基板を有している。基板は、第1基板と、第2基板とを有している。第1基板及び第2基板は、単結晶のシリコンで形成されている。第1基板は、第1面と、第2面とを有している。第1面及び第2面は、第1基板の厚さ方向における端面である。第2面には、キャビティが形成されている。キャビティは、第1面に向かって凹んでいる。第2基板は、第2面上に配置されている。このように、キャビティは、基板の内部に形成されている。第1基板及び第2基板は、互いに接合されている。キャビティの底面と間隔を空けて対向している第2基板の部分は、メンブレン(ダイアフラム)を構成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-25966号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1に記載のMEMSセンサでは、外部の圧力によりメンブレンが撓むことにより動作する。特許文献1に記載のMEMSセンサでは、通常の使用状態における圧力によりメンブレンとキャビティの底面とが接触しないように、キャビティの深さが設計されている。しかしながら、例えばブレードを用いたダイシング工程で使用される水の圧力や基板実装時の洗浄、超音波洗浄、ブロー等により、メンブレンが、キャビティの底面に接触し、貼り付いてしまうことがある。
【0005】
本開示は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本開示は、キャビティの底面へのメンブレンの貼り付きを抑制可能なセンサを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示のセンサは、基板を備える。基板の内部には、キャビティが形成されている。基板は、キャビティの底面と間隔を空けて対向しているメンブレンを有する。キャビティの底面及びメンブレンの内面のいずれかには、複数の凸部が形成されている。
【発明の効果】
【0007】
本開示のセンサによると、キャビティの底面へのメンブレンの貼り付きを抑制可能である。
【図面の簡単な説明】
【0008】
センサ100の平面図である。
図1中のII-IIにおける断面図である。
図2中のIII-IIIにおける断面図である。
図2中のIVにおける部分拡大図である。
変形例1に係るセンサ100の断面図である。
変形例2に係るセンサ100の断面図である。
センサ100の製造工程図である。
ハードマスク形成工程S2を説明する断面図である。
レジストパターン形成工程S3を説明する断面図である。
レジストパターン形成工程S3を説明する平面図である。
第1エッチング工程S4を説明する断面図である。
第2エッチング工程S5を説明する断面図である。
第3エッチング工程S6を説明する断面図である。
第4エッチング工程S7を説明する断面図である。
基板貼り付け工程S8を説明する断面図である。
第1絶縁膜形成工程S9を説明する断面図である。
第1イオン注入工程S10を説明する断面図である。
第2絶縁膜形成工程S11を説明する断面図である。
コンタクトホール形成工程S12を説明する断面図である。
第2イオン注入工程S13を説明する断面図である。
パッド形成工程S14を説明する断面図である。
保護膜形成工程S15を説明する断面図である。
センサ100Aの断面図である。
センサ200の断面図である。
センサ200の製造工程図である。
第1レジストパターン形成工程S17を説明する断面図である。
第1エッチング工程S18を説明する断面図である。
第2レジストパターン形成工程S19を説明する断面図である。
第2エッチング工程S20を説明する断面図である。
第3エッチング工程S21を説明する断面図である。
酸化膜形成工程S22を説明する断面図である。
第4エッチング工程S23を説明する断面図である。
第5エッチング工程S24を説明する断面図である。
第6エッチング工程S25を説明する断面図である。
熱処理工程S26を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本開示の実施形態を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。
【0010】
(第1実施形態)
第1実施形態に係るセンサを説明する。第1実施形態に係るセンサを、センサ100とする。
(【0011】以降は省略されています)

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