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公開番号2024158433
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-08
出願番号2023073626
出願日2023-04-27
発明の名称センサ
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類G01L 9/00 20060101AFI20241031BHJP(測定;試験)
要約【課題】キャビティの底面へのメンブレンの貼り付きを抑制可能なセンサを提供する。
【解決手段】センサ(100,200)は、基板(10)を備える。基板の内部には、キャビティ(13)が形成されている。基板は、キャビティの底面と間隔を空けて対向しているメンブレン(14)を有する。キャビティの底面及びメンブレンの内面のいずれかには、複数の凸部(13a,14a)が形成されている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
基板を備え、
前記基板の内部には、キャビティが形成されており、
前記基板は、前記キャビティの底面と間隔を空けて対向しているメンブレンを有し、
前記底面及び前記メンブレンの内面のいずれかには、複数の凸部が形成されている、センサ。
続きを表示（約 600 文字）【請求項２】
前記複数の凸部は、前記底面に形成されている、請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記複数の凸部は、平面視において、前記底面の中央部の周囲に配置されている、請求項２に記載のセンサ。
【請求項４】
前記基板は、第１基板と、第２基板とを有し、
前記第１基板は、第１面と、前記第１面の反対面である第２面とを有し、
前記第２基板は、前記第２面上に配置されており、
前記キャビティは、前記第２面に形成されており、
前記メンブレンは、前記底面と間隔を空けて対向している前記第２基板の部分である、請求項２に記載のセンサ。
【請求項５】
前記複数の凸部は、前記内面に形成されている、請求項１に記載のセンサ。
【請求項６】
前記複数の凸部は、平面視において、前記内面の中央部の周囲に配置されている、請求項５に記載のセンサ。
【請求項７】
前記基板は、第１基板で構成されており、
前記キャビティは、前記第１基板の内部に形成されており、
前記メンブレンは、前記底面と間隔を空けて対向している前記第１基板の部分である、請求項５に記載のセンサ。
【請求項８】
前記複数の凸部の各々の頂面は、曲面で構成されている、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のセンサ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、センサに関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば特開２０２１－２５９６６号公報（特許文献１）には、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）センサが記載されている。特許文献１に記載のＭＥＭＳセンサは、基板を有している。基板は、第１基板と、第２基板とを有している。第１基板及び第２基板は、単結晶のシリコンで形成されている。第１基板は、第１面と、第２面とを有している。第１面及び第２面は、第１基板の厚さ方向における端面である。第２面には、キャビティが形成されている。キャビティは、第１面に向かって凹んでいる。第２基板は、第２面上に配置されている。このように、キャビティは、基板の内部に形成されている。第１基板及び第２基板は、互いに接合されている。キャビティの底面と間隔を空けて対向している第２基板の部分は、メンブレン（ダイアフラム）を構成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－２５９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のＭＥＭＳセンサでは、外部の圧力によりメンブレンが撓むことにより動作する。特許文献１に記載のＭＥＭＳセンサでは、通常の使用状態における圧力によりメンブレンとキャビティの底面とが接触しないように、キャビティの深さが設計されている。しかしながら、例えばブレードを用いたダイシング工程で使用される水の圧力や基板実装時の洗浄、超音波洗浄、ブロー等により、メンブレンが、キャビティの底面に接触し、貼り付いてしまうことがある。
【０００５】
本開示は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本開示は、キャビティの底面へのメンブレンの貼り付きを抑制可能なセンサを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示のセンサは、基板を備える。基板の内部には、キャビティが形成されている。基板は、キャビティの底面と間隔を空けて対向しているメンブレンを有する。キャビティの底面及びメンブレンの内面のいずれかには、複数の凸部が形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
本開示のセンサによると、キャビティの底面へのメンブレンの貼り付きを抑制可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
センサ１００の平面図である。
図１中のＩＩ－ＩＩにおける断面図である。
図２中のＩＩＩ－ＩＩＩにおける断面図である。
図２中のＩＶにおける部分拡大図である。
変形例１に係るセンサ１００の断面図である。
変形例２に係るセンサ１００の断面図である。
センサ１００の製造工程図である。
ハードマスク形成工程Ｓ２を説明する断面図である。
レジストパターン形成工程Ｓ３を説明する断面図である。
レジストパターン形成工程Ｓ３を説明する平面図である。
第１エッチング工程Ｓ４を説明する断面図である。
第２エッチング工程Ｓ５を説明する断面図である。
第３エッチング工程Ｓ６を説明する断面図である。
第４エッチング工程Ｓ７を説明する断面図である。
基板貼り付け工程Ｓ８を説明する断面図である。
第１絶縁膜形成工程Ｓ９を説明する断面図である。
第１イオン注入工程Ｓ１０を説明する断面図である。
第２絶縁膜形成工程Ｓ１１を説明する断面図である。
コンタクトホール形成工程Ｓ１２を説明する断面図である。
第２イオン注入工程Ｓ１３を説明する断面図である。
パッド形成工程Ｓ１４を説明する断面図である。
保護膜形成工程Ｓ１５を説明する断面図である。
センサ１００Ａの断面図である。
センサ２００の断面図である。
センサ２００の製造工程図である。
第１レジストパターン形成工程Ｓ１７を説明する断面図である。
第１エッチング工程Ｓ１８を説明する断面図である。
第２レジストパターン形成工程Ｓ１９を説明する断面図である。
第２エッチング工程Ｓ２０を説明する断面図である。
第３エッチング工程Ｓ２１を説明する断面図である。
酸化膜形成工程Ｓ２２を説明する断面図である。
第４エッチング工程Ｓ２３を説明する断面図である。
第５エッチング工程Ｓ２４を説明する断面図である。
第６エッチング工程Ｓ２５を説明する断面図である。
熱処理工程Ｓ２６を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本開示の実施形態を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。
【００１０】
（第１実施形態）
第１実施形態に係るセンサを説明する。第１実施形態に係るセンサを、センサ１００とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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