特許ウォッチ

公開番号2025156848
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-15
出願番号2024059567
出願日2024-04-02
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類H10H 20/857 20250101AFI20251007BHJP()
要約【課題】導体層が基材の切断面において露出することを抑制可能な半導体装置を提供するものである。
【解決手段】半導体装置(100,300)は、基板(10)を備えている。基板は、基材(11)と、第1導体層(12)及び第2導体層(13)とを有する。基材は、第1主面(11a)と第1主面の反対面である第2主面(11b)とを有する。第1導体層及び第2導体層は、それぞれ第1主面上及び第2主面上に配置されている。平面視において、第1導体層は第1主面の外周縁から離間しており、かつ第2導体層は第2主面の外周縁から離間している。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板を備え、
前記基板は、基材と、第１導体層及び第２導体層とを有し、
前記基材は、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面とを有し、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、それぞれ前記第１主面上及び前記第２主面上に配置されており、
平面視において、前記第１導体層は前記第１主面の外周縁から離間しており、かつ前記第２導体層は前記第２主面の外周縁から離間している、半導体装置。
続きを表示（約 910 文字）【請求項２】
前記基材は、前記第１主面及び前記第２主面に連なる側面をさらに有し、
前記第１主面、前記第２主面及び前記側面に沿った前記第１導体層と前記第２導体層との間の沿面距離の最小値は、前記基材の厚さの１．８倍以上である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基板は、第１無電解めっき層と、第２無電解めっき層とをさらに有し、
前記第１無電解めっき層及び前記第２無電解めっき層は、それぞれ前記第１導体層上及び前記第２導体層上に配置されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体素子と、
ボンディングワイヤとをさらに備え、
前記第１導体層は、第１導体パターンと、第２導体パターンとを有し、
前記第１導体パターンは、第１ランドを有し、
前記第２導体パターンは、第２ランドを有し、
前記半導体素子は、前記第１ランド上に配置されており、
前記ボンディングワイヤは、一方端において前記半導体素子に接続されており、他方端において前記第２ランドに接続されている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１導体パターンは、前記第１ランドと反対側の端に第３ランドを有し、
前記第２導体パターンは、前記第２ランドと反対側の端に第４ランドを有し、
平面視において、前記第３ランドの外周縁は、第１部分円弧を有し、
平面視において、前記第４ランドの外周縁は、第２部分円弧を有し、
前記第１部分円弧の中心角及び前記第２部分円弧の中心角は、１８０°以上である、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
封止樹脂をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを覆うように前記基板上に配置されている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体素子は、ＬＥＤであり、
前記封止樹脂は、前記ＬＥＤが発生させる光を透過させる樹脂材料で形成されている、請求項６に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特開２０２２－８１３００号公報（特許文献１）には、半導体装置が記載されている。特許文献１に記載の半導体装置は、基板を有している。
【０００３】
基板は、基材と、第１導体層と、第２導体層と、第１電解めっき層と、第２電気めっき層とを有している。基材は、第１主面と、第１主面の反対面である第２主面とを有している。第１導体層及び第２導体層は、それぞれ、第１主面上及び第２主面上に配置されている。第１電解めっき層及び第２電解めっき層は、それぞれ、第１導体層上及び第２導体層上に配置されている。基板は、複数の基板が含まれている１つの切断前基板を切断することにより得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２２－８１３００号公報［概要］切断前基板に含まれている１つの基板を第１基板とし、第１基板に隣り合う他の１つの基板を第２基板とする。第１電解めっき層及び第２電解めっき層を電解めっきで形成するためには、第１基板上にある第１導体層と第２基板上にある第１導体層との間に接続箇所が存在していること又は第１基板上にある第２導体層と第２基板上にある第２導体層との間に接続箇所が存在していることが必要である。このことを別の観点から言えば、第１導体層が第１主面の外周縁に達していること及び第２導体層が第２主面の外周縁に達していることのいずれかが必要である。
【０００５】
その結果、切断前基板を切断することにより、第１導体層又は第２導体層が切断面に存在することになる。第１導体層又は第２導体層が切断面に存在すると、バリの原因や第１導体層と第２導体層との間の短絡の原因となることがある。
【０００６】
本開示の半導体装置は、基板を備える。基板は、基材と、第１導体層及び第２導体層とを有する。基材は、第１主面と、第１主面の反対面である第２主面とを有する。第１導体層及び第２導体層は、それぞれ第１主面上及び第２主面上に配置されている。平面視において、第１導体層は第１主面の外周縁から離間しており、かつ第２導体層は第２主面の外周縁から離間している。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
半導体装置１００の平面図である。
半導体装置１００の底面図である。
半導体装置１００の断面図である。
半導体装置１００の製造工程図である。
穴開け工程Ｓ２を説明する平面図である。
導体層パターンニング工程Ｓ３を説明する平面図である。
導体層パターンニング工程Ｓ３を説明する底面図である。
無電解めっき工程Ｓ４を説明する平面図である。
無電解めっき工程Ｓ５を説明する平面図である。
無電解めっき工程Ｓ５を説明する底面図である。
レジスト形成工程Ｓ６を説明する平面図である。
半導体素子搭載工程Ｓ７を説明する平面図である。
ワイヤボンディング工程Ｓ８を説明する平面図である。
樹脂封止工程Ｓ９を説明する断面図である。
半導体装置２００の平面図である。
半導体装置２００を製造する際の導体層パターンニング工程Ｓ３を説明する平面図である。
半導体装置３００の平面図である。
半導体装置３００の底面図である。
【０００８】
［詳細な説明］
本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。
【０００９】
（第１実施形態）
第１実施形態に係る半導体装置を説明する。第１実施形態に係る半導体装置を、半導体装置１００とする。
【００１０】
図１は、半導体装置１００の平面図である。なお、図１では、封止樹脂５０の図示が省略されている。図２は、半導体装置１００の底面図である。図３は、半導体装置１００の断面図である。図１から図３に示されているように、半導体装置１００は、基板１０と、レジスト２０と、半導体素子３０と、ボンディングワイヤ４０及びボンディングワイヤ４１と、封止樹脂５０とを有している。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許