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公開番号2025167955
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-07
出願番号2024072996
出願日2024-04-26
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H10D 1/47 20250101AFI20251030BHJP()
要約【課題】耐圧を向上させることが可能な半導体装置が期待されている。
【解決手段】
半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1上に設けられた絶縁層2と、絶縁層2内に埋設され、平面視において、第1電極E1の周囲を囲むように配置された第1高抵抗部RPと、絶縁層2内に埋設され、平面視において、第2電極E2の周囲を囲むように配置された第2高抵抗部RNと、第1高抵抗部RPと第2高抵抗部RNに電気的に接続され、第1高抵抗部RP及び第2高抵抗部RNのそれぞれの抵抗値よりも低い抵抗値を有する電圧検出用の低抵抗部(RPS,RNS)と、を備える。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層内に埋設され、平面視において、第１電極の周囲を囲むように配置された第１高抵抗部と、
前記絶縁層内に埋設され、平面視において、第２電極の周囲を囲むように配置された第２高抵抗部と、
前記第１高抵抗部と前記第２高抵抗部に電気的に接続され、前記第１高抵抗部及び前記第２高抵抗部のそれぞれの抵抗値よりも低い抵抗値を有する電圧検出用の低抵抗部と、
を備える半導体装置。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
前記第１高抵抗部の抵抗器の形状、及び、前記第２高抵抗部の抵抗器の形状は、それぞれ、平面視において、螺旋状である、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
ｎを自然数とし、Ｎを自然数とし（３≦Ｎ）、
前記第１高抵抗部の抵抗器の形状は、
平面視において、
前記第１電極の周方向に沿って延びたＮ本の線状領域と、
前記線状領域のうち、径方向に隣接する内側からｎ番目の線状領域とｎ＋１番目の線状領域のそれぞれの一方の端部を径方向に接続する第１接続領域と、
前記線状領域のうち、径方向に隣接する内側からｎ＋１番目の線状領域とｎ＋２番目の線状領域のそれぞれの他方の端部を径方向に接続する第２接続領域と、
を備える、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
ｍを自然数とし、Ｍを自然数とし（３≦Ｍ）、
前記第２高抵抗部の抵抗器の形状は、
平面視において、
前記第２電極の周方向に沿って延びたＭ本の線状領域と、
前記第２高抵抗部の前記線状領域のうち、径方向に隣接する内側からｍ番目の線状領域とｍ＋１番目の線状領域のそれぞれの一方の端部を径方向に接続する第３接続領域と、
前記第２高抵抗部の前記線状領域のうち、径方向に隣接する内側からｍ＋１番目の線状領域とｍ＋２番目の線状領域のそれぞれの他方の端部を径方向に接続する第４接続領域と、
を備える、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
平面視において、
前記第１高抵抗部と、前記半導体基板の側面との間の最短距離Ｌ
ｍｉｎ
は、１０００μｍ以下であり、
前記第２高抵抗部と、前記半導体基板の側面との間の最短距離Ｌ
ｍｉｎ
は、１０００μｍ以下である、
請求項１に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、チップ内に複数の抵抗素子を含む半導体装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０２３／０８５０２６号
【０００４】
[概要]
本開示は、耐圧を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【０００５】
本開示の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた絶縁層と、絶縁層内に埋設され、平面視において、第１電極の周囲を囲むように配置された第１高抵抗部と、絶縁層内に埋設され、平面視において、第２電極の周囲を囲むように配置された第２高抵抗部と、第１高抵抗部と第２高抵抗部に電気的に接続され、第１高抵抗部及び第２高抵抗部のそれぞれの抵抗値よりも低い抵抗値を有する電圧検出用の低抵抗部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、高電圧検出装置の回路図である。
図２は、第１例の抵抗器の回路図（図２（Ａ））及び第２例の抵抗器の回路図（図２（Ｂ））である。
図３は、高電圧検出装置を搭載した半導体パッケージの平面図である。
図４は、抵抗チップの平面図である。
図５は、抵抗チップの平面図である。
図６は、第１電極又は第２電極の中心からの距離ｒと電圧Ｖの大きさの関係を示すグラフである。
図７は、第１実施形態に係る高抵抗部の平面図である。
図８は、高抵抗部の縦断面構成を示す図である。
図９は、第２実施形態に係る高抵抗部の平面図である。
図１０は、高抵抗部の縦断面構成を示す図である。
図１１は、第３実施形態に係る高抵抗部の平面図である。
図１２は、第４実施形態に係る高抵抗部の平面図である。
図１３は、電圧検出用の低抵抗部の平面図（図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）、図１３（Ｃ））である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附することとし、重複する説明は省略する。
【０００８】
まず、高電圧検出装置の基本構造について説明する。
【０００９】
図１は、高電圧検出装置の回路図である。高電圧検出装置は、抵抗回路Ｃ１０（分圧回路）と、電圧検出回路Ｃ２０とを備えている。抵抗回路Ｃ１０の第１入力端子ＨＶ（＋）は、電池２００の正極に電気的に接続されている。抵抗回路Ｃ１０の第２入力端子ＨＶ（－）は、電池２００の負極に電気的に接続されている。第１入力端子ＨＶ（＋）は、第１電極Ｅ１（電極パッド）に電気的に接続されている。第２入力端子ＨＶ（－）は、第２電極Ｅ２（電極パッド）に電気的に接続されている。
【００１０】
抵抗回路Ｃ１０は、第１高抵抗部ＲＰ（第１抵抗器）と、第１低抵抗部ＲＰＳと、第２低抵抗部ＲＮＳと、第２高抵抗部ＲＮ（第２抵抗器）とを備えている。第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間において、第１高抵抗部ＲＰ、第１低抵抗部ＲＰＳ、第２低抵抗部ＲＮＳ、及び、第２高抵抗部ＲＮは、この順番で直列に接続されている。第１高抵抗部ＲＰ及び第２高抵抗部ＲＮは、高電圧を低下させるための機能を有し、それぞれ高い抵抗値を有する。第１低抵抗部ＲＰＳ及び第２低抵抗部ＲＮＳは、電圧を検出するための機能を有し、それぞれが、高抵抗部と比較して、相対的に低い抵抗値を有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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