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公開番号2024158230
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-08
出願番号2023073254
出願日2023-04-27
発明の名称センサ
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類G01L 9/00 20060101AFI20241031BHJP(測定;試験)
要約【課題】キャビティの底面へのメンブレンの接触を抑制可能なセンサを提供する。
【解決手段】センサ(100)は、基板(10)を備える。基板の内部には、キャビティ(13)が形成されている。基板は、キャビティの底面と間隔を空けて対向しているメンブレン(14)を有する。キャビティの平面視における中央部には、第1凹部(13a)が形成されている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
基板を備え、
前記基板の内部には、キャビティが形成されており、
前記基板は、前記キャビティの底面と間隔を空けて対向しているメンブレンを有し、
前記キャビティの平面視における中央部には、第１凹部が形成されている、センサ。
続きを表示（約 320 文字）【請求項２】
前記第１凹部は、平面視において矩形である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記第１凹部は、平面視において円形である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項４】
前記第１凹部の側面は、前記第１凹部の底面に近づくにつれて前記第１凹部の幅が小さくなるように傾斜している、請求項１に記載のセンサ。
【請求項５】
前記第１凹部の周囲にある前記キャビティの底面と前記メンブレンとの間の距離は、前記基板の厚さの０．０５倍以下であり、
前記第１凹部の底面と前記メンブレンとの間の距離は、前記基板の厚さの０．０７５倍以上である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のセンサ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、センサに関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば特開２０２１－２５９６６号公報（特許文献１）には、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）センサが記載されている。特許文献１に記載のＭＥＭＳセンサは、基板を有している。基板は、第１基板と、第２基板とを有している。第１基板及び第２基板は、単結晶のシリコンで形成されている。第１基板は、第１面と、第２面とを有している。第１面及び第２面は、第１基板の厚さ方向における端面である。第２面には、キャビティが形成されている。キャビティは、第１面に向かって凹んでいる。第２基板は、第２面上に配置されている。このように、キャビティは、基板の内部に形成されている。第１基板及び第２基板は、互いに接合されている。キャビティの底面と間隔を空けて対向している第２基板の部分は、メンブレン（ダイアフラム）を構成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－２５９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のＭＥＭＳセンサでは、外部の圧力によりメンブレンが撓むことにより動作する。特許文献１に記載のＭＥＭＳセンサでは、通常の使用状態における圧力によりメンブレンとキャビティの底面とが接触しないように、キャビティの深さが設計されている。しかしながら、例えばブレードを用いたダイシング工程で使用される水の圧力や基板実装時の洗浄、超音波洗浄、ブロー等によりメンブレンがキャビティの底面に接触してしまうことがある。このようなキャビティの底面へのメンブレンの接触は、メンブレンを損傷させる原因となる。
【０００５】
本開示は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本開示は、キャビティの底面へのメンブレンの接触を抑制可能なセンサを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示のセンサは、基板を備える。基板の内部には、キャビティが形成されている。基板は、キャビティの底面と間隔を空けて対向しているメンブレンを有する。キャビティの平面視における中央部には、第１凹部が形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
本開示のセンサによると、キャビティの底面へのメンブレンの接触を抑制可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
センサ１００の平面図である。
図１中のＩＩ－ＩＩにおける断面図である。
図２中のＩＩＩ－ＩＩＩにおける断面図である。
変形例１に係るセンサ１００の断面図である。
変形例２に係るセンサ１００の断面図である。
変形例３に係るセンサ１００の断面図である。
変形例４に係るセンサ１００の断面図である。
センサ１００の製造工程図である。
ハードマスク形成工程Ｓ２を説明する断面図である。
レジストパターン形成工程Ｓ３を説明する断面図である。
第１エッチング工程Ｓ４を説明する断面図である。
第２エッチング工程Ｓ５を説明する断面図である。
第３エッチング工程Ｓ６を説明する断面図である。
基板貼り付け工程Ｓ７を説明する断面図である。
第１絶縁膜形成工程Ｓ８を説明する断面図である。
第１イオン注入工程Ｓ９を説明する断面図である。
第２絶縁膜形成工程Ｓ１０を説明する断面図である。
コンタクトホール形成工程Ｓ１１を説明する断面図である。
第２イオン注入工程Ｓ１２を説明する断面図である。
パッド形成工程Ｓ１３を説明する断面図である。
保護膜形成工程Ｓ１４を説明する断面図である。
センサ１００Ａの断面図である。
センサ１００Ｂの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本開示の実施形態を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。実施形態に係るセンサを、センサ１００とする。
【００１０】
（センサ１００の構成）
以下に、センサ１００の構成を説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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