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公開番号2025176452
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-04
出願番号2024082623
出願日2024-05-21
発明の名称半導体ウェーハ、半導体ウェーハの加工方法及び処理装置
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類G03F 9/00 20060101AFI20251127BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】より多くのデバイスを形成することができること。
【解決手段】半導体ウェーハの加工方法は、切欠部を有しない水平断面形状が円形の半導体ウェーハを準備するウェーハ準備ステップ101と、半導体ウェーハに感光剤を塗布して感光剤層を形成する感光剤層形成ステップ102と、マスクまたは光変調器を介して光を該感光剤層に照射し感光剤層にパターンを転写する露光ステップ105と、露光ステップ105を実施する前までに、半導体ウェーハの結晶方位を検出する結晶方位検出ステップ103と、を備え、露光ステップ105では、半導体ウェーハの結晶方位に基づいて半導体ウェーハがパターンに対して所定の向きに位置付けられる。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
第１面と該第１面の背面の第２面とを有した半導体ウェーハであって、
切欠部を有しない水平断面形状が円形の半導体ウェーハ。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
該第１面から該第２面に至る側面を有し、
該側面は該半導体ウェーハの垂直断面で直線からなり、該第１面と該側面との角部に第１面側面取り部が形成されるとともに、該第２面と該側面との角部に第２面側面取り部が形成される、請求項１に記載の半導体ウェーハ。
【請求項３】
半導体ウェーハの加工方法であって、
切欠部を有しない水平断面形状が円形の半導体ウェーハを準備するウェーハ準備ステップと、
該半導体ウェーハに感光剤を塗布して感光剤層を形成する感光剤層形成ステップと、
マスクまたは光変調器を介して光を該感光剤層に照射し該感光剤層にパターンを転写する露光ステップと、
該露光ステップを実施する前までに、該半導体ウェーハの結晶方位を検出する結晶方位検出ステップと、を備え、
該露光ステップでは、該半導体ウェーハの結晶方位に基づいて該半導体ウェーハが該パターンに対して所定の向きに位置付けられる、半導体ウェーハの加工方法。
【請求項４】
該結晶方位検出ステップを実施した後、該露光ステップを実施する前に、
該結晶方位検出ステップで検出した結晶方位に基づいて、ウェーハカセットに対して該半導体ウェーハが所定の向きとなるよう該半導体ウェーハを該ウェーハカセットに収容するウェーハ収容ステップを更に備え、
該露光ステップでは、該ウェーハカセットから該半導体ウェーハをステージへと搬送し、該ステージで支持された該半導体ウェーハに該光を照射し、
該ウェーハ収容ステップでは、該露光ステップで該半導体ウェーハが該パターンに対して該所定の向きに位置付けられるような向きに該半導体ウェーハを該ウェーハカセットに収容する、請求項３に記載の半導体ウェーハの加工方法。
【請求項５】
処理装置であって、
ウェーハカセットが載置されるカセット載置台と、
半導体ウェーハを保持する保持ユニットと、
該保持ユニットで保持された該半導体ウェーハの結晶方位を検出する結晶方位検出ユニットと、
該カセット載置台と該保持ユニットとの間で該半導体ウェーハを搬送する搬送ユニットと、を備え、
該搬送ユニットは該結晶方位検出ユニットで検出した該半導体ウェーハの結晶方位に基づいて該ウェーハカセットに対して該半導体ウェーハが所定の向きとなるよう該半導体ウェーハを該ウェーハカセットに収容する、処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ、半導体ウェーハの加工方法及び処理装置に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体材料からなるウェーハには、ウェーハの結晶方位を示すマークとしてノッチやオリエンテーションフラット等の切欠がウェーハの外周に形成されている。
【０００３】
半導体デバイスの製造工程においてノッチやオリエンテーションフラットは主に半導体ウェーハ上に形成した感光剤層に対して露光装置でパターンニングをする際、半導体ウェーハの向きをパターンに対して大まかに位置合わせするためにのみ利用される。
【０００４】
このために、従来からノッチ等を検出する方法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２２－０７２５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、ノッチやオリエンテーションフラットが形成されたウェーハでは、表面に形成できるデバイスの数が制限されてしまうため、改善が切望されていた。
【０００７】
本発明の目的は、より多くのデバイスを形成することができる半導体ウェーハ、半導体ウェーハの加工方法、及び処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の半導体ウェーハは、第１面と該第１面の背面の第２面とを有した半導体ウェーハであって、切欠部を有しない水平断面形状が円形であることを特徴とする。
【０００９】
前記ウェーハにおいて、該第１面から該第２面に至る側面を有し、該側面は該半導体ウェーハの垂直断面で直線からなり、該第１面と該側面との角部に第１面側面取り部が形成されるとともに、該第２面と該側面との角部に第２面側面取り部が形成されてもよい。
【００１０】
本発明の半導体ウェーハの加工方法は、半導体ウェーハの加工方法であって、切欠部を有しない水平断面形状が円形の半導体ウェーハを準備するウェーハ準備ステップと、該半導体ウェーハに感光剤を塗布して感光剤層を形成する感光剤層形成ステップと、マスクまたは光変調器を介して光を該感光剤層に照射し該感光剤層にパターンを転写する露光ステップと、該露光ステップを実施する前までに、該半導体ウェーハの結晶方位を検出する結晶方位検出ステップと、を備え、該露光ステップでは、該半導体ウェーハの結晶方位に基づいて該半導体ウェーハが該パターンに対して所定の向きに位置付けられることを特徴とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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