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公開番号2025147604
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-07
出願番号2024047937
出願日2024-03-25
発明の名称加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250930BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】異物の付着を抑えるとともに加工時間の短縮が可能なデバイスウェーハの加工方法を提供すること。
【解決手段】加工方法は、基材上にデバイスを構成するデバイス層が積層されるとともに表面の交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウェーハの加工方法であって、プラズマエッチングでデバイス層を分断し基材に切り込む深さのストリートに沿った第1の溝を形成する第1の溝形成ステップ101と、第1の溝形成ステップ101を実施した後、第1の溝に沿って切削ブレードによる切削で基材に第2の溝を形成する第2の溝形成ステップ102と、第2の溝形成ステップ102を実施した後、第2の溝の溝底をプラズマエッチングするプラズマエッチングステップ103と、を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
基材上にデバイスを構成するデバイス層が積層されるとともに表面の交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウェーハの加工方法であって、
プラズマエッチングで該デバイス層を分断し該基材に切り込む深さの該ストリートに沿った第１の溝を形成する第１の溝形成ステップと、
該第１の溝形成ステップを実施した後、該第１の溝に沿ってレーザビームの照射または切削ブレードによる切削で該基材に第２の溝を形成する第２の溝形成ステップと、
該第２の溝形成ステップを実施した後、該第２の溝の溝底をプラズマエッチングするプラズマエッチングステップと、を備えた加工方法。
続きを表示（約 110 文字）【請求項２】
該第１の溝形成ステップでは、該ストリートに沿って２条の溝を形成し、
該第２の溝形成ステップでは、該２条の溝の間のデバイス層を除去するとともに該基材の一部を除去する、請求項１に記載の加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスウェーハの加工方法に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
レーザダイシングやブレードダイシングでは半導体ウェーハの分割時に加工屑が発生するのに対して、プラズマエッチングで分割するプラズマダイシングが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１等に示されたプラズマダイシングは、半導体ウェーハの分割時に加工屑が発生しないため、異物の付着を嫌う半導体デバイスの製造工程で広く用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２２－０３５８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１等に示されたプラズマダイシングでは、複数のストリートに対して同時にプラズマエッチングを施すため複数のストリートを一括で分割できる。しかし、更なる加工時間の短縮が切望されている。
【０００６】
本発明の目的は、異物の付着を抑えるとともに加工時間の短縮が可能なデバイスウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工方法は、基材上にデバイスを構成するデバイス層が積層されるとともに表面の交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウェーハの加工方法であって、プラズマエッチングで該デバイス層を分断し該基材に切り込む深さの該ストリートに沿った第１の溝を形成する第１の溝形成ステップと、該第１の溝形成ステップを実施した後、該第１の溝に沿ってレーザビームの照射または切削ブレードによる切削で該基材に第２の溝を形成する第２の溝形成ステップと、該第２の溝形成ステップを実施した後、該第２の溝の溝底をプラズマエッチングするプラズマエッチングステップと、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
前記加工方法において、該第１の溝形成ステップでは、該ストリートに沿って２条の溝を形成し、該第２の溝形成ステップでは、該２条の溝の間のデバイス層を除去するとともに該基材の一部を除去しても良い。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、異物の付着を抑えるとともに加工時間の短縮が可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、実施形態１に係る加工方法の加工対象のデバイスウェーハの一例を示す斜視図である。
図２は、図１に示されたデバイスウェーハの要部を拡大して示す平面図である。
図３は、実施形態１に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。
図４は、図３に示された加工方法の第１の溝形成ステップ及びプラズマエッチングステップで用いられるエッチング装置の構成例を模式的に示す断面図である。
図５は、図３に示された加工方法の第１の溝形成ステップにおいてデバイスウェーハの裏面に支持部材を貼着した状態のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図６は、図３に示された加工方法の第１の溝形成ステップにおいてデバイスウェーハの表面にマスクを形成した状態のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図７は、図３に示された加工方法の第１の溝形成ステップにおいてデバイスウェーハの表面に第１の溝を形成する状態のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図８は、図３に示された加工方法の第２の溝形成ステップのデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図９は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいて第２の溝の溝底をプラズマエッチングする状態のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図１０は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいてマスクを除去した状態のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図１１は、実施形態２に係る加工方法の第１の溝形成ステップにおいてデバイスウェーハの表面にマスクを形成した状態のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図１２は、実施形態２に係る加工方法の第１の溝形成ステップにおいてデバイスウェーハの表面に第１の溝を形成する状態のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図１３は、実施形態２に係る加工方法の第１の溝形成ステップにおいてマスクを除去した状態のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図１４は、実施形態２に係る加工方法の第２の溝形成ステップにおいてデバイスウェーハの表面に支持部材を貼着した状態のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図１５は、実施形態２に係る加工方法の第２の溝形成ステップにおいてデバイスウェーハの裏面にマスクを形成した状態のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図１６は、図３に示された加工方法の第２の溝形成ステップにおいて第２の溝を形成するデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図１７は、実施形態２に係る加工方法のプラズマエッチングステップにおいて第２の溝の溝底をプラズマエッチングする状態のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図１８は、実施形態２に係る加工方法のプラズマエッチングステップにおいてマスクを除去した状態のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図１９は、図８に示された第２の溝形成ステップの変形例のデバイスウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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